PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件,為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù),可提供高達(dá)100W的功率,效率超過93%,因而無需散熱片,并可簡(jiǎn)化空間受限型應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)。
2023-03-31 02:10:003363 基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)替代傳統(tǒng)光耦,并具有豐富的開關(guān)選項(xiàng),高度集成的開關(guān)IC集成了功率開關(guān)、保護(hù)、反饋和同步整流,可以穩(wěn)定輸出電壓和電流,提升整體電源效率。
2023-11-02 11:42:39225 氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
(86) ,因此在正常體溫下,它會(huì)在人的手中融化。
又過了65年,氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代,制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物,氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
數(shù)據(jù)中心),或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備,均可受益于氮化鎵等技術(shù),從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。)
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尋找理想開關(guān)
任何電源管理系統(tǒng)的核心
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點(diǎn);納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過高頻實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對(duì)于氮化鎵快充普及浪潮的來臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個(gè)家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網(wǎng)獲得電力的設(shè)備(從智能手機(jī)充電器到數(shù)據(jù)中心),或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備,均可受益于氮化鎵等技術(shù),從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。)
2020-11-03 08:59:19
的選擇?! ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì),使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近,氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出,成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì),是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。MACOM估計(jì),采用0.1美元/千瓦時(shí)的平均能量率模型時(shí),僅將一年內(nèi)部署的新大型基站轉(zhuǎn)換為MACOM硅基氮化鎵技術(shù)一項(xiàng)便可節(jié)省超過1億美元的費(fèi)用。 新時(shí)代 硅基氮化鎵從早期研發(fā)到商業(yè)規(guī)模
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
的轉(zhuǎn)換器。在氮化鎵(GaN)功率FET的早期階段,故障很常見。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求,更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對(duì)寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個(gè)600V GaN功率級(jí)樣品時(shí),我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
靈活應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關(guān)電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓?jiǎn)?dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
數(shù)量,實(shí)現(xiàn)了高度集成的充電器設(shè)計(jì)。鈺泰半導(dǎo)體ETA80G25采用SSOP10封裝,內(nèi)置650V耐壓,850mΩ D-mode氮化鎵開關(guān)管。內(nèi)部開關(guān)管漏極連接大面積銅箔散熱,可實(shí)現(xiàn)良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求
2021-11-28 11:16:55
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例:高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例:高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例;高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
不同,MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì),采用硅來做氮化鎵襯底,與碳化硅基氮化鎵相比,硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
多個(gè)方面都無法滿足要求。在基站端,由于對(duì)高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
系列光隔離探頭現(xiàn)場(chǎng)條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長(zhǎng)線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)?,F(xiàn)場(chǎng)連接圖如下:▲圖1:接線
2023-01-12 09:54:23
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹:NV6115氮化鎵MOS,是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
DER-937是一款采用高度集成的升壓PFC和氮化鎵反激式開關(guān)IC設(shè)計(jì)的100W USB PD充電器,總共僅使用117個(gè)元件深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power
2021-11-10 17:34:53
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關(guān)電源特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓?jiǎn)?dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:31:57
搭載高通(Qualcomm?) Quick Charge? 5技術(shù)的通用型氮化鎵電源適配器可在5分鐘內(nèi)將智能手機(jī)的電量從0%充至50%高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商
2021-08-12 10:55:49
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
碳化硅(SiC)和硅上氮化鎵(GaN-on-Si)。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車市場(chǎng)中占有一席之地。與Si IGBT相比,SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度(SiC-on-SiC)和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
極限。而上限更高的氮化鎵,可以將充電效率、開關(guān)速度、產(chǎn)品尺寸和耐熱性的優(yōu)勢(shì)有機(jī)統(tǒng)一,自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加,采用氮化鎵技術(shù)除了能滿足能量需求,還可以有效降低碳排放。事實(shí)上,氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV,而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如,一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
流,但隨著5G的到來,砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì) 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計(jì)的伺服驅(qū)動(dòng)器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動(dòng)的GaN FET功率級(jí)芯片
2019-03-14 06:45:08
受到市場(chǎng)相當(dāng)不錯(cuò)的回響,應(yīng)用需求也越來越多。近年來在消費(fèi)性電源領(lǐng)域引發(fā)話題的手機(jī)快速充電、USB-PD等技術(shù),就是氮化鎵組件可以大展身手的舞臺(tái)。和電動(dòng)車的情況類似,快速充電也是智能型手機(jī)或便攜設(shè)備
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲?。篘V6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對(duì)測(cè)試過程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景:3C消費(fèi)類產(chǎn)品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。測(cè)試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
的測(cè)試,讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題,泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課,氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
,在這種電壓下,氮化鎵的性能要打很大折扣,”Huang說道,“氮化鎵的高成本是阻止其進(jìn)入消費(fèi)電子領(lǐng)域的另一個(gè)障礙。如果將來智能手機(jī)的前端可以采用更高的電壓供電,那么氮化鎵技術(shù)或許是一個(gè)很好的備選項(xiàng),當(dāng)然
2016-08-30 16:39:28
氮化鎵開關(guān)管來取代,一顆頂四顆,并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過使用氮化鎵開關(guān)管來減少硅MOS管的數(shù)量,還可以減小保護(hù)板的面積,使保護(hù)板可以集成到主板上,節(jié)省一塊PCB,降低整體成本。儲(chǔ)能電源儲(chǔ)能電源通常
2023-02-21 16:13:41
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇 驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動(dòng)硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異?! ◎?qū)動(dòng)氮化鎵E-HEMT不會(huì)消除任何
2023-02-21 16:30:09
功率,降額使用。
PI官方的資料顯示,INN3378C屬于InnoSwitch3-Pro家族,它采用了PI獨(dú)家的PowiGaN技術(shù),也就是內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件,相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大
2023-06-16 14:05:50
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1:氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體,于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面,起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年,專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì),被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
,整合優(yōu)勢(shì)資源,讓客戶更加方便地用上氮化鎵技術(shù),獲得氮化鎵低開關(guān)損耗、高效率的優(yōu)勢(shì),降低充電器的能耗,節(jié)能減排助力“3060雙碳”戰(zhàn)略。茂睿芯年初發(fā)布了業(yè)界最小體積SOT23-6的高頻QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
無可爭(zhēng)議的冠軍。它已經(jīng)在雷達(dá)和5G無線技術(shù)中得到了應(yīng)用,很快將在電動(dòng)汽車的逆變器中普及。你甚至可以買到基于氮化鎵的USB壁式充電器,它們體積小且功率非常高。不過,還有比它更好的東西嗎?有能讓射頻放大器變得
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
Power Integrations(PI)于2019年7月27日發(fā)布了結(jié)合PowiGaN技術(shù)的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC,利用GaN(氮化鎵)技術(shù)
2020-01-02 15:34:204077 。以首發(fā)PI最新 PowiGaN 芯片 InnoSwitch4-CZ 系列的 Anker 65W超能充為例,上市不到兩個(gè)月,單品就已豪取五千以上評(píng)價(jià)。 便攜小巧、充電快速、散熱性佳……評(píng)價(jià)的優(yōu)點(diǎn)也正是 PowiGaN 系列芯片的特點(diǎn)。 在氮化鎵快充產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中,主要需要用到三顆核心芯片,分別
2021-08-06 10:32:135340 、適配器和敞開式電源。 哪些 PI InnoSwitch 產(chǎn)品采用 PowiGaN 技術(shù)? 基于 PowiGaN的 IC 在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率高達(dá) 95%,在封閉式適配器不需散熱
2021-09-07 11:21:321632 PI邀請(qǐng)您參加21ic主辦的PI專場(chǎng)線上研討會(huì),我們的技術(shù)專家將為您介紹PI的高集成電源芯片InnoSwitch3系列產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì),助您實(shí)現(xiàn)USB PD快充充電器的小型化設(shè)計(jì)。并利用PI
2021-10-25 17:20:491142 USB PD快充是目前主流的快充協(xié)議,而USB Type-C接口也在手機(jī)和筆記本上廣泛應(yīng)用,USB Type-C接口內(nèi)置USB PD快充協(xié)議的通信線,并且支持USB PD標(biāo)準(zhǔn)的電壓與電流,USB Type-C接口是USB PD快充協(xié)議的主流載體,所以說USB PD和USB Type-C是一套相輔相成的關(guān)系。
2021-12-27 15:19:551199 PI公司的HiperPFS-5功率因數(shù)校正IC內(nèi)部集成750V PowiGaN氮化鎵開關(guān),在無需散熱片的情況下可提供高達(dá)240W的輸出功率,并可實(shí)現(xiàn)優(yōu)于0.98的功率因數(shù)。
2022-11-11 11:03:17530
評(píng)論
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