儲能逆變器的作用不僅有利于提升儲能系統(tǒng)的效率及運行穩(wěn)定性,而且也是整個儲能系統(tǒng)中多種信息傳遞與處理、實時人機交互的信息平臺,是非常關(guān)鍵設(shè)備。
德業(yè)股份逆變器
逆變器是儲能的心臟。儲能逆變器的首要功能是把直流轉(zhuǎn)為生活需要的交流電,而實現(xiàn)該功能的核心元件是功率半導(dǎo)體(例如IGBT和MOSFET)。
這些功率半導(dǎo)體每秒可以開關(guān)數(shù)千、甚至幾萬次,再通過控制信號把握電路變化,將直流電轉(zhuǎn)化為正弦交流電。
通過統(tǒng)計分析陽光電源、固德威、錦浪科技等逆變器知名企業(yè)等,結(jié)構(gòu)件占成本23%的比例,IGBT、MOS占成本比20%,磁性元器件占成本比17%,芯片集成電路占成本比10%等,其中逆變器里IGBT、芯片集成電路、電容、傳感器、PCB板等產(chǎn)品都屬于電力電子領(lǐng)域。
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數(shù)據(jù)來源:陽光電源、固德威、錦浪科技、嗶哥嗶特產(chǎn)業(yè)研究室
由此可見,電力電子器件占據(jù)逆變器46%的成本,是主要組成部分。
因此,值得關(guān)注的是,儲能逆變器內(nèi)使用的半導(dǎo)體器件有:IGBT、MOS管、MCU、電源管理芯片、電容、PCB板等,其中IGBT、MOS管、電源管理IC在儲能逆變器里占比高、數(shù)量多,是必不可少的器件。
逆變器拆解圖
可以預(yù)測,隨著儲能景氣度提升將帶動逆變器里半導(dǎo)體器件需求量,未來對于布局儲能市場的半導(dǎo)體器件企業(yè)是一個大機會。
1.IGBT
IGBT在儲能領(lǐng)域的主要作用就是變壓、變頻、交變轉(zhuǎn)換等,是儲能應(yīng)用中不可缺少的器件。
IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的「CPU」。
IGBT競爭格局
由于IGBT對設(shè)計及工藝要求較高,而國內(nèi)缺乏IGBT相關(guān)技術(shù)人才、工藝基礎(chǔ)薄弱且企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚,因此IGBT市場長期被大型國外跨國企業(yè)壟斷。
自2015年以來,我國IGBT自給率超過10%并逐漸增長,預(yù)計2024年我國IGBT自給率將達40%?;趪蚁嚓P(guān)政策中提出核心元器件國產(chǎn)化的要求,國產(chǎn)替代成為國內(nèi)IGBT行業(yè)的發(fā)展趨勢。
目前,國內(nèi)IGBT市場主要由英飛凌、三菱電機、富士電機等海外廠商占據(jù)。中國IGBT市場占比前三的分別是英飛凌、三菱電機和富士電機。其中占比最高的是英飛凌,為15.9%。
2.MOS管
mos管是一種具有絕緣柵的FET,其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點,如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以mos管可以稱為FET的高級形式。
mos管常用于切換或放大信號。隨著施加的電壓量改變電導(dǎo)率的能力可用于放大或切換電子信號。
mos管是迄今為止數(shù)字電路中最常見的晶體管,因為內(nèi)存芯片或微處理器中可能包含數(shù)十萬或數(shù)百萬個晶體管。
由于它們可以由 p 型或 n 型半導(dǎo)體制成,互補的 MOS 晶體管對可用于以CMOS邏輯的形式制造具有非常低功耗的開關(guān)電路。
在數(shù)字和模擬電路中,mos管現(xiàn)在甚至比BJT更常見。
3.電源管理芯片
電源管理芯片是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔負起對電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責(zé)的芯片。主要負責(zé)識別CPU供電幅值,產(chǎn)生相應(yīng)的短矩波,推動后級電路進行功率輸出。
主要電源管理芯片有的是雙列直插芯片,而有的是表面貼裝式封裝,其中HIP630x系列芯片是比較經(jīng)典的電源管理芯片,由著名芯片設(shè)計公司Intersil設(shè)計。
它支持兩/三/四相供電,支持VRM9.0規(guī)范,電壓輸出范圍是1.1V-1.85V,能為0.025V的間隔調(diào)整輸出,開關(guān)頻率高達80KHz,具有電源大、紋波小、內(nèi)阻小等特點,能精密調(diào)整CPU供電電壓。
常用電源管理芯片有HIP6301、IS6537、RT9237、ADP3168、KA7500、TL494等。
所有電子設(shè)備都有電源,但是不同的系統(tǒng)對電源的要求不同。為了發(fā)揮電子系統(tǒng)的最佳性能,需要選擇最適合的電源管理方式。
電源管理的范疇比較廣,既包括單獨的電能變換(主要是直流到直流,即DC/DC),單獨的電能分配和檢測,也包括電能變換和電能管理相結(jié)合的系統(tǒng)。
相應(yīng)的,電源管理芯片的分類也包括這些方面,比如線性電源芯片、電壓基準芯片、開關(guān)電源芯片、LCD驅(qū)動芯片、LED驅(qū)動芯片、電壓檢測芯片、電池充電管理芯片等。
4.PCB板
印制電路板,簡稱PCB,又稱為印制線路板、印刷電路板、印刷線路板。
通常把在絕緣基材上,按預(yù)定設(shè)計制成印制線路、印制元件或兩者組合而成的導(dǎo)電圖形稱為印制電路,而在絕緣基材上提供元器件之間電氣連接的導(dǎo)電圖形,稱為印制線路。
細分產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
目前,我國印刷電路板細分產(chǎn)品主要包括多層板、軟板、HDI(高密度連接板)、雙面板、單面板、封裝基板六大類型。
數(shù)據(jù)顯示,我國印刷電路板細分產(chǎn)品中多層板占比最大,達45.97%,遠超其他產(chǎn)品;其次是軟板,占比達16.68%;HDI占比為16.59%。此外,雙面板、單面板、封裝基板的占比分別為11.34%、6.13%、3.29%。
中國印刷電路板細分產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
5.MCU
MCU芯片是指微控制單元(MicrocontrollerUnit;MCU),又稱單片微型計算機或者單片機,是把中央處理器的頻率與規(guī)格做適當縮減,并將內(nèi)存、計數(shù)器、USB、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等周邊接口,甚至LCD驅(qū)動電路都整合在單一芯片上,形成芯片級的計算機,為不同的應(yīng)用場合做不同組合控制,所以MCU芯片就是單片機芯片。
MCU供應(yīng)商方面,很多逆變器廠商會采用TI的C2000系列MCU,現(xiàn)在隨著微型逆變器的興起,也有廠商開始采用Arm內(nèi)核的32位MCU來做主控。
因此,MCU的主要供應(yīng)商有TI、NXP、ST、Microchip、英飛凌、瑞薩等國外廠商,也有兆易創(chuàng)新等國內(nèi)廠商。
5.傳感器
儲能逆變器中需要對電流進行檢測,需要選擇合適的電流傳感器。我們可以把電流檢測分為幾個范圍。
1)檢測5A到70A的直流或交流電流。
檢測5A到50A的直流或交流電一般選用芯片式的霍爾電流傳感器,比如CH701電流傳感器IC,是工業(yè)、汽車、商業(yè)和通信系統(tǒng)中交流或直流電流傳感的經(jīng)濟而精確的解決方案。小封裝是空間受限應(yīng)用的理想選擇,同時由于減少了電路板面積而節(jié)省了成本。典型應(yīng)用包括電機控制、負載檢測和管理、開關(guān)電源和過電流故障保護。
參考文章:霍爾傳感器芯片該如何選型
CH701可以檢測到50A峰值的電流。
如果需要檢測更大電流,需要更高的隔離電壓,可以選擇更大電流范圍的產(chǎn)品,比如16腳的CH701W系列,電流范圍可以到70A,絕緣耐壓可以到4800Vrms:
2)檢測50A到200A的直流或交流電流。
可以選用直插型的電流傳感器
CH704 是專為大電流檢測應(yīng)用開發(fā)的隔離集成式電流傳感芯片。CH704 內(nèi)置 0.1 mΩ 的初級導(dǎo)體電阻,有效降低芯片發(fā)熱支持大電流檢測:±50A, ±100A, ±150A, ±200A。其內(nèi)部集成獨特的溫度補償電路以實現(xiàn)芯片在 -40 到150度全溫范圍內(nèi)良好的一致性。出廠前芯片已做好靈敏度和靜態(tài)(零電流)輸出電壓的校準,在全溫度范圍內(nèi)提供 ±2% 的典型準確性。
參考文章:意瑞半導(dǎo)體推出250A霍爾電流傳感器產(chǎn)品,可以替換Allegro的ACS758/ACS770/ACS772
3)檢測200A到1000A以上的直流或交流電流。
可以選用線性霍爾加磁環(huán)的方式,使用可編程的霍爾傳感器,能夠?qū)崿F(xiàn)高達1500A的電流檢測。
例如:CHI612 可編程線性霍爾芯片,支持 5V 單電源供電。120 kHz帶寬,< 3us 響應(yīng)時間,0.8 – 24 mV/G 可編程,全溫-40到150度范圍內(nèi)可實現(xiàn) 2% 精度。芯片出廠前完成靜態(tài)(零電流)輸出電壓的校準。
參考文章:國產(chǎn)汽車級可編程線性霍爾傳感器CHA611,可以替代Allegro的A1363系列產(chǎn)品,解決汽車級芯片缺貨難題
編輯:黃飛
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