Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅二極管廣泛應用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
的。雖然有些公司可以提供高壓的肖特基硅二極管，但是也是將幾個二極管串聯(lián)之后封裝在一起。當然也有公司稱有獨特的工藝，可以制造高壓肖特基二極管，但并不知曉是什么樣的工藝?！ ?3、什么是碳化硅二極管
2012-07-15 15:28:24
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r候，流過電流的時候會產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：
2021-03-22 17:25:26
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱停哂械偷膶〒p耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市場前景隨著信息科技的飛速發(fā)展，我國對半導體需求越來越多，我國已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重
2021-01-12 11:48:45
需要花時間了解它們的特性，以充分利用這一變化，同時還要了解它們的不同限制和故障模式。CoolSiC? 器件中體二極管的正向電壓是硅 MOSFET 的四倍。因此，LLC轉(zhuǎn)換器在輕負載下的效率可能會
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓撲
2021-03-29 11:00:47
商用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場批量應用，逐步向通用市場滲透，具備廣闊的市場前景?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
、10A、15A三等級電流測試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復電流比硅快恢復二極管小，有利提升產(chǎn)品效率?！ 」杩焖倩謴?b class="flag-6" style="color: red">二極管（10A） 碳化硅肖特基二極管（10A） 硅快恢復二極管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無反向恢復電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導地位?！ ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補齊國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補齊國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。 5.什么是二極管的反向漏電流？ 二極管在反向截止的時候，并不是完全理想的截止。在承受反壓得時候，會有些微小的電流從
2017-05-22 14:07:53
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復時間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
應用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
二極管，但是也是將幾個二極管串聯(lián)之后封裝在一起。當然也有公司稱有獨特的工藝，可以制造高壓肖特基二極管，但并不知曉是什么樣的工藝。13. 什么是碳化硅二極管?通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是
2014-04-26 13:42:10
? 理論上來說硅二極管，由于導通壓降隨溫度上升而下降，所以是不適合并聯(lián)的，但是現(xiàn)在很多二極管會把兩個單管封裝在一起，這樣溫升相對均勻，給并聯(lián)帶來好處。但是碳化硅是的壓降是隨溫度上升而上升，理論上是適合并聯(lián)的。
2016-11-14 20:04:40
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管。 另一個例子是MiniSKiiP，這是一種無底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設計固定
2023-02-20 16:29:54
新型的齊納二極管RKZ7.5TKP和RKZ7.5TKL，用以保護便攜設備的電路不會受到內(nèi)部或外部靜電放電（ESD）偏離電壓的損壞。RKZ7.5TKP的封裝大小僅為0.6 × 0.3 mm，居業(yè)界最小封裝
2011-04-11 09:54:21
來制成發(fā)光二極管，在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能；常簡寫為LED。發(fā)光二極管
2012-07-12 15:40:31
一步提升電源效率。針對上述情況，解決方案有以下兩種?！ 》桨敢唬簩GBT單管上反并聯(lián)的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
MOSFET可以得到充分利用。此外，碳化硅MOSFET也可應用更高的開關(guān)頻率，因而可以實現(xiàn)體積更小，更加緊湊的電源轉(zhuǎn)換器設計。 沒有免費的午餐 當然，世上是沒有免費午餐的，在內(nèi)部體二極管和寄生參數(shù)方面
2023-03-14 14:05:02
器件包括主開關(guān)MOSFET：C3M0065100K； 輸出碳化硅二極管：C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET：C2M1000170D方案能廣泛應用于新能源電動汽車充電、通信
2016-08-05 14:32:43
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
，減少了不必要熱阻的增加?！ ?5 總結(jié) 基本半導體推出的內(nèi)絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品，從優(yōu)化安裝工藝、提升產(chǎn)品質(zhì)量、減少熱阻等方面很好地解決了絕緣和導熱痛點。原作者：基本半導體
2023-02-28 17:06:57
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應用SiC肖特基二極管可廣泛應用于開關(guān)電源、功率因數(shù)校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著降低
2023-02-07 15:59:32
電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性，需要通過封裝與電路系統(tǒng)實現(xiàn)功率和信號的高效、高可靠連接，才能得到完美展現(xiàn)，而現(xiàn)有的傳統(tǒng)封裝技術(shù)應用于碳化硅器件時面臨著一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復時間(trr)及反向恢復電荷(Qrr)從而降低二極管開關(guān)損耗及操聲,便于實現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
μs以內(nèi)起作用。采用二極管或電阻串檢測短路，短路保護最短時間限制在1.5μs左右?！ ?）高dv/dt及di/dt對系統(tǒng)影響 在高壓大電流條件下進行開關(guān)動作時，器件開關(guān)會產(chǎn)生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關(guān)斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
在通信電源、變頻器等中比較常見，常用的封裝形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247，貼片肖特基二極管型號命名以SS開頭的比較多。肖特基二極管：根據(jù)所承受電流的的限度，封裝形式大致分為
2021-07-09 11:45:01
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
，但是也是將幾個二極管串聯(lián)之后封裝在一起。13. 什么是碳化硅二極管？通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點
2020-09-18 17:00:12
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。CSD01060E優(yōu)點? 用單極整流器代
2022-05-27 20:10:54
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C3D03060F優(yōu)點? 用單極整流器代
2022-05-28 12:10:17
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C3D04060F好處? 用單極整流器代
2022-05-28 15:37:47
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C3D04060A好處? 用單極整流器代
2022-05-28 15:55:46
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C3D08060G好處? 用單極整流器代
2022-05-28 16:25:05
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C3D08060A好處? 用單極整流器代
2022-05-28 16:54:16
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C3D10060A好處? 用單極整流器代
2022-05-28 17:04:18
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C3D16060D好處? 用單極整流器代
2022-05-29 10:28:06
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對，在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C3D20060D好處? 用單極整流器代
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D02120E好處? 用單極整流
2022-06-02 18:25:12
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D02120A好處? 用單極整流
2022-06-02 18:29:57
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D05120E好處? 用單極整流
2022-06-02 18:35:42
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D05120A好處? 用單極整流
2022-06-02 18:40:17
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D08120E好處? 用單極整流
2022-06-02 18:44:47
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D08120A好處? 用單極整流
2022-06-02 18:48:49
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D10120A好處? 用單極整流
2022-06-02 18:54:09
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120H好處? 用單極整流
2022-06-03 14:24:29
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120E好處? 用單極整流
2022-06-03 18:14:54
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120D好處? 用單極整流
2022-06-03 18:21:10
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120A好處? 用單極整流
2022-06-03 18:25:26
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D15120H好處? 用單極整流
2022-06-03 18:30:26
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D15120D好處? 用單極整流
2022-06-03 18:37:08
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D15120A好處? 用單極整流
2022-06-03 18:43:35
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D20120A好處? 用單極整流
2022-06-03 18:49:31
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D20120D好處? 用單極整流
2022-06-03 18:54:14
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120H好處? 用單極整流
2022-06-03 19:01:56
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120D好處? 用單極整流
2022-06-03 19:07:00
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120A好處? 用單極整流
2022-06-03 19:12:16
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D20120G好處? 用單極整流
2022-06-03 19:18:42
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D30120D好處? 用單極整流
2022-06-03 19:34:40
更加堅固可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D40120D好處? 用單極整流
2022-06-03 19:46:36
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5
2023-07-05 15:50:06
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:40
1429 碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性。可以有效降低反向漏電
2020-11-17 15:55:056028 在快充領(lǐng)域商用的大門。 圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對PD快充“小輕薄”的特點，碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導體在國內(nèi)率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向?qū)▔旱秃涂估擞磕芰姷忍攸c，能很好地滿足PD快充對器件
2021-04-19 11:37:022632 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:171729 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當電壓通過碳化硅二極管時，電子會從N極流向P極，從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng)，以及其他電子設備中，用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:42642 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40629 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
TO-252-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D10065F（650V碳化硅二極管，電流10A，貼片TO-252-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D10065E（650V碳化硅二極管，電流10A，貼片TO-263-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D06065N（650V碳化硅
2023-02-21 10:12:241680 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 ，碳化硅二極管封裝小型化成為趨勢。那么各個碳化硅二極管廠家推出了更小的封裝DFN5X6,DFN8X8,超薄型封裝。主要用于高功率密度電源和PD快充這樣子的應用中。
2023-02-21 13:38:161795 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應用領(lǐng)域及優(yōu)勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術(shù)指標上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:05843 
替換為碳化硅肖特基二極管，可以減小損耗，減小了對周圍電路的電磁干擾，提高電源的可靠性，滿足嚴格的電源能效認證要求。 一般來說，我們都希望在單相PFC
2022-07-25 13:47:17
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