Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準
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1200 V分立器件提供出色的性能,有助于加速全球能源轉型
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奈梅亨,2023年11月30日:基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品,隨后Nexperia將持續(xù)擴大產品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應用對高性能SiC MOSFET的需求。
Nexperia高級總監(jiān)兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示:“Nexperia和三菱電機希望這兩款首發(fā)產品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新,推動市場涌現(xiàn)更多寬禁帶器件供應商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件,這些器件的多個參數性能均超越同類產品,例如極高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比,能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問,在未來幾年里,我們將共同推動SiC器件性能的發(fā)展?!?br />
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三菱電機半導體與器件部功率器件業(yè)務高級總經理Toru Iwagami表示:“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET,這也是我們合作推出的首批產品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業(yè)知識,我們的器件實現(xiàn)了多方面特性的出色平衡?!?br />
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RDS(on)會影響傳導功率損耗,是SiC MOSFET的關鍵性能參數。Nexperia發(fā)現(xiàn)這也是造成目前市場上許多SiC器件的性能受限的因素,新推出的SiC MOSFET采用了創(chuàng)新型工藝技術,實現(xiàn)了業(yè)界領先的溫度穩(wěn)定性,在25℃至175℃的工作溫度范圍內,RDS(on)的標稱值僅增加38%。
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Nexperia SiC MOSFET的柵極總電荷(QG)非常低,由此可實現(xiàn)更低的柵極驅動損耗。此外,Nexperia通過平衡柵極電荷,使QGD與QGS比率非常低,這一特性又進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。?
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除了正溫度系數外,Nexperia的SiC MOSFET的器件間閾值電壓VGS(th)也超低,這使得器件并聯(lián)工作時,在靜態(tài)和動態(tài)條件下都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外,較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率,同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。
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Nexperia未來還計劃推出車規(guī)級MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現(xiàn)已投入大批量生產。請聯(lián)系Nexperia銷售代表獲取全套SiC MOSFET樣品。
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欲了解有關Nexperia MOSFET的更多信息,請訪問:https://www.nexperia.com/sic-mosfets
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準
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Mr_haohao發(fā)布于 2022-09-11 19:15:45
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