圖片 ? 圖片 ? 三月底，納微半導(dǎo)體正式發(fā)布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片行業(yè)20年質(zhì)保承諾新聞稿，近日，納微再次發(fā)布相關(guān)白皮書(shū)，幫助業(yè)內(nèi)讀者進(jìn)一步解讀相關(guān)內(nèi)容。了解詳情，歡迎您請(qǐng)查看以下內(nèi)容或點(diǎn)擊閱讀
2022-05-05 11:06:31
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氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼： NVTS）正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過(guò)四千萬(wàn)顆，終端市場(chǎng)故障率為零。
2022-03-28 09:27:48628 
今年度營(yíng)收預(yù)估將達(dá)563.13億美元，年增8%，續(xù)居全球半導(dǎo)體龍頭;三星今年?duì)I收預(yù)估約為435.35億美元，年增4%，位居第二;臺(tái)積電營(yíng)收估達(dá)293億美元，年增11%，居第三名。采芯網(wǎng)預(yù)估，全球前20
2016-11-22 18:11:46
半壁江山。在射頻器件領(lǐng)域，目前LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據(jù)Yole development預(yù)測(cè)，至2025年，砷化鎵市場(chǎng)份額基本維持不變
2019-05-06 10:04:10
水平。2022年12月，銘鎵半導(dǎo)體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
程度不斷增加，功率半導(dǎo)體需求提升，器件應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對(duì)應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:50:23
程度不斷增加，功率半導(dǎo)體需求提升，器件應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對(duì)應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:46:29
1月30日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，近日有分析人士指出，受全球硬件產(chǎn)品市場(chǎng)需求減弱因素的影響，半導(dǎo)體廠商內(nèi)部的庫(kù)存量已經(jīng)升至“令人擔(dān)憂”的水平。 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS日前宣布調(diào)查結(jié)果顯示，全球半導(dǎo)體廠商
2013-01-30 09:56:19
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類(lèi)（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
`強(qiáng)烈推薦?。?！好東西分享?。?！各位兄弟：最近發(fā)現(xiàn)一個(gè)好地方！全球半導(dǎo)體最新信息輕松關(guān)注，手機(jī)微信，輕輕一掃！{:12:}`
2013-12-23 16:52:07
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；這也說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)于充電器功率的市場(chǎng)需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來(lái)自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的選擇?！ ∩罡h(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
扮演著關(guān)鍵的角色。與此同時(shí)，美國(guó)國(guó)防部還通過(guò)了高級(jí)研究計(jì)劃局 (DARPA) 的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù) (WBST) 計(jì)劃，該計(jì)劃在氮化鎵的早期開(kāi)發(fā)中發(fā)揮了積極的推動(dòng)作用。該項(xiàng)計(jì)劃于 2001 年正式啟動(dòng)，力求
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，是應(yīng)用最多的激光器類(lèi)別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計(jì)消除了寄生參數(shù)導(dǎo)致的干擾，并充分簡(jiǎn)化了氮化鎵器件的應(yīng)用門(mén)檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用，得到了很高的市場(chǎng)占有率。鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場(chǎng)空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
近日納微半導(dǎo)體宣布推出至今世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 電源適配器參考設(shè)計(jì)。這種高頻及高效的AllGaN?功率IC相比傳統(tǒng)硅IC可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕
2017-09-25 10:44:14
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開(kāi)關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車(chē)和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
，2022年由于存貨、庫(kù)存保持高位，項(xiàng)目重復(fù)建設(shè)，產(chǎn)能出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。2023年下半年隨著庫(kù)存消耗，產(chǎn)能將出現(xiàn)提升，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)6%達(dá)到3,400億塊。本土功率半導(dǎo)體廠商迎來(lái)發(fā)展新契機(jī)以深圳市薩科微半導(dǎo)體
2023-03-17 11:08:33
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車(chē)解決方案中每臺(tái)汽車(chē)的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車(chē)成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
中國(guó)已經(jīng)是全球最大的電子信息制造基地，集中了全球60%以上的半導(dǎo)體芯片銷(xiāo)售，全球80%以上的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈，超過(guò)全球50%的物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈，這個(gè)優(yōu)勢(shì)在10年內(nèi)不會(huì)被取代。過(guò)去的兩年
2018-08-30 16:02:33
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開(kāi)關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運(yùn)行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開(kāi)關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導(dǎo)體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
％。[color=rgb(51, 51, 51) !important]目前，氮化鎵已經(jīng)擁有了足夠廣闊的應(yīng)用空間。作為第三代半導(dǎo)體新技術(shù)，也是全球各國(guó)爭(zhēng)相角逐的市場(chǎng)，并且市面上已經(jīng)形成了多股氮化鎵代表勢(shì)力
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號(hào)2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類(lèi)型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題，和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來(lái)進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過(guò)3,700億元。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來(lái)進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過(guò)3,700億元。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 16:00:28
記者近日從揚(yáng)州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)獲悉，全球最大半導(dǎo)體設(shè)備制造商——美國(guó)應(yīng)用材料公司的裝備制造項(xiàng)目近日成功簽約落戶當(dāng)?shù)兀@是該公司在內(nèi)地建設(shè)的首個(gè)設(shè)備制造基地。美國(guó)應(yīng)用材料公司是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商
2011-07-31 08:52:04
半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)，使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管的保護(hù)板，具有更高的耐壓，可為保護(hù)板提供更高的過(guò)電壓保護(hù)能力。期待配套的保護(hù)芯片早日成熟，助推氮化鎵鋰電池保護(hù)應(yīng)用，推出更輕、更高效的電池產(chǎn)品。原作者：充電頭網(wǎng)編輯部充電頭網(wǎng)
2023-02-21 16:13:41
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
中國(guó)，2018年2月26日 – 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技公司簽署一份
2018-02-28 11:44:56
，其中第一梯隊(duì)有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強(qiáng)型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)，也是躋身氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊(duì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
，庫(kù)存對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的負(fù)面影響將至少持續(xù)到年底，不過(guò)需求增長(zhǎng)將在2012年出現(xiàn)。 美國(guó)單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商Microchip于本月初宣布第三財(cái)季業(yè)績(jī)時(shí)表示，2011年第四季度將是該行業(yè)循環(huán)周期的谷底
2012-01-15 10:07:58
，氮化鎵主要用作功率放大器。盡管如此，兩個(gè) WBG 晶體管一般被制造商采用，有時(shí)可以用來(lái)代替硅:橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)Super junction MOSFETs 超級(jí)結(jié)
2022-06-15 11:43:25
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
”的器件。它有多好呢？擊穿電壓是功率晶體管的關(guān)鍵指標(biāo)之一，達(dá)到這個(gè)臨界點(diǎn)，半導(dǎo)體阻止電流流動(dòng)的能力就會(huì)崩潰。東脅研究的開(kāi)創(chuàng)性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下，氮化鎵花了近20年的時(shí)間才達(dá)到這一
2023-02-27 15:46:36
位于加拿大渥太華的第三代半導(dǎo)體無(wú)晶圓設(shè)計(jì)公司，主營(yíng)業(yè)務(wù)是開(kāi)發(fā)基于 氮化鎵的功率芯片和功率轉(zhuǎn)換解決方案。公司現(xiàn)擁有200多名員工，這就意味著按照員工數(shù)量的收購(gòu)價(jià)格約為4百萬(wàn)美元每位員工。恭喜GaN
2023-03-03 16:48:40
會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說(shuō)，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí)，其原因在于流經(jīng)電路開(kāi)關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場(chǎng)成功交付超過(guò)1300萬(wàn)顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:141757 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類(lèi)型的快充市場(chǎng)。
2022-05-05 10:32:561496 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:05
3 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車(chē)普及提前三年來(lái)到，并減少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424
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