電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>集成650V E-GaN開(kāi)關(guān)電源芯片U8722X介紹

集成650V E-GaN開(kāi)關(guān)電源芯片U8722X介紹

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

基于TopswitchⅡ型開(kāi)關(guān)芯片開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

本文介紹開(kāi)關(guān)電源的基本原理,以及TopswitchⅡ型開(kāi)關(guān)芯片的結(jié)構(gòu),探討了基于該芯片小功率通用開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中開(kāi)關(guān)管的選型,主要元件參數(shù)的計(jì)算等問(wèn)題。##主要元件參數(shù)計(jì)算。
2014-07-25 11:23:402929

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:321787

仿真看世界之650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942

"半導(dǎo)體的“5V開(kāi)關(guān)電源芯片”既節(jié)能又環(huán)保 "

=0或I=0,所以V X I不為零,這將致使額定的開(kāi)關(guān)損耗,稱為穿插損耗(或有時(shí)就叫做開(kāi)關(guān)損耗)。為了進(jìn)步電源效率,咱們需要研討怎么削減這些損耗。應(yīng)留意須思考“5V開(kāi)關(guān)電源芯片”規(guī)劃中各方面因素的折中
2017-07-21 14:10:22

1H0165R開(kāi)關(guān)電源控制芯片相關(guān)資料分享

1H0165R是Fairchild(仙童半導(dǎo)體)早期研制的用于開(kāi)關(guān)電源電路的中的芯片。 它是單排4腳封裝。最大工作電壓30V,驅(qū)動(dòng)電壓650V,電流1A;工作頻率100KMz。它可以與KA1M0680RB KA1H0165R互換。
2021-05-20 08:03:17

48VPOE開(kāi)關(guān)電源適配器輸出短路時(shí)IC電壓應(yīng)力高如何改善

48VPOE開(kāi)關(guān)電源適配器測(cè)試電壓應(yīng)力,開(kāi)機(jī)及正常工作電壓應(yīng)力沒(méi)有問(wèn)題,測(cè)試輸出短路時(shí)IC電壓應(yīng)力峰值高達(dá)700V,IC內(nèi)置MOS耐壓650V,試了不同IC也是有這種情況,怎樣才能把短路電壓應(yīng)力降低一些?附:短路時(shí)電壓應(yīng)力圖
2021-12-01 07:59:25

5V開(kāi)關(guān)電源芯片安全又可靠

芯片,可靠性顯著提高.集成化、模塊化使電源商品體積小、可靠性高: U6215 開(kāi)關(guān)電源頻率要高,這么動(dòng)態(tài)呼應(yīng)才能快,合作高速微處理器工作是有必要的;也是減小體積的主要途徑。體積要減小,變壓器電感
2017-07-22 11:15:31

5V開(kāi)關(guān)電源芯片用于智能家電

的減輕了我們的腦力和體力勞動(dòng),提高了工作功率,使我們能非常好的快樂(lè)休閑地日子。5V開(kāi)關(guān)電源芯片U6215 智能家電離不開(kāi)5V開(kāi)關(guān)電源芯片,所以小編我為我們預(yù)備一款5V開(kāi)關(guān)電源芯片U6215,它的IC特性
2017-07-29 11:53:33

5V開(kāi)關(guān)電源芯片,銀聯(lián)寶捱風(fēng)緝縫

,主動(dòng)駕駛能否開(kāi)端的巨大作用。銀聯(lián)寶緊隨科技開(kāi)展的腳步,將芯片不斷的修正和完善,以此來(lái)面臨將來(lái)科技的不斷改變。開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S電源芯片U6773S 功率滿意六級(jí)能效請(qǐng)求 功率滿意六級(jí)能效請(qǐng)求原邊
2017-07-31 14:10:19

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下,仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。  碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正(PFC)電路、不間斷電源(UPS)、光伏
2020-09-24 16:22:14

650V系列IGBT在家用焊機(jī)電源應(yīng)用

0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小,操作方便,市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn),一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59

開(kāi)關(guān)電源芯片U3012的特點(diǎn)

有正常應(yīng)用損壞率可接近為零,很好的解決了因開(kāi)關(guān)電源不良給廠家造成燒毀后級(jí)芯片以及維修,生產(chǎn)的麻煩。U3012是一款高壓供電降壓型DC-DC電源管理芯片,內(nèi)部集成準(zhǔn)電源、振蕩器、誤差放大器、限流保護(hù)
2020-11-03 09:00:32

開(kāi)關(guān)電源芯片U6117S,我們用“芯”保護(hù)安全

介紹一款適用于監(jiān)控器上的開(kāi)關(guān)電源芯片U6117S!U6117S內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償,省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾,可實(shí)現(xiàn)輕載無(wú)異音多模(Multi-Mode)控制的高精度原邊
2018-08-23 09:51:13

開(kāi)關(guān)電源芯片FSQ100電子資料

概述:FSQ100是飛兆半導(dǎo)體出品的一款開(kāi)關(guān)電源電路,F(xiàn)SQ100采用8-DIP封裝,輸入電壓8V~20V.輸出電壓650V,功率13W,開(kāi)關(guān)振蕩頻率范圍在61kHz~73kHz,工作溫度為250C~850C。
2021-04-09 06:34:00

開(kāi)關(guān)電源專用厚膜塊DP308P電子資料

概述:DP308P是一款開(kāi)關(guān)電源專用厚膜集成電路。它為單排雙列5腳封裝。內(nèi)含電流模式PWM控制器和耐壓高達(dá)650V的電流檢澍型功率輸出場(chǎng)效應(yīng)管,還具有欠壓鎖定、過(guò)熱保護(hù)以及自動(dòng)復(fù)位電路,并具有過(guò)流保護(hù)功能,由于DP3...
2021-04-20 07:28:24

開(kāi)關(guān)電源厚膜集成塊A5Q1265RF電子資料

概述:A5Q1265RF是日本FAIRCHILD公司生產(chǎn)的FPS型開(kāi)關(guān)電源控制電路,其內(nèi)置具有耐壓強(qiáng)650V的電流檢測(cè)型場(chǎng)效應(yīng)功率管和控制電路,并設(shè)有過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱保護(hù)電路(當(dāng)芯片表面溫度超過(guò)150℃時(shí),自動(dòng)...
2021-04-13 07:22:55

開(kāi)關(guān)電源和LDO設(shè)計(jì)

本人菜鳥(niǎo)一只,想用芯片實(shí)現(xiàn)低噪聲電源,需要1A左右驅(qū)動(dòng)能力的電源,目前打算用開(kāi)關(guān)電源后接LDO設(shè)計(jì)。總電源輸入是24V電源適配器,目前還不知道電源適配器的紋波和噪聲性能,但是看到大部分高驅(qū)動(dòng)
2014-04-22 22:30:52

電源芯片模塊的相關(guān)資料推薦

12V非隔離降壓IC,交流220V降直流12V芯片,220V降12V智能電表電源芯片,220V降12V小家電專用芯片,220V降5V降壓IC,220V降5V電源IC超寬電網(wǎng)電壓范圍輸入,內(nèi)部集成650V高壓功率開(kāi)關(guān)MOS專為BUCK降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)采用PMW工作模式極低的待機(jī)功率和極高的轉(zhuǎn)換效率
2021-11-12 07:01:59

AH8669開(kāi)關(guān)電源IC產(chǎn)品描述

AH8669是一顆低成本的非隔離開(kāi)關(guān)高性能交流轉(zhuǎn)直流的轉(zhuǎn)換器降壓芯片,內(nèi)部集成650V高耐壓功率MOSFET額定700MA電流輸出,非常適應(yīng)于消費(fèi)類的小家電控制模塊以及給MCU供電和智能插座的家用電器上
2021-12-27 08:08:39

B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管

校正,新能源電網(wǎng),新能源汽車,軌道交通等不同領(lǐng)域!附上同系列650V B1D02065E B1D06065FB1D04065KB2D08065K 等更多型號(hào)選型表:
2021-11-09 16:36:57

BP8523D智能家居電源芯片5V100MA

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)BP8523D智能家居電源芯片5V100MA BP8523D 是一款高性能、高集成度、低待機(jī)功耗的開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)芯片,適用于全電壓 85~265VAC 輸入的 Buck
2023-11-21 10:32:19

Basic Semi代理商 B1D02065E 650V2A6.8nC 碳化硅肖特基二極管 附上同系列選型參數(shù)表

B1D02065E,B1D16065HC,B1D20065HC, B1D40065H等多個(gè)型號(hào)650V,1200V系列最全型號(hào)參數(shù)選型表:
2021-10-27 15:00:42

DP904開(kāi)關(guān)電源厚膜塊相關(guān)資料下載

概述:DP904是一款單排5腳封裝的開(kāi)關(guān)電源厚膜塊,工作電壓650V,最大工作電流28A,功率140W。它可以與KA2S0765 DP804互換。
2021-05-18 07:13:44

Elanpo開(kāi)關(guān)電源芯片U6215

Elanpo公司的U6215是電源的核心處理器,支持功率2.5W至6W,主要用在電源、充電器、適配器。本文介紹開(kāi)關(guān)電源芯片U6215主要特性、電路圖。開(kāi)關(guān)電源芯片U6215主要特性:效率滿足六級(jí)能
2017-06-10 16:05:33

KA8S0765RC開(kāi)關(guān)電源厚膜塊相關(guān)資料分享

KA8S0765RC是用于開(kāi)關(guān)電源電路中的厚膜塊。單排5腳封裝。內(nèi)部含有電流模式脈寬調(diào)制(PWM)電路和耐壓高達(dá)650V的大功率場(chǎng)效應(yīng)管,具有過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓保護(hù)、軟啟動(dòng)、自動(dòng)復(fù)位、振蕩器等功能。該厚膜集成電路的最高工作頻率可達(dá)150kHz,輸出功率為145W,不需要外部振蕩元件即可工作。
2021-05-21 06:15:56

LED照明電源的首選芯片U6112

銀聯(lián)寶U6112電源芯片是一款隔離兩繞組芯片,大大的減少了成本,超低成本的非隔離芯片,內(nèi)部集成高壓650V MOSFET,并不需要輔助繞組的PSR工作模式,還有過(guò)熱保護(hù)裝置,是LED照明電源芯片
2020-03-18 14:38:11

LP2702A非隔離12V120mA開(kāi)關(guān)電源芯片

℃)≤120mALP2702A非隔離12V120mA開(kāi)關(guān)電源芯片 產(chǎn)品介紹:LP2702A 是一款高效率高精度的非隔離降壓開(kāi)關(guān)電源恒壓控制驅(qū)動(dòng)芯片。適用于 85VAC~265VAC全范圍輸入電壓的非隔離
2021-11-17 15:23:27

SM7015芯片12V 100mA功率開(kāi)關(guān)電源方案

SM7015芯片12V 100mA功率開(kāi)關(guān)電源方案SM7015 是采用電流模式 PWM 控制方式的功率開(kāi)關(guān)芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路和高壓功率管,為低成本開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)提供高性價(jià)比的解決方案。芯片應(yīng)用于
2016-11-17 14:33:19

SM7525恒流開(kāi)關(guān)電源芯片應(yīng)用知識(shí)

與電流范圍:SM7525恒流開(kāi)關(guān)電源芯片內(nèi)置相當(dāng)于0.8NMOS,電流最大可做650MA。全電壓可做3-5W,單電壓可做4-7W。非隔離做120MA以內(nèi),參考90V 60MA。SM7525恒流開(kāi)關(guān)電源
2015-11-25 14:30:29

STR6656開(kāi)關(guān)電源厚膜塊相關(guān)資料推薦

概述:STR6656是日本三肯公司生產(chǎn)的用于彩電開(kāi)關(guān)電源厚膜塊,它為單列5腳封裝。工作電壓650V,工作電流25A,功率150W。為離線準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源控制電路。有過(guò)流、過(guò)壓及欠壓保護(hù)等電路
2021-05-19 06:45:56

STRW6756開(kāi)關(guān)電源厚膜集成電路相關(guān)資料下載

概述:STR-W6756是Allegro MicroSystems公司生產(chǎn)的用于開(kāi)關(guān)電源中的厚膜塊。它為單排7腳(實(shí)際為6腳)封裝。工作電壓650V,源-漏極間電阻0.73Ω,在輸入交流為230
2021-05-20 07:16:31

Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

;TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù):應(yīng)用:高效開(kāi)關(guān)模式電源,基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55

[銀聯(lián)寶推薦]開(kāi)關(guān)電源芯片基本功能

直接影響輸出頻率的穩(wěn)定性。 開(kāi)關(guān)電源芯片SF6773銀聯(lián)寶科技開(kāi)關(guān)電源芯片SF6773V基本功能1.效率滿足六級(jí)能效要求2.內(nèi)置650V 功率MOSFET3.內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)4.±5%恒壓恒流
2017-06-09 11:21:32

了解一下這款自主研發(fā)的開(kāi)關(guān)電源TB1211

的待機(jī)消耗。開(kāi)關(guān)電源芯片TB1211特點(diǎn):* 集成650V高壓?jiǎn)?dòng)電路* 多模式控制,無(wú)異音工作* 支持降壓和升降壓拓?fù)? 默認(rèn)12V輸出(FB腳懸空)* 待機(jī)功耗低于50mW* 良好的線性調(diào)整率和負(fù)載
2019-04-12 17:31:10

低成本5V開(kāi)關(guān)電源芯片U6215應(yīng)用方案

5V開(kāi)關(guān)電源芯片U6215常應(yīng)用于低成本電源方案,選用原邊反饋方法,無(wú)需光耦和其它相關(guān)操控器材就能完成準(zhǔn)確的恒壓和恒流操控,而且芯片集成原邊電感補(bǔ)償電路,保證其在交流輸入電壓和原邊電感在一定的范圍內(nèi)
2020-03-26 11:31:02

充電器芯片廠家提供六級(jí)能效電源管理芯片U6217

電源)15W-18W電源計(jì)劃。 U6217 U6217選用3D疊封裝技能,率先將5A 650V MOSFET和操控器集成在SOP8小型化封裝中,可完成SOP封裝15W-18W計(jì)劃設(shè)計(jì)高壓引腳和低壓
2017-08-03 15:08:50

充電器芯片廠家提供六級(jí)能效電源管理芯片U6217

、線性電源)15W-18W電源計(jì)劃。 U6217 U6217選用3D疊封裝技能,率先將5A 650V MOSFET和操控器集成在SOP8小型化封裝中,可完成SOP封裝15W-18W計(jì)劃設(shè)計(jì)高壓引腳和低壓
2017-08-03 15:09:23

充電器芯片廠家簡(jiǎn)介5V開(kāi)關(guān)電源芯片U6215

`Elanpo公司的U6215是電源的中心處理器,支持功率2.5W至6W,首要用在電源、充電器、適配器。這篇文章介紹開(kāi)關(guān)電源芯片U6215首要特性、電路圖。開(kāi)關(guān)電源計(jì)劃U6215 開(kāi)關(guān)電源芯片
2017-08-02 14:59:34

關(guān)于900V開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)題

{:11:}手頭有個(gè)900V,1600W的開(kāi)關(guān)電源,電壓一直升不上去。到底是哪的問(wèn)題,查不出來(lái)。有哪位大神介紹點(diǎn)斬波升壓這方面的資料。
2013-01-17 09:32:42

分享開(kāi)關(guān)電源芯片發(fā)燙的原因

電源芯片發(fā)燙很容易燒壞,需要設(shè)計(jì)上做出改善,開(kāi)關(guān)電源芯片發(fā)燙說(shuō)明芯片已經(jīng)是非正常的工作了,如果長(zhǎng)期發(fā)燙很容易就燒壞了。減少開(kāi)關(guān)電源芯片的發(fā)熱量有“開(kāi)源”和“節(jié)流”兩種做法:減少負(fù)載電流降低開(kāi)關(guān)電源
2019-12-10 17:51:50

反激式控制器開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在哪幾方面

什么是反激式控制器開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S?為什么要設(shè)計(jì)一款反激式控制器開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S?反激式控制器開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在哪幾方面?
2021-08-06 06:43:18

小夜燈選擇開(kāi)關(guān)電源控制芯片有什么要求?

,CC&CV精度:<+-4%,最重要的是超寬VDD工作范圍:7V-28V,滿足多規(guī)格變壓器供電需求。除此之外,U6118開(kāi)關(guān)電源控制芯片是一款既可以當(dāng)夜燈又可以當(dāng)做充電器
2020-03-20 14:38:53

小家電開(kāi)關(guān)電源芯片U3211的特性

模式PWM控制功率開(kāi)關(guān)。該系列產(chǎn)品支持離線式非隔離降壓和升降壓型拓補(bǔ)電路,適用于小家電電源和線性電源替代等場(chǎng)所?! ?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)電源芯片U3211的電路簡(jiǎn)單,內(nèi)部集成高壓650V高壓?jiǎn)?dòng)MOSFET,電流很大
2019-11-08 17:24:23

常用小功率低成本充電器開(kāi)關(guān)電源芯片如何選型?

,應(yīng)用廣泛,性能穩(wěn)定,成本低。常用小功率低成本充電器開(kāi)關(guān)電源芯片型號(hào)U6315的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)有:采用U6315可以工作無(wú)異音,同時(shí)保證優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能。外圍元件少,比較簡(jiǎn)單,內(nèi)部集成了700V高雪崩能力
2020-03-23 14:59:44

應(yīng)用集成芯片UC3845構(gòu)成高頻開(kāi)關(guān)電源

應(yīng)用集成芯片UC3845構(gòu)成高頻開(kāi)關(guān)電源
2016-06-27 20:51:51

有源鉗位反激式控制器開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S

,通過(guò)循環(huán)泄漏能量并將其傳遞到輸出端而不是耗散以實(shí)現(xiàn)高于傳統(tǒng)反激式轉(zhuǎn)換器的效率;最后可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度更低的開(kāi)關(guān)能耗使開(kāi)關(guān)頻率更高,使無(wú)源元件體積更小。銀聯(lián)寶科技推出新款開(kāi)關(guān)電源芯片U
2018-07-10 09:15:22

機(jī)頂盒和監(jiān)控常用開(kāi)關(guān)電源芯片有哪些?

)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開(kāi)路保護(hù)。機(jī)頂盒和監(jiān)控常用開(kāi)關(guān)電源芯片U6217S,可根據(jù)客戶要求定制,專利EMI優(yōu)化,六級(jí)能效,內(nèi)置4A電流的場(chǎng)效應(yīng)管,功率MOSFET為2.2Ω650V,功率輸出18W,非常節(jié)省成本,高度集成度高性價(jià)比,是一款機(jī)頂盒和監(jiān)控常用開(kāi)關(guān)電源芯片,歡迎來(lái)電咨詢訂購(gòu)。`
2020-03-23 15:01:19

極簡(jiǎn)電路大功率輸出的U321電源芯片

650V 高壓?jiǎn)?dòng)電路,支持降壓和升降壓拓?fù)?,多模式控制、無(wú)異響工作,待機(jī)功耗低于 50mW,默認(rèn) 12V 輸出(FB 腳懸空)。如果您選擇了銀聯(lián)寶U321電源芯片還有五大優(yōu)勢(shì):一、根據(jù)客戶需求開(kāi)發(fā)優(yōu)化
2020-03-18 14:37:05

求助,芯片耐壓650V做的buck電路夠不夠用?

650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42

用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC

用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31

直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性

受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT) 的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51

請(qǐng)教開(kāi)關(guān)電源芯片型號(hào)?

課程鏈接:1、史上最全張飛半橋LLC電源教程,60小時(shí)深度講解半橋串聯(lián)諧振軟開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)http://url.elecfans.com/u/e0063cb1a02、張飛軟硬開(kāi)源:基于STM32
2019-07-04 13:41:45

請(qǐng)問(wèn)大家知道有沒(méi)有5V轉(zhuǎn)3.3V開(kāi)關(guān)電源芯片嗎?

請(qǐng)問(wèn),大家知不知道5V輸入轉(zhuǎn)3.3V輸出的開(kāi)關(guān)電源芯片。因?yàn)樵O(shè)備電流比較大,采用5V轉(zhuǎn)3.3V的線性電源發(fā)熱比較嚴(yán)重,所以請(qǐng)教群里各位,有沒(méi)有5V轉(zhuǎn)3.3V開(kāi)關(guān)電源芯片。查找了幾款能夠輸出3.3V開(kāi)關(guān)電源芯片,最小輸入電壓基本高于5V
2019-04-04 06:36:38

談“開(kāi)關(guān)電源芯片U6201”特性如何?

介紹一款開(kāi)關(guān)電源芯片U6201。 開(kāi)關(guān)電源芯片U6201 開(kāi)關(guān)電源芯片U6201是恒流控制支持CCM和DCM模式,為副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,有TL431,待機(jī)功耗小于75Mw;具有主動(dòng)賠償輸入電壓
2017-07-17 12:00:52

超高性能低成本電源芯片U321

功耗。開(kāi)關(guān)電源芯片U321集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能;VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)和VDD過(guò)壓保護(hù)等。開(kāi)關(guān)電源芯片U321的主要特點(diǎn):l 集成650V高壓?jiǎn)?dòng)
2018-10-24 14:10:27

軟特性650V IGBT降低電磁干擾和電壓尖峰的優(yōu)化器件

600V IGBT3,全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外,該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11

銀聯(lián)寶科技-六級(jí)能效電源管理芯片U6217

、線性電源)15W-18W電源方案。 U6217 U6217采用3D疊封裝技術(shù),率先將5A 650V MOSFET和控制器集成在SOP8小型化封裝中,可實(shí)現(xiàn)SOP封裝15W-18W方案設(shè)計(jì)高壓引腳和低壓
2017-06-28 10:22:51

面向硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用并具備耐用體二極管的新一代650V超結(jié)器件

。對(duì)于優(yōu)化體二極管(圖1)性能在硬開(kāi)關(guān)條件下應(yīng)用而言,反向恢復(fù)波形的形狀和印刷電路板的設(shè)計(jì)尤其重要[3-4]。新一代CoolMOS? 650V CFD2改進(jìn)了體二極管反向恢復(fù)性能,而且給擊穿電壓留有更大
2018-12-03 13:43:55

高性能綠色PWM功率開(kāi)關(guān)電源系列—SF5549H

開(kāi)關(guān)電源SF5549H,它在我們生活中應(yīng)用廣泛,主要應(yīng)用在手機(jī)/平板充電器和電視/電腦輔助電源等地方。它的IC特性有內(nèi)置650V功率MOSFET;副邊反饋SRR,有TL431;內(nèi)置頻率抖動(dòng)改善EMI
2017-07-10 10:36:51

實(shí)用開(kāi)關(guān)電源技術(shù)

實(shí)用開(kāi)關(guān)電源技術(shù):摘要:詳細(xì)介紹開(kāi)關(guān)電源的特點(diǎn)、分類及主要技術(shù)要求,各類開(kāi)關(guān)電源主電路的計(jì)算,開(kāi)關(guān)變壓器的設(shè)計(jì)與制造,開(kāi)關(guān)電源控制用集成電路,開(kāi)關(guān)電源的保護(hù)
2009-06-20 21:49:58289

PN8036芯朋微12V500MA非隔離開(kāi)關(guān)電源芯片

轉(zhuǎn)換芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源。PN8036內(nèi)置650V高壓?jiǎn)?dòng)模塊,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟
2023-03-21 16:45:41

功率開(kāi)關(guān)電源集成電路

摘要:本文系統(tǒng)地介紹了一種集成電路開(kāi)關(guān)電源。該芯片集成有PWM控制器,過(guò)流、過(guò)熱、過(guò)壓保護(hù)功能,自動(dòng)重啟功能。文章基于計(jì)算機(jī)仿真分析了其內(nèi)部電路。關(guān)鍵詞:開(kāi)關(guān)
2010-05-15 09:39:1744

基于PM4020A的音響功放用650W高速開(kāi)關(guān)電源電路圖

基于PM4020A的音響功放用650W高速開(kāi)關(guān)電源電路圖 原理:音響功放650W高速電源電路
2010-03-29 10:19:212218

士蘭微電子推出高壓MOS管的原邊控制開(kāi)關(guān)電源SD6853/6854

杭州士蘭微電子公司在綠色電源控制器領(lǐng)域繼續(xù)推出新品----內(nèi)置650V高壓MOS管的原邊控制開(kāi)關(guān)電源SD6853/6854。
2011-12-15 09:01:102215

低成本高性能的國(guó)產(chǎn)開(kāi)關(guān)電源芯片TB6806!

達(dá)到能效6級(jí),可過(guò)EMI,原邊反饋,具備了短路保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)和開(kāi)環(huán)保護(hù)等保護(hù)功能。開(kāi)關(guān)電源芯片TB6806S的特點(diǎn):1、內(nèi)置650V高壓MOSFET,多模式控制(FM&AM-PSR)2、超低待機(jī):
2018-08-24 09:57:011107

一款led開(kāi)關(guān)電源芯片U6111.

U6111開(kāi)關(guān)電源芯片是一款內(nèi)部高度集成,采用原邊反饋調(diào)節(jié)控制的 LED 照明恒流驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)芯片。U6111 內(nèi)部 集 成 有 650V 高 壓 功 率MOSFET 和控制器。此外,芯片集成有高壓?jiǎn)?dòng)電路和無(wú)需輔助繞組的電感電流過(guò)零檢測(cè)電路。
2020-08-16 10:19:372942

友恩U6113非隔離開(kāi)關(guān)電源芯片有什么特點(diǎn)?

友恩U6113是一款非隔離的開(kāi)關(guān)電源芯片,除了這款型號(hào),還有U6110、U6112、U6111都屬于非隔離開(kāi)關(guān)電源芯片,這些芯片都是小功率芯片,可用于LED開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng),節(jié)能低功耗。下面我們來(lái)介紹
2021-01-02 17:06:002523

簡(jiǎn)述仿真看世界之650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性

,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管,在硬換流的場(chǎng)合,至少有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì): 沒(méi)有Si二極管的反向恢復(fù)
2021-03-26 16:40:202346

利用GaN設(shè)計(jì)PFC整流器

傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個(gè)有源開(kāi)關(guān),通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當(dāng)今,大多數(shù)常規(guī)開(kāi)關(guān)電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡(jiǎn)單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開(kāi)關(guān)損耗,但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636

開(kāi)關(guān)電源常用芯片介紹

開(kāi)關(guān)電源常用芯片介紹
2021-11-26 09:17:22262

亞成微為客戶提供高品質(zhì)的電源芯片解決方案

GaN功率集成方面,亞成微推出應(yīng)用于大功率快充的 氮化鎵(GaN)功率集成開(kāi)關(guān)電源RM6820NQ/RM6604ND系列,芯片采用了業(yè)界先進(jìn)的3D封裝技術(shù),內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器以及驅(qū)動(dòng)保護(hù)等,最大支持120W快充,具有小體積、高效率、高導(dǎo)熱率、高通流等特點(diǎn)。
2021-12-16 09:41:172887

650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

使用GaN設(shè)計(jì)PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開(kāi)關(guān)損耗。此外,與 650-V Si MOSFET 相比,650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有更低的導(dǎo)通電阻 (R on ),并且 GaN
2022-08-05 08:04:511048

采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBA

采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212

采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTBA

采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323

采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTB

采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450

采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBB

采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020

采用 TO-247 封裝的 650V,35 mΩ 氮化鎵(GaN) FET-GAN041-650WSB

采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495

650V,50mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN063-650WSA

650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。 日前發(fā)布的新一代 SiC 二極管包括 4A 至 40A 器件,采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝和 D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封
2023-05-26 03:05:02358

未來(lái)智能城市的動(dòng)力引擎:潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)

功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器兼容,方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能:具備出色的功率損耗特性,顯著降低能量損失,提高系統(tǒng)效率。 無(wú)需自由輪二極管:由于650V GaN功率晶體管的特性,無(wú)需額外添加自由輪二極管,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 低開(kāi)關(guān)損耗:采用先進(jìn)的GaN技術(shù),650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34692

AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273

淺析24W開(kāi)關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V MOS

開(kāi)關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS,支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用,僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612

DIP7芯朋微PN8034非隔離開(kāi)關(guān)電源芯片12V300MA

PN8034內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源。
2023-07-21 15:55:072354

INN650DA260A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管,采用5mm雙扁平無(wú)引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān),符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51686

INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
2023-08-07 17:22:17968

常用8腳開(kāi)關(guān)電源芯片有哪些

。8腳開(kāi)關(guān)電源芯片是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電源控制芯片,它通常有8根腳,包括輸入電壓腳、輸出電壓腳、反饋腳、校正腳、輸出使能腳、過(guò)流腳、短路保護(hù)腳和過(guò)熱保護(hù)腳。接下來(lái),我們將詳細(xì)介紹一些常用的8腳開(kāi)關(guān)電源芯片。 1. LM2575 LM2575 是
2023-08-18 11:14:2812662

開(kāi)關(guān)電源芯片的comp作用

,它扮演著重要的角色。本文將詳細(xì)介紹開(kāi)關(guān)電源芯片中COMP引腳的作用,并探討其詳細(xì)功能及其應(yīng)用。 一、開(kāi)關(guān)電源芯片簡(jiǎn)介 開(kāi)關(guān)電源芯片可以理解為一種集成了多種電源管理電路的半導(dǎo)體器件,主要由PWM控制器、電源開(kāi)關(guān)管、電感、二極管、電容等組成。它可以將輸入的直
2023-08-18 11:39:118094

SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

PD 30W快速充電器芯片U8722概述和主要特點(diǎn)

使用頻率的大幅度提升給智能手機(jī)的技術(shù)發(fā)展帶來(lái)了更高的要求,智能快充市場(chǎng)也隨之爆火。GaN給智能快充領(lǐng)域帶來(lái)了不少新機(jī)會(huì),同時(shí)也進(jìn)入了多個(gè)新的應(yīng)用場(chǎng)景。深圳銀聯(lián)寶科技新推出集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式PD 30W快速充電器芯片U8722,可以更好的提高充電效率!
2023-11-14 09:10:45430

650V高壓低功耗非隔離電源芯片eNJ8665

650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認(rèn)輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030

DK065G東科集成650V/260mΩ GaN HEMT準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片

產(chǎn)品概述:DK065G是一款高度集成650V/260mΩGaNHEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK065G檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓(VDS),當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管
2023-12-16 12:04:28337

具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580

具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:400

已全部加載完成