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產(chǎn)品指南
基本信息介紹
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圖 IS6608A的基本規(guī)格信息
? IS6608A，國(guó)內(nèi)首顆為CPU供電的多相并聯(lián)電源芯片，是兼容 PMBusTM?接口的高頻同步降壓變換器。其采用4mm x 5mm FCQFN-25封裝，在寬輸入范圍內(nèi)每相可實(shí)現(xiàn)高達(dá)30A的輸出電流，最多可支持8顆芯片并聯(lián)實(shí)現(xiàn)峰值240A的輸出電流。在大電流應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)，IS6608A可實(shí)現(xiàn)極好的電流共享和相位交錯(cuò)功能，可最大限度地減少現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)外部元器件的使用。
圖 IS6608A典型電路圖
? IS6608A可以根據(jù)終端使用場(chǎng)景的多樣化進(jìn)行修改GUI、外圍電路配置，為更加快速便捷幫助客戶(hù)完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)導(dǎo)入，本文章將系統(tǒng)闡述IS6608A的使用說(shuō)明及布局建議，簡(jiǎn)單明了的向廣大讀者介紹該芯片在使用過(guò)程中的注意事項(xiàng)。
GUI使用說(shuō)明
? IS6608A GUI是長(zhǎng)工微自主研發(fā)、用于配套IS6608A設(shè)計(jì)的圖形用戶(hù)界面軟件工具，可以幫助用戶(hù)更加快捷、直觀地調(diào)試內(nèi)部配置。IS6608A GUI遵循PMBUS協(xié)議，與IS6608A之間通過(guò)USB-to-I2C（dongle）進(jìn)行交互。
圖 IS6608A GUI 軟件使用界面
1.GUI寫(xiě)入與燒錄步驟
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步驟1：點(diǎn)擊SCAN,掃描查找已建立通訊的地址
步驟2：選擇所需通訊地址
步驟3：選擇所需操作分類(lèi)
步驟4：在操作區(qū)中修改數(shù)據(jù)
步驟5：將修改后的數(shù)據(jù)寫(xiě)入芯片內(nèi)
步驟6：點(diǎn)擊STORE,將芯片的數(shù)據(jù)燒錄入MTP中
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2.輸出電壓調(diào)整
? VOUT COMMAND與VOUT_SCALE_LOOP用于設(shè)置VFB電壓，公式為：
? 舉例Rtop=2kΩ，Rbottom=6kΩ，VOUT=0.8V的應(yīng)用，其輸出電壓步驟如下所示：
①根據(jù)Rtop=2kΩ，Rbottom=6kΩ，則VOUT_SCALE_LOOP=6kΩ/(2kΩ+6kΩ)=0.75；
②VOUT=0.8V，VOUT COMMAND=0.8V；
③點(diǎn)擊UPDATE，將數(shù)據(jù)寫(xiě)入寄存器；
④點(diǎn)擊Store，將寄存器中的數(shù)據(jù)存入MTP，此時(shí)VFB=0.8V*0.75=0.6V。
3.VOUT數(shù)值的讀取
? 芯片中VOUT電壓讀取的實(shí)際讀取數(shù)值為VFB電壓，如果需要Detection中顯示正確的輸出電壓，則需要將VOUT COMMAND與VOUT_SCALE_LOOP配置正確才可以顯示正確數(shù)值。
? 舉例Rtop=2kΩ，Rbottom=6kΩ，VOUT=0.8V的應(yīng)用，其讀取輸出電壓步驟如下所示：
①根據(jù)Rtop=2kΩ，Rbottom=6kΩ，則VOUT_SCALE_LOOP=6kΩ/(2kΩ+6kΩ)=0.75；
②VOUT=0.8V，VOUT COMMAND=0.8V；
③點(diǎn)擊UPDATE，將數(shù)據(jù)寫(xiě)入寄存器；
④此時(shí)點(diǎn)擊Detection，即可在GUI上讀取到正確的VOUT電壓。
注意：外部VFB分壓電阻精度會(huì)影響VOUT讀取的準(zhǔn)確性。
? IS6608A具備完善的保護(hù)功能，包括過(guò)流保護(hù)（OCP），負(fù)向過(guò)流保護(hù)（NOCP），過(guò)壓保護(hù)（OVP），欠壓鎖定（UVLO）和過(guò)溫保護(hù)（OTP）等其他保護(hù)機(jī)制，用來(lái)在發(fā)生故障或意外動(dòng)作并造成異常時(shí)，保護(hù)芯片不被損壞。
4.OTP保護(hù)模式設(shè)置
? 最新版本IC的OTP默認(rèn)保護(hù)溫度146℃，保護(hù)模式可在Latch和Retry【包括RETRY的遲滯溫度】中選擇，默認(rèn)為L(zhǎng)atch。下圖為修改步驟：
5.OCP保護(hù)模式的設(shè)置
? 默認(rèn)DC保護(hù)電流32.66A，保護(hù)模式可在Latch和Retry【包括Retry的Hiccup Time】中選擇，默認(rèn)為L(zhǎng)atch。下圖為修改步驟：
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6.OVP保護(hù)模式的設(shè)置
? 默認(rèn)過(guò)壓保護(hù)值為130%*Vref，保護(hù)模式可在Latch和Retry【包括Retry的恢復(fù)電壓和保護(hù)方式】中選擇，默認(rèn)為L(zhǎng)atch。下圖為修改步驟：
? OVP共有4種響應(yīng)方式可供選擇，分別為L(zhǎng)atch & Hiccup和w/Vo DISC & w/o Vo DISC，具體區(qū)分如下：?
Latch:過(guò)壓后掉電鎖死，需手動(dòng)重啟；
Hiccup:觸發(fā)過(guò)壓保護(hù)后會(huì)下降至OVP Recovery Level 所設(shè)置電壓后重新上電；
w/Vo DISC:當(dāng)觸發(fā)過(guò)壓保護(hù)后，使用Vo Discharg功能將輸出電壓拉低；
w/o Vo DISC:當(dāng)觸發(fā)過(guò)壓保護(hù)后，不使用Vo Discharg功能將輸出電壓拉低。
7.芯片工作頻率和模式的設(shè)置
? 默認(rèn)工作頻率為800kHz，默認(rèn)工作模式為FCCM，下圖為功能設(shè)置所在分類(lèi):
走線/布局建議
? IS6608A外圍包含多種功能引腳配置，對(duì)IC走線和元件的放置有較高的要求。良好的外圍走線/布局能有效地影響芯片的工作效率和穩(wěn)定性，此外，外圍電路還可以提供良好的電磁兼容性、降低噪聲及抗干擾能力。
? 值得注意的是，在沒(méi)有特定需求情況下，GUI不是用戶(hù)使用IS6608A的必需品，但走線/布局是用戶(hù)需重點(diǎn)注意的使用內(nèi)容之一。走線/布局建議如下：
1.多相并聯(lián)時(shí)每相ISHR引腳近端需要放3K電阻；
2.芯片正下方及芯片VIN/GND引腳近端/覆銅盡可能放置足夠數(shù)量的VIA；
3.兩個(gè)VIN引腳近端放置1uF 0402小電容濾波；
4.敏感走線【如VFB-RGND/SYNC/ISHR/VC】需要避開(kāi)干擾信號(hào)【如SW/BST/VIN】放置；
5.BST回路盡可能短；
6.VCC/VDRV電容盡量靠近引腳同層放置；
7.ISET/ADDR/ADDPH電阻盡可能靠近引腳放置且需要使用1%精度電阻；
審核編輯：劉清
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論