影響?正向?qū)妷?V為正溫度系數(shù)F應(yīng)用?太陽能升壓器?逆變器續(xù)流反并聯(lián)二極管器件編號(hào) 封裝 IV1D12010T2 TO247-2 ?維也納三相 PFC 整流變換器?AC/DC 變換器?開關(guān)電源
2020-03-13 13:42:49
恢復(fù)二極管兩種：采用先進(jìn)的擴(kuò)鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時(shí)間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)?！ √蓟?b class="flag-6" style="color: red">二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點(diǎn)在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
了參數(shù)的一致性。肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，肖特基二極管被廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)器等電路，作為低壓、高頻、大電流
2018-10-19 11:44:47
整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。因此，D92-02特別適用于輸出電壓在12V左右的小功率輔助電源電路。 開關(guān)電源中的整流二極管采用D92-02快恢復(fù)二極管的具體原因如下：1、因?yàn)橹挥蠨92-02快恢復(fù)
2021-09-09 16:34:24
開關(guān)電源輸出整流肖特基二極管并聯(lián)的RC是吸收紅色框里的那段振蕩嗎？ 下圖是用示波器測得二極管兩端的電壓
2017-05-01 17:16:12
開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss,有的可高達(dá)650V的擊穿電壓，使LLC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-03 11:00:50
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)與陣列式區(qū)別： 亮度：第三代陣列式將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過一個(gè)透鏡來進(jìn)行光傳遞，是通過將幾十個(gè)高效率和高功率的晶元通過高科技封裝在一個(gè)平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
肖特基二極管在開關(guān)電源的作用是什么，一般開關(guān)電源的后面都會(huì)有這樣的二極管，謝謝。比如圖上的二極管，解釋下它的作用什么，謝謝大家
2017-03-28 19:59:58
肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管使用。 MBR系列所具有的關(guān)鍵優(yōu)勢如下： ?MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)
2016-04-11 11:53:55
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件. 肖特基二極管：反向耐壓值較低40V-50V，通態(tài)壓降
2019-01-08 13:56:57
肖特基二極管分貼片和插件這兩種類別，一種是常見三個(gè)腳的肖特基二極管，印字是“例：MBR20100FCT”，符號(hào)是 “ ”；第二種是貼片肖特基二極管，貼片肖特基二極管的印字多數(shù)是用型號(hào)來做印字
2021-07-09 11:45:01
、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管以及小信號(hào)檢波，主要用在低電壓、大電流的電路中，如驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)電源、變頻器、逆變器等電路。對(duì)于點(diǎn)接觸型肖特基二極管，主要用于微波通信電路。 另外，還有一種鋁硅肖特基二極管，除
2019-01-03 13:36:59
的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，超高速！電特性當(dāng)然都是二極管。快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。
2016-04-19 14:29:35
的條件下會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài)，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩(wěn)壓作用。肖特基二極管正向壓降小，關(guān)斷速度快，多用于開關(guān)電源做整流用。穩(wěn)壓二極管不考慮正向使用，總是反向使用在擊穿狀態(tài)，需要考慮的是穩(wěn)壓
2020-09-25 15:38:08
,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件. 肖特基二極管：反向耐壓值較低(一般小于150V)，通態(tài)壓降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢復(fù)
2015-11-27 18:02:58
加直流電壓時(shí)的值。用于直流電路，最大直流反向電壓對(duì)于確定允許值和上限值是很重要的。7.最高工作頻率fM：由于PN結(jié)的結(jié)電容存在，當(dāng)工作頻率超過某一值時(shí)，它的單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性將變差。肖特基二極管的fM值較高
2022-01-24 11:27:53
，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。三、額定電流IF：指肖特基二極管長期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-05-31 17:17:19
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn)，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性的非線性器件。[編輯本段]特點(diǎn) SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于
2017-10-19 11:33:48
?肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件
2021-11-16 17:02:37
肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)：肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
MDD肖特基二極管的最高結(jié)溫。四、小于MDD肖特基二極管的正向額定電流IF。五、對(duì)于比較苛刻的環(huán)境，為了保證可靠性，MDD肖特基二極管應(yīng)降額使用。六、肖特基二極管的代換盡量選用原型號(hào)、因?yàn)椴煌男吞?hào)的肖特基正向壓降VF和反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR都不同。肖特基二極管規(guī)格書下載：?
2021-06-15 15:33:58
已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關(guān)速度非?？欤悍聪蚧謴?fù)時(shí)間trr特別地短。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。二
2016-03-22 14:55:18
-SBD后，提高效率，除了減少耗電，更重要的是降低器件溫度，減少散熱成本，提高了至關(guān)重要的系統(tǒng)可靠性。在新能源汽車興起之前，服務(wù)器電源PFC-度是肖特基二極管最主要的市場。這個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">可靠性的要求較高，已經(jīng)
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
都是根據(jù)這兩個(gè)工作點(diǎn)計(jì)算的。然而，肖特基二極管的快速開關(guān)也會(huì)引起功耗，其表現(xiàn)形式為在開關(guān)期間出現(xiàn)的電壓和電流?！ 》聪蚧謴?fù)也會(huì)引起功耗，這與SiC等新型半導(dǎo)體材料的技術(shù)發(fā)展有關(guān)。有許多不同類型的半導(dǎo)體
2019-02-21 13:39:32
除了型號(hào)，外形上一般沒什么區(qū)別，但可以測量正向壓降進(jìn)行區(qū)別，直接用數(shù)字萬用表測（小電流）普通二極管在0.5V以上，肖特基二極管在0.3V以下，大電流時(shí)普通二極管在0.8V左右，肖特基二極管在0.5V
2019-06-12 04:20:33
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58
開關(guān)電源(開關(guān)模式電源，SMPS)或電源整流器內(nèi)部的交流至直流轉(zhuǎn)換，以及直流電壓轉(zhuǎn)換；2)阻止直流電流和相反極性的直流的反向流動(dòng)，例如當(dāng)電池插入不正確時(shí)。由于其較高的開關(guān)速度，肖特基二極管主要用于高達(dá)微波
2017-04-19 16:33:24
截止時(shí)形成一個(gè)諧振電路，它可導(dǎo)致。因此，有必要在電源輸出中設(shè)置RC緩沖器以保護(hù)管子的安全。另外RC網(wǎng)絡(luò)還可以減少輸出噪音，減少管子的熱耗，提高產(chǎn)品的效率和可靠性。肖特基二極管規(guī)格書下載：?
2021-08-11 14:05:26
設(shè)計(jì)出好的開關(guān)電源，你就必須知道每一個(gè)開關(guān)電源上的每一個(gè)元器件的名稱，功能和特性。而這，也是今天ASEMI要隆重推出的一個(gè)主題：教你熟透開關(guān)電源設(shè)計(jì)的各種元器件。ASEMI主營整流橋和二極管，所以
2018-11-03 11:21:21
，肖特基二極管MBR20100FCT是最佳選擇（由于此時(shí)反向耐壓低），另外肖特基二極管MBR20100FCT的正向壓降VF和結(jié)溫TJ呈現(xiàn)負(fù)溫度系數(shù)，所以其制造的開關(guān)電源效率高，溫升低、噪音低、可靠性高。
2021-10-08 16:35:18
輸出，就算是這樣開關(guān)電源上的整流管的溫度還是很高的。 MBR60100PT參數(shù)描述型號(hào)：MBR60100PT封裝：TO-247/3P特性：肖特基二極管電性參數(shù)：60A 100V芯片材質(zhì)：SI正向電流
2021-11-08 15:33:04
小得多。此外，它的恢復(fù)時(shí)間很短，可以達(dá)到幾納秒。肖特基二極管多用作高頻、低壓、大電流的整流二極管（如驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)電源、變頻器、逆變器）、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也可用于微波通信等電路中用作整流二極管
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
編輯-Z為什么說MBR20100FCT-ASEMI是開關(guān)電源常用肖特基二極管？開關(guān)電源不同于線性電源。開關(guān)電源中使用的大多數(shù)開關(guān)晶體管在全導(dǎo)通模式（飽和區(qū)）和全閉模式（截止區(qū)）之間切換。兩種模式都
2021-11-23 16:19:25
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是反向恢復(fù)時(shí)間極短，最小可以到達(dá)幾nS，而且它的正向?qū)▔航祪H0.4V左右。普遍用于用于大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管場合。有些開關(guān)電源需要用到肖特基二極管。 `
2019-04-15 12:03:20
電壓保護(hù)。肖特基二極管的低正向下降使它們在太陽能電路中具有高能效。箝位: 在晶體管箝位電路中，用肖特基二極管作為開關(guān)二極管。為了箝位，肖特基二極管連接在集電極和驅(qū)動(dòng)晶體管的基極之間。當(dāng)開啟時(shí)，肖特基
2022-03-19 22:39:23
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應(yīng)用于有六級(jí)能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達(dá)到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-24 15:00:32
時(shí)間短，速度快，正向?qū)▔航狄残。猿Ｓ脕碜?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)電源整流。MDD二極管依靠領(lǐng)先技術(shù)，高素質(zhì)人才和國內(nèi)領(lǐng)先的生產(chǎn)檢驗(yàn)設(shè)備，不斷推出更好的低VF肖特基，且一貫注重產(chǎn)品質(zhì)量和信譽(yù)，精益求精，并能夠保證產(chǎn)品在付款后當(dāng)天或隔天內(nèi)發(fā)貨，為需求群體提供滿意的服務(wù)，優(yōu)良產(chǎn)品和完善的售后服務(wù)。低壓降肖特基二極管規(guī)格書下載：
2020-10-28 16:49:06
，判定被測管為共陰對(duì)管，①、③腳為兩個(gè)陽極，②腳為公共陰極。第二，因①?②、③?②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性。第三，內(nèi)部兩只肖特基二極管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V
2018-12-10 15:19:35
200V?！ ?、肖特基二極管比普通的二極管通過的電流強(qiáng)?！ ?、肖特基二極管比普通二極管的結(jié)電容小?！ ?、肖特基二極管可以通過高頻電流?！ 【C合以上區(qū)別可以說肖特基二極管比普通二極管功能性更好，適用廣泛。`
2018-11-05 14:29:49
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用SiC肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因數(shù)校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著降低
2023-02-07 15:59:32
，中間的為空腳，一般在出廠時(shí)剪掉，但也有不剪的。 2.若在對(duì)管中有一只管子破壞，則可作單管使用?！ ?.在彩色電視機(jī)和多頻顯示器的開關(guān)電源的輸出電路和行輸出電路中，整流肖特基二極管和行輸出阻尼二極管大都
2018-12-05 11:54:21
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-16 14:56:38
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-20 15:22:29
是近年來問世的新型半導(dǎo)體器件，它具有開關(guān)特性好，反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優(yōu)點(diǎn)。可作高頻、大電流的整流、續(xù)流二極管，在開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間電源(UPS)、高頻加熱
2015-10-19 11:26:11
快恢復(fù)二極管，它具有開關(guān)特性好，反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優(yōu)點(diǎn)?？勺鞲哳l、大電流的整流、續(xù)流二極管，在開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間電源(UPS)、高頻加熱、交流電
2022-03-31 10:04:12
），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關(guān)電源。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~！前者的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-15 15:45:54
流IR也同樣得到大幅改善。普通肖特基勢壘二極管的特性存在一種矛盾關(guān)系，即當(dāng)試圖降低正向電壓時(shí)，漏電流就會(huì)增加。第三代SiC-SBD不僅繼承了正向電壓低的特點(diǎn)，還通過采用JBS結(jié)構(gòu)而大幅降低了漏電
2018-12-03 15:11:25
，即在開關(guān)電源(開關(guān)模式電源，SMPS)或電源整流器內(nèi)部的交流至直流轉(zhuǎn)換，以及直流電壓轉(zhuǎn)換； 2、阻止直流電流和相反極性的直流的反向流動(dòng)，例如當(dāng)電池插入不正確時(shí)。由于其較高的開關(guān)速度，肖特基二極管
2018-10-19 15:25:32
0.4V擺布。其做工比通常二極管要精細(xì)復(fù)雜，報(bào)價(jià)也要貴，但在外在體現(xiàn)功能上與通常二極管是類似的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管與通常的PN結(jié)二極管不同：是運(yùn)用N型半導(dǎo)體資料與金屬在一起聯(lián)系構(gòu)成金屬一半導(dǎo)體結(jié)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基
2018-10-17 15:45:12
肖特基二極管特性肖特基二極管最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管（比如開關(guān)電源次極整流二極管），續(xù)流二極管
2016-04-19 14:24:47
特性肖特基二極管最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管（比如開關(guān)電源次極整流二極管），續(xù)流二極管、保護(hù)二極管
2015-10-08 15:52:46
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的?？旎謴?fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。
2019-05-21 06:20:44
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
，Littelfuse最近推出了兩個(gè)全新產(chǎn)品系列：MBR和DST功率半導(dǎo)體。MBR系列的整流二極管基于硅上肖特基二極管技術(shù)，不僅具有低漏電流，且提供高溫電阻和低正向電壓。它們非常適合用于高頻開關(guān)電源、續(xù)流
2018-11-06 13:48:58
250V左右。對(duì)于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓?！ 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
有廣泛的應(yīng)用前景。 受限于硅材料的特性，商用硅基肖特基二極管最高耐壓在200V左右，在現(xiàn)有技術(shù)平臺(tái)下，高電壓（300V以上）硅基肖特基二極管無法在正向特性、可靠性和成本等因素上達(dá)到平衡，致使其無法
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?！ √蓟杈哂休d流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
、RBR2LAM60B、RBR2LAM60A、RBR1LAM60A系列肖特基二極管具有可靠性高、功耗小、正向壓降小、反向峰值電流大等特點(diǎn)，特別適合用于整流電路上。RBR5LAM60A、RBR3LAM60B
2019-04-18 03:48:05
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07
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Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
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