作者:安森美(onsemi)移動(dòng)、計(jì)算和云分部策略營(yíng)銷經(jīng)理Julie Tyler
云計(jì)算已成為一個(gè)家喻戶曉的術(shù)語(yǔ),在技術(shù)市場(chǎng)領(lǐng)域的重要性和吸引力越來越大。簡(jiǎn)單地說,云是指通過互聯(lián)網(wǎng)提供的任何服務(wù)。云計(jì)算背后的概念是創(chuàng)建一個(gè)無(wú)處不在的基礎(chǔ)設(shè)施,以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)和信息的快速、可擴(kuò)展的訪問。
雖然大多數(shù)人把云定義和解釋為一個(gè)大型公共網(wǎng)絡(luò),但也有私有云服務(wù),以提供有限訪問和需授權(quán)的安全專用網(wǎng)絡(luò)。大多數(shù)消費(fèi)者通過前端訪問與云進(jìn)行交互。云的前端包括軟件、應(yīng)用程序、圖形用戶接口(GUI)和存儲(chǔ)。為了支持大量可選的前端用戶接口,云需要一個(gè)重要的后端基礎(chǔ)設(shè)施,包括電源、服務(wù)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和計(jì)算機(jī)。隨著前端云服務(wù)需求的不斷增加,后端系統(tǒng)也必須是可升級(jí)的和可擴(kuò)展的。
全球數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以6.4%的年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)從2020年的191億美元增長(zhǎng)到2025年的261億美元1。隨著云計(jì)算需求的持續(xù)增長(zhǎng),對(duì)處理能力的要求也隨之增加。據(jù)估計(jì),2018年全球數(shù)據(jù)中心耗電量為205兆瓦時(shí),或205,000,000,000 W-hr 2。如此龐大的電力需求,使能效和可靠性成為優(yōu)先考慮的因素。
云電源轉(zhuǎn)換
大多數(shù)數(shù)據(jù)中心的機(jī)架由額定電壓為220 V的不間斷電源(UPS)供電,每個(gè)機(jī)架的額定功率接近100 kW??紤]到大多數(shù)核處理器的額定電壓低于2 V,高電壓需要進(jìn)行轉(zhuǎn)換和分配。此外,額定功率越高,表明需要以最高能效重新路由大量的電流,以最小化功耗和熱量。
大多數(shù)服務(wù)器機(jī)架有一個(gè)48 V的背板電源。這是機(jī)架中每臺(tái)服務(wù)器的主要電源,也被稱為服務(wù)器刀片。48 V在過去一直是電信和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的標(biāo)準(zhǔn)電源。選擇48 V的原因是,人們通常認(rèn)為它是對(duì)人體無(wú)害的最高電壓。通常,要求電壓水平超過48 V的設(shè)備必須是雙重絕緣的,并有其他更多嚴(yán)格的安全要求。
圖1:交流電源到服務(wù)器背板框圖
48 V對(duì)比12 V
已經(jīng)有很多圍繞48 V服務(wù)器電源的討論和實(shí)驗(yàn)。過去大多數(shù)計(jì)算機(jī)和服務(wù)器平臺(tái)的內(nèi)部電源都是12 V。這通常是傳統(tǒng)的要求,源于舊的硅技術(shù)以及非易失性存儲(chǔ)的硬盤驅(qū)動(dòng)器、冷卻風(fēng)扇和計(jì)算平臺(tái)的其他組件。
CPU功耗隨著每一代處理器的升級(jí)急劇增加,高電流水平已開始產(chǎn)生顯著的導(dǎo)通損耗和低能效。功率損失也會(huì)產(chǎn)生熱量,這是高密度計(jì)算的大敵,因其導(dǎo)致設(shè)備使用壽命縮短并產(chǎn)生系統(tǒng)漏洞。應(yīng)對(duì)這種損耗的一種方法是將48 V機(jī)架電源引入服務(wù)器本身,并引入負(fù)載點(diǎn)(POL)電源轉(zhuǎn)換器。
導(dǎo)通損耗 = (負(fù)載電流2) x (導(dǎo)通路徑電阻)
48 V電源可用四分之一的電流向負(fù)載提供相同的功率;從而將導(dǎo)通路徑上的功耗減少16倍。這對(duì)系統(tǒng)能效的顯著提升帶來了一些挑戰(zhàn)。12 V電源方案已經(jīng)經(jīng)過多代優(yōu)化,能效極高。更高電壓的電源需要更大的降壓以達(dá)到CPU核心電壓,這可能導(dǎo)致電源轉(zhuǎn)換級(jí)能效較低。還需要更高電壓的硅技術(shù),而且對(duì)于MOSFET架構(gòu)來說,每單位面積的電阻往往更高,這也會(huì)增加系統(tǒng)成本。這些系統(tǒng)挑戰(zhàn)導(dǎo)致了試驗(yàn)性地實(shí)施創(chuàng)新和先進(jìn)的架構(gòu)。
最有前景的新電源轉(zhuǎn)換技術(shù)之一是開關(guān)槽路電容器(STC)轉(zhuǎn)換器——圖2。這些轉(zhuǎn)換器能效極高,在某些情況下,電路面積更小。根據(jù)設(shè)計(jì)人員和整體系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的不同,單級(jí)和多級(jí)轉(zhuǎn)換方案都已被證實(shí)是成功的。具體的中間電壓將因硅供應(yīng)商而異,通常根據(jù)他們的特定技術(shù)來選擇。所展示的最高效的整體方案是48 V-12 V-1 V,為CPU核供電。這種方法利用了兩種成熟的方案,并調(diào)節(jié)了凈壓降,最大化系統(tǒng)總能效——圖3。
圖2:開關(guān)槽路電容器(STC)轉(zhuǎn)換器有單級(jí)和多級(jí)設(shè)計(jì)之分
圖3:48 V至1 V兩級(jí)轉(zhuǎn)換器為CPU核心供電
內(nèi)核CPU電源
大電流DC-DC電源轉(zhuǎn)換器通常采用多相拓?fù)洹C肯嗤ǔ0▋蓚€(gè)采用上下半橋配置的MOSFET和一個(gè)電感,以形成一個(gè)單一的降壓轉(zhuǎn)換器。這架構(gòu)通常被稱為功率級(jí)。多相協(xié)同工作,由一個(gè)智能電源管理集成電路(PMIC)控制。每個(gè)相位的開關(guān)必須交錯(cuò)開來,并仔細(xì)控制,以優(yōu)化負(fù)載調(diào)節(jié)、紋波、瞬態(tài)響應(yīng)和包括輻射和導(dǎo)通的噪聲產(chǎn)生。
功率級(jí)的數(shù)量和其中每一級(jí)的電流都是為特定一代的CPU精心調(diào)校的。市場(chǎng)已觀察到所需的相位數(shù)正在迅速增加,且每個(gè)功率級(jí)的電流密度也越來越高。最先進(jìn)的多相轉(zhuǎn)換器采用多達(dá)16個(gè)相位,總輸送功率動(dòng)輒超過1000 W——圖4。
圖4:采用16相位提供1 V CPU電源的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
智能功率級(jí)
先進(jìn)CPU需要極高功率密度的一個(gè)副產(chǎn)品是要求極嚴(yán)格的負(fù)載調(diào)節(jié)。先進(jìn)的深次微米硅技術(shù)不能容忍電源和信號(hào)節(jié)點(diǎn)上的電壓偏移。這就需要確保為CPU供電的多相PMIC密切監(jiān)測(cè)每相的電壓、電流和溫度。所有這些信息都由智能功率級(jí)收集和管理;包括故障管理。
由于輸送到CPU的電流非常大,一個(gè)管理不善的故障狀況可能會(huì)迅速破壞處理器,導(dǎo)致更換一個(gè)或多個(gè)非常昂貴的部件。最先進(jìn)的智能功率級(jí)考慮了負(fù)載電感和相關(guān)的瞬態(tài)尖峰以及其他系統(tǒng)寄生物,以最大化整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。它們也是提高整個(gè)系統(tǒng)能效的一個(gè)關(guān)鍵因素。
圖5:強(qiáng)調(diào)智能功能需求的不同功率電路之效率比較
總結(jié)
隨著消費(fèi)者期望越來越多的數(shù)據(jù)觸手可及,云市場(chǎng)領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)發(fā)展和擴(kuò)大。為了滿足這些需求,支持云基礎(chǔ)設(shè)施的技術(shù)領(lǐng)域必須持續(xù)創(chuàng)新并預(yù)測(cè)市場(chǎng)需求。整個(gè)云端電源樹,包括多相控制器、智能功率級(jí)和POL,都必須精心設(shè)計(jì)和制造,才能實(shí)現(xiàn)優(yōu)化能效和可靠性的整體設(shè)計(jì),以支持這基礎(chǔ)設(shè)施。安森美(onsemi)為整個(gè)電源樹提供領(lǐng)先行業(yè)的方案,用于從48 V到1 V的每個(gè)節(jié)點(diǎn)。
審核編輯:湯梓紅
評(píng)論
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