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從電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器再到充電站和無數(shù)其他應(yīng)用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） MOSFET 以及絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 等開關(guān)電源半導(dǎo)體都是實(shí)現(xiàn)高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。但是，要讓電源裝置獲得最高性能，需要適當(dāng)?shù)?a target="_blank">柵極驅(qū)動(dòng)器。
顧名思義，柵極驅(qū)動(dòng)器的作用是驅(qū)動(dòng)電源裝置的柵極，使其快速利落地進(jìn)入或退出導(dǎo)通模式。要做到這一點(diǎn)，不論內(nèi)部器件和雜散（寄生）電容、電感以及負(fù)載（柵極）端的其他問題如何，驅(qū)動(dòng)器都要有能力拉出/灌入足夠的電流。因此，提供適當(dāng)尺寸且具有適當(dāng)關(guān)鍵屬性的柵極驅(qū)動(dòng)器，對于發(fā)揮電源裝置的最大潛力和效率至關(guān)重要。然而，要想最大限度地發(fā)揮柵極驅(qū)動(dòng)器的作用，設(shè)計(jì)人員必須特別注意驅(qū)動(dòng)器的直流電源，而這個(gè)電源獨(dú)立于電源裝置的直流電軌之外。此電源與傳統(tǒng)電源類似，但也有一些重要的區(qū)別之處。它可以是單極電源，但在許多情況下，它是一個(gè)非對稱的雙極電源，同時(shí)還有其他功能和結(jié)構(gòu)差異。此外，設(shè)計(jì)人員還必須注意外形尺寸，包括電路板基底面和扁平要求，以及與設(shè)計(jì)的預(yù)期裝配和制造工藝的兼容性。
本文將以 Murata Power Solutions 的 MGJ2 系列 2 W 柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的表面貼裝器件 （SMD） DC/DC 電源為例，重點(diǎn)介紹柵極驅(qū)動(dòng)器的電源。
從開關(guān)器件開始
要了解柵極驅(qū)動(dòng)器 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的作用和所需的屬性，需要從開關(guān)器件開始。在用作開關(guān)器件的 MOSFET 中，柵源路徑可用于控制器件的關(guān)斷或?qū)顟B(tài)（IGBT 與之相似）。當(dāng)柵源電壓小于閾值電壓 （VGS 《 VTH） 時(shí)，MOSFET 處于截止區(qū)，沒有漏電流流動(dòng)（ID = 0 A），MOSFET 看起來像一個(gè)“開路開關(guān)”（圖 1）。
圖 1：在截止模式下，MOSFET 漏源路徑看起來像一個(gè)開路開關(guān)。（圖片來源：Quora）
相反，當(dāng)柵源電壓遠(yuǎn)大于閾值電壓 （VGS 》 VTH） 時(shí)，MOSFET 處于飽和區(qū)，有最大漏電流流動(dòng) （ID = VDD /RL），MOSFET 看起來像一個(gè)“閉路開關(guān)”（圖 2）。對于理想 MOSFET，漏源電壓為零（VDS = 0 V），但在實(shí)踐中，由于內(nèi)部導(dǎo)通電阻 RDS（on）（通常低于 0.1 Ω，并且可能低至幾十 mΩ），VDS 通常為 0.2 V 左右。
圖 2：在飽和模式下，MOSFET 漏源路徑看起來像一個(gè)低電阻開關(guān)。（圖片來源：Quora）
雖然原理圖讓人看起來是施加在柵極上的電壓導(dǎo)致 MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷，但這種看法并不全面。該電壓驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)入 MOSFET，直至有足夠的累積電荷將其導(dǎo)通。根據(jù)開關(guān)驅(qū)動(dòng)器的大小（額定電流）和類型，快速進(jìn)入完全導(dǎo)通狀態(tài)所需的電流量可能為區(qū)區(qū)幾 mA 到幾 A。
柵極驅(qū)動(dòng)器的功能是，將足夠的電流快速利落地驅(qū)動(dòng)到柵極中，以使 MOSFET 導(dǎo)通，以及將該電流反向拉出，以使 MOSFET 關(guān)斷。更正式地說，柵極需要通過一個(gè)低阻抗電源來驅(qū)動(dòng)，而該電源能夠拉出和灌入足夠的電流，從而實(shí)現(xiàn)控制電荷的快速插入和拔出。
如果 MOSFET 柵極看起來像一個(gè)純粹的阻性負(fù)載，那么此電流的拉出和灌入將會(huì)相對簡單。但是，不僅 MOSFET 具有內(nèi)部容性和感性寄生元件，還存在來自驅(qū)動(dòng)器和電源裝置之間的互連器件的寄生效應(yīng)（圖 3）。
圖 3：此 MOSFET 模型顯示了影響驅(qū)動(dòng)器性能的寄生電容和電感。（圖片來源：Texas Instruments）
于是，柵極驅(qū)動(dòng)信號在接近閾值電壓時(shí)會(huì)出現(xiàn)瞬時(shí)振蕩，導(dǎo)致器件在完全導(dǎo)通或關(guān)斷的軌跡上出現(xiàn)一次或多次導(dǎo)通和關(guān)斷；這有點(diǎn)類似于機(jī)械開關(guān)的“開關(guān)彈跳”現(xiàn)象（圖 4）。
圖 4：由于 MOSFET 負(fù)載中的寄生效應(yīng)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器輸出出現(xiàn)瞬時(shí)振蕩，進(jìn)而導(dǎo)致類似于機(jī)械開關(guān)彈跳的瞬時(shí)振蕩和誤觸發(fā)。（圖片來源：Learn About Electronics）
這一現(xiàn)象影響的范圍很廣：小到在開關(guān)燈這類無關(guān)緊要的應(yīng)用中，可能造成沒有人會(huì)注意到或僅僅有些煩人的細(xì)微影響；大到在電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和類似子系統(tǒng)中，可能對廣泛使用的脈寬調(diào)制 （PWM） 快速開關(guān)電路造成損壞。在標(biāo)準(zhǔn)的半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于負(fù)載被置于上下一對 MOSFET 之間，如果電橋同一側(cè)的兩個(gè) MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，哪怕只是一瞬間，也會(huì)造成短路，甚至是永久性的損壞。這種現(xiàn)象被稱為“擊穿”（圖 5）。
圖 5：與正常的 MOSFET 導(dǎo)通（Q1 和 Q4（左圖）或 Q2 和 Q3（右圖））相比，如果由于驅(qū)動(dòng)器問題或其他原因，電橋的 Q1 和 Q2 或 Q3 和 Q4 同時(shí)導(dǎo)通，則在電源軌和接地之間就會(huì)出現(xiàn)不可接受且可能造成損壞的短路情況，也稱為“擊穿”。（圖片來源：Quora）
柵極驅(qū)動(dòng)詳細(xì)信息
為了驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)入柵極，電軌的正電壓應(yīng)足夠高，以確保電源開關(guān)處于完全飽和/增強(qiáng)狀態(tài)，但不應(yīng)超過其柵極的絕對最大電壓。雖然此電壓值取決于具體的器件類型和型號，但 IGBT 和標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 通常在 15 V 驅(qū)動(dòng)電壓下就能完全導(dǎo)通，而典型的 SiC MOSFET 可能需要接近 20 V 的驅(qū)動(dòng)電壓才能完全導(dǎo)通。
負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓的情況則要復(fù)雜一些。原則上，對于關(guān)斷狀態(tài)，柵極上保持 0 V 電壓就足夠了。但是，利用一個(gè)負(fù)電壓（通常介于 -5 V 至 -10 V 之間），則可以實(shí)現(xiàn)受柵極電阻器控制的快速開關(guān)。適當(dāng)?shù)呢?fù)驅(qū)動(dòng)電壓可確保柵極-發(fā)射極的關(guān)斷電壓實(shí)際始終為零或更低。
這一點(diǎn)很關(guān)鍵，因?yàn)橹灰_關(guān)和驅(qū)動(dòng)器基準(zhǔn)之間存在任何發(fā)射極電感 （L）（在圖 6 中的“x”點(diǎn)），都會(huì)導(dǎo)致開關(guān)關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)反向的柵極-發(fā)射極電壓。雖然該電感可能很小，但即使是極小的 5 nH 電感（幾毫米的導(dǎo)線連接）也會(huì)產(chǎn)生 di/dt 壓擺率達(dá) 1000 A/μs 的 5 V 電壓。
圖 6：由于布局因素，在開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器基準(zhǔn)之間的“x”點(diǎn)即使有一個(gè)很小的發(fā)射極電感，也會(huì)在開關(guān)關(guān)斷時(shí)感應(yīng)一個(gè)反向的柵極-發(fā)射極電壓，導(dǎo)致出現(xiàn)開/關(guān)“抖動(dòng)”。（圖片來源：Murata Power Solutions）
負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓也有助于克服集電極/漏極-柵極米勒效應(yīng)電容 Cm 的影響，該電容會(huì)在器件關(guān)斷期間向柵極驅(qū)動(dòng)電路注入電流。當(dāng)器件被關(guān)斷時(shí)，集電極-柵極電壓上升，值為 Cm × dVce/dt 的電流經(jīng)由米勒電容，流入柵極至發(fā)射極/源極電容 Cge，并經(jīng)由柵極電阻器流向驅(qū)動(dòng)電路。柵極上產(chǎn)生的電壓 Vge 可能足以再次導(dǎo)通器件，從而造成可能的擊穿和損壞（圖 7）。
圖 7：使用負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓可以克服由于 MOSFET 或 IGBT 內(nèi)存在米勒效應(yīng)電容而產(chǎn)生的缺點(diǎn)。（圖片來源：Murata Power Solutions）
不過，通過負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓，這種影響被最小化。出于此原因，有效的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)需要正、負(fù)兩個(gè)電壓軌來實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)功能。然而，與大多數(shù)具有對稱輸出（如 +5 V 和 -5 V）的雙極 DC/DC 轉(zhuǎn)換器不同，柵極驅(qū)動(dòng)器的電源軌通常是非對稱的，且正電壓大于負(fù)電壓。
確定轉(zhuǎn)換器的額定功率大小
關(guān)鍵因素之一是柵極驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器必須提供多大的電流，進(jìn)而提供多大的額定功率?；镜挠?jì)算過程非常簡單。在每個(gè)開關(guān)周期，柵極必須通過柵極電阻器 Rg 進(jìn)行充電和放電。該器件的規(guī)格書中提供了柵極電荷 Qg 值的曲線，其中 Qg 是指在特定的柵極電壓下需要注入到柵極電極以導(dǎo)通（驅(qū)動(dòng)）MOSFET 的電荷量。使用以下公式得出必須由 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供的功率：
其中，Qg 是所選柵極電壓擺動(dòng)（從正到負(fù)，值為 Vs，頻率為 F）對應(yīng)的柵極電荷。該功率耗散在器件的內(nèi)部柵極電阻 （Rint） 和外部串聯(lián)電阻 Rg 中。大多數(shù)柵極驅(qū)動(dòng)器需要低于一到兩瓦的電源。
另一個(gè)考慮因素是：給柵極充電和放電所需的峰值電流 （Ipk）。這是 Vs、Rint 和 Rg 的函數(shù)。它使用以下公式計(jì)算：
在許多情況下，此峰值電流超出了 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可以提供的范圍。大多數(shù)設(shè)計(jì)并沒有采用更大、更昂貴的電源（在低占空比下運(yùn)行），而是在驅(qū)動(dòng)器電源軌上使用大容量電容器來供應(yīng)電流，這些電容器則由轉(zhuǎn)換器在低電流周期部分進(jìn)行充電。
通過基本計(jì)算可以確定這些大容量電容器的規(guī)格。但同樣重要的是，它們必須具有較低的等效串聯(lián)電阻 （ESR） 和電感 （ESL），以免妨礙它們所輸送的瞬時(shí)電流。
其他柵極驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器考慮因素
柵極驅(qū)動(dòng)器的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器還面臨著其他特有的問題。其中包括：
? 調(diào)節(jié)：當(dāng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器沒有開關(guān)時(shí)，器件上的負(fù)載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器任何時(shí)候都需要一個(gè)極小的負(fù)載；否則，它們的輸出電壓會(huì)急劇增加，甚至可能達(dá)到柵極擊穿電平。
這時(shí)會(huì)發(fā)生以下情況：此高電壓被儲存在大容量電容器上，導(dǎo)致器件開始開關(guān)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)柵極過壓，直到轉(zhuǎn)換器電平在正常負(fù)載下下降。因此應(yīng)使用具有鉗位輸出電壓或極低的最低負(fù)載要求的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
? 啟動(dòng)和關(guān)斷：在驅(qū)動(dòng)電路的電壓軌達(dá)到指定值之前，IGBT 和 MOSFET 不能由 PWM 控制信號主動(dòng)驅(qū)動(dòng)，這一點(diǎn)很重要。然而，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器通電和斷電時(shí)，可能存在一種瞬時(shí)條件，即使在 PWM 信號處于非活動(dòng)狀態(tài)時(shí)也能驅(qū)動(dòng)器件導(dǎo)通，導(dǎo)致器件發(fā)生擊穿和損壞。因此，DC/DC 轉(zhuǎn)換器輸出在通電和斷電時(shí)應(yīng)保持穩(wěn)定，具有單調(diào)的上升和下降（圖 8）。
圖 8：DC/DC 轉(zhuǎn)換器輸出在通電和斷電序列中保持穩(wěn)定，沒有出現(xiàn)電壓瞬變，這一點(diǎn)至關(guān)重要。（圖片來源：Murata Power Solutions）
? 隔離和耦合電容：在高功率下，電源逆變器或轉(zhuǎn)換器通常使用電橋配置來生成線頻率交流電，或?yàn)殡姍C(jī)、變壓器或其他負(fù)載提供雙向 PWM 驅(qū)動(dòng)。為了用戶安全和滿足監(jiān)管規(guī)定，柵極驅(qū)動(dòng) PWM 信號和高壓側(cè)開關(guān)的相關(guān)驅(qū)動(dòng)電源軌需要與接地保持電隔離，兩者之間不存在任何電阻路徑。此外，隔離柵必須非常緊固耐用，在設(shè)計(jì)壽命期內(nèi)不會(huì)因?yàn)榉磸?fù)的局部放電效應(yīng)而出現(xiàn)明顯的性能退化。
此外，還有一些問題是由于跨越隔離柵的電容耦合造成的；這類似于完全絕緣的交流線路變壓器的初級和次級繞組之間的漏電流。這就要求驅(qū)動(dòng)電路和相關(guān)的電源軌不能受開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的高 dV/dt 的影響，并且具有極低的耦合電容。
產(chǎn)生這一問題的機(jī)制是，由于開關(guān)速度非常快，dV/dt 通常高達(dá) 10 kV/μs，對于最新的 GaN 器件，甚至高達(dá) 100 kV/μs。這種快速擺動(dòng)的 dV/dt 致使瞬時(shí)電流流經(jīng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器隔離柵的電容。
由于電流 I = C x （dV/dt），即使是僅 20 pF 的很小隔離電容，在 10 kV/μs 的開關(guān)作用下，也會(huì)產(chǎn)生 200 mA 的電流。該電流會(huì)找到一條不確定的返回路線，通過控制器電路返回到電橋，導(dǎo)致連接電阻和電感兩端出現(xiàn)電壓尖峰，而這有可能破壞控制器甚至 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的運(yùn)行。因此，低耦合電容顯得非常重要。
DC/DC 轉(zhuǎn)換器的基本隔離和相關(guān)絕緣還存在另一方面的問題。隔離柵的設(shè)計(jì)可以連續(xù)承受額定電壓，但由于是開關(guān)電壓，因此隔離柵有可能隨著時(shí)間的推移而加速退化。這是因?yàn)楦綦x柵材料中存在電化學(xué)和局部放電效應(yīng)，而這些效應(yīng)完全取決于固定直流電壓。
因此，DC/DC 轉(zhuǎn)換器必須具有可靠的絕緣和寬裕的最小爬電和間隙距離。如果轉(zhuǎn)換器隔離柵也構(gòu)成安全隔離系統(tǒng)的一部分，則適用相關(guān)機(jī)構(gòu)關(guān)于所需隔離水平（基本、補(bǔ)充、增強(qiáng)）、工作電壓、污染度、過壓類別和海拔高度的監(jiān)管規(guī)定。
由于這些原因，只有具有適當(dāng)設(shè)計(jì)和材料的柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器才能通過或申請 UL60950-1 認(rèn)證，提供各種級別的基本和增強(qiáng)保護(hù)（通常相當(dāng)于 EN 62477-1:2012 中的保護(hù)級別）；更嚴(yán)格的認(rèn)證也已部署到位或正在申請中，以滿足醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn) ANSI/AAMI ES60601-1 有關(guān) 1 × 患者保護(hù)措施 （MOPP） 和 2 × 操作者保護(hù)措施 （MOOP） 的要求。
? 共模瞬態(tài)抗擾度：在更高的開關(guān)頻率下，柵極驅(qū)動(dòng)器的兩個(gè)獨(dú)立接地基準(zhǔn)之間存在一個(gè)差分電壓，這時(shí) CMTI 便是一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)，隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器便是如此。CMTI 的定義是，施加在兩個(gè)隔離電路之間的共模電壓的最大可容許上升或下降速率，并以 kV/μs 或 V/ns 為單位。
具有高 CMTI 意味著，當(dāng)用具有極高的上升（正）或下降（負(fù)）壓擺率的信號“沖擊”隔離柵時(shí)，隔離式部署的兩端（發(fā)射端和接收端）將會(huì)超出規(guī)格書的規(guī)格。DC/DC 轉(zhuǎn)換器的規(guī)格書應(yīng)包含此參數(shù)的規(guī)格值，設(shè)計(jì)人員則需要根據(jù)其電路工作頻率和電壓的具體情況進(jìn)行匹配。
滿足柵極驅(qū)動(dòng)器 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的要求
認(rèn)識到對柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器面臨的諸多富有挑戰(zhàn)性且經(jīng)常相互沖突的需求后，Murata 對其 MGJ2 系列通孔 DC/DC 轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了擴(kuò)展，以納入 SMD DC/DC 單元。他們的轉(zhuǎn)換器由于具有高性能、緊湊的外形尺寸和扁平的外形（大約 20 mm 長 × 15 mm 寬 × 4 mm 高），并且與 SMD 制造工藝兼容，非常適合在空間和重量受限的應(yīng)用中為 IGBT 和 MOSFET 的高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路供電。
該系列 2 W 轉(zhuǎn)換器的成員采用 5 V、12 V 和 15 V 標(biāo)稱輸入電壓，并提供非對稱輸出電壓選擇（+15 V/-5 V、+15 V/-9 V和 +20 V/-5 V 輸出），以支持具有最高系統(tǒng)效率和最少電磁干擾 （EMI） 的最優(yōu)驅(qū)動(dòng)電平。表面貼裝封裝簡化了與柵極驅(qū)動(dòng)器的物理集成，可實(shí)現(xiàn)更緊密的布局，從而降低布線的復(fù)雜性，同時(shí)最大限度減少 EMI 或射頻干擾 （RFI） 的拾取。
MGJ2 系列被指定用于滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器中使用的電橋電路所需的高隔離度和 dV/dt 要求，其工業(yè)級額定溫度和結(jié)構(gòu)提供了長使用壽命和高可靠性。其他關(guān)鍵屬性包括：
- 增強(qiáng)型絕緣，符合 UL62368 認(rèn)證要求（申請中）
- ANSI/AAMI ES60601-1 認(rèn)證（申請中）
- 5.7 kV DC 絕緣測試電壓（根據(jù)“高壓測試”）
- 超低的隔離電容
- 工作溫度高達(dá) +105°C（降額）
- 短路保護(hù)
- 特征化的共模瞬變抗擾度 （CMTI） 》200 kV/μs
- 2.5 kV 的連續(xù)隔離耐壓性能
- 特征化的局部放電性能
以下兩個(gè)單元展示了 MGJ2 系列可提供的性能范圍：
? MGJ2D152005MPC-R7 接受 15 V 標(biāo)稱輸入（13.5 V 至 16.5 V），并提供高度非對稱的 +20 V 和 -5.0 V 輸出，每路電流高達(dá) 80 mA。主要規(guī)格包括：兩路輸出分別具有 9% 和 8% 的負(fù)載調(diào)整率（最大值），紋波和噪聲低于 20/45 mV（典型值/最大值），效率為 71/76%（最小值/典型值），隔離電容僅為 3 pF，平均故障時(shí)間 （MTTF） 約為 1100 kHr（使用 MIL-HDBK-217 FN2 確定）和 43，500 kHr（根據(jù) Telecordia SR-332 計(jì)算模型）。
? MGJ2D121509MPC-R7 采用 12 V 標(biāo)稱輸入電壓（10.8 V 至 13.2 V），并提供非對稱的 +15 V 和 -9.0 V 輸出，每路電流同樣高達(dá) 80 mA。其他主要規(guī)格包括：+15 V 輸出具有 8%/13% 的負(fù)載調(diào)整率（典型值/最大值），-9.0 V 輸出具有 7%/12% 的負(fù)載調(diào)整率（典型值/最大值），紋波和噪聲低于 20/45 mV（典型值/最大值），效率為 72/77%（最低值/典型值），隔離電容為 3 pF，MTTF 約為 1550 kHr（使用 MIL-HDBK-217 FN2 確定）和 47，800 kHr（根據(jù) Telecordia 模型）。
除了詳細(xì)說明靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能的預(yù)期列表和圖表外，該系列成員的通用規(guī)格書還列出了這些轉(zhuǎn)換器符合的許多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和監(jiān)管規(guī)定，以及用于確定這些因素的相關(guān)測試條件的全面細(xì)節(jié)。這不僅提高了產(chǎn)品的可信度，在具有嚴(yán)格合規(guī)性要求的應(yīng)用中還能加速產(chǎn)品認(rèn)證。
總結(jié)
為開關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇合適的 MOSFET 或 IGBT 器件是設(shè)計(jì)過程中的一個(gè)重要步驟。此外，還要選擇相關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器，用于控制開關(guān)器件在開和關(guān)的狀態(tài)之間快速利落地翻轉(zhuǎn)。反過來，驅(qū)動(dòng)器需要一個(gè)合適的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為其提供工作電源。如前所示，Murata 的 MGJ2 系列 2 W 表面貼裝 DC/DC 轉(zhuǎn)換器不僅提供了所需的電氣性能，還能滿足這一功能所需的許多復(fù)雜的安全和監(jiān)管規(guī)定。
工商網(wǎng)監(jiān)
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