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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢復(fù)體二極管aMOS5? 超結(jié)MOSFET

AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢復(fù)體二極管aMOS5? 超結(jié)MOSFET

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2019-10-24 14:25:15

二極管反向恢復(fù)

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2022-11-17 06:32:52

恢復(fù)二極管

恢復(fù)二極管
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2020-09-24 16:10:01

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2020-09-24 16:17:13

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2020-09-24 16:11:08

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2021-08-13 17:15:07

恢復(fù)二極管與整流二極管能代換使用嗎?

承受很高的反向工作電壓。恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。整流二極管整流二極管是一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?/div>
2023-02-17 14:08:01

恢復(fù)二極管與肖特基二極管你用對了嗎?

整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。1、恢復(fù)二極管在繼電器方面的應(yīng)用如下圖,在繼電器兩端并聯(lián)一個UF4007,它的反向重復(fù)峰值電壓1000V、正向浪涌電流30A。繼電器線圈是可以儲存能量的,一旦線圈
2023-02-16 14:56:38

恢復(fù)二極管與肖特基二極管你都用對了嗎?

整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。1、恢復(fù)二極管在繼電器方面的應(yīng)用如下圖,在繼電器兩端并聯(lián)一個UF4007,它的反向重復(fù)峰值電壓1000V、正向浪涌電流30A。繼電器線圈是可以儲存能量的,一旦線圈
2023-02-20 15:22:29

恢復(fù)二極管與肖特基二極管有什么區(qū)別?

客戶簡單講解一下。肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件,其特長是開關(guān)速度非常,反向恢復(fù)時間可以小到幾個納秒,正向?qū)▔航祪H0.4V左右,而整流電流卻可達(dá)到幾千安。所以適合在低電壓、大電流
2015-10-19 11:26:11

恢復(fù)二極管代換原則

、6.2V穩(wěn)壓二極管代換。3.開關(guān)二極管的代換開關(guān)二極管損壞后,應(yīng)用同型號的開關(guān)二極管更換或用與其主要參數(shù)相同的其它型號的開關(guān)二極管來代換。高速開關(guān)二極管可以代換普通開關(guān)二極管,反向擊穿電壓高的開關(guān)二極管可以代換反向擊穿電壓低的開關(guān)二極管。恢復(fù)二極管規(guī)格書下載:
2021-07-07 14:58:27

恢復(fù)二極管加載過熱原因是什么?

由于電路電流信號頻率較高,二極管速度跟不上。你測得是電流有效值,應(yīng)該是直流的吧,可能信號中有高頻成分,電流峰值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過你測出的2A,這樣就導(dǎo)致二極管峰值功率特別高,管子很燙。 恢復(fù)二極管加載過熱處理辦法,一般情況下會建議您使用恢復(fù)二極管。恢復(fù)二極管規(guī)格書下載:
2022-03-31 16:57:33

恢復(fù)二極管加載過熱原因是什么?

,電流峰值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過你測出的2A,這樣就導(dǎo)致二極管峰值功率特別高,管子很燙。恢復(fù)二極管加載過熱處理辦法,一般情況下會建議您使用恢復(fù)二極管。恢復(fù)二極管規(guī)格書下載:
2021-06-29 13:49:58

恢復(fù)二極管和TVS的區(qū)別、選型及特點(diǎn)介紹

,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。
2018-07-16 15:12:36

恢復(fù)二極管和肖特基二極管的區(qū)別有哪些?

0.4V左右,而整流電流卻可達(dá)到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作,電腦主機(jī)電源的輸出整流二極管就采用了肖特基二極管。恢復(fù)二極管規(guī)格書下載:
2022-03-31 10:04:12

恢復(fù)二極管工作原理及特點(diǎn)

二極管或阻尼二極管使用。目前恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中作整流元件,高頻電路中的限幅、嵌位等。恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),...
2021-11-12 06:34:53

恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短,正向壓降較...
2021-09-09 06:52:46

恢復(fù)二極管的原理與特點(diǎn)

正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小
2015-11-27 17:55:42

恢復(fù)二極管的好壞如何檢測?

在業(yè)余條件下,可以利用萬用表能檢測恢復(fù)、恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?,以及?nèi)部有無開路、短路故障,并能測出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表,還能測量反向擊穿電壓。下面讓辰達(dá)電子帶你認(rèn)識一下如何檢測恢復(fù)
2021-06-25 17:46:42

恢復(fù)二極管的正負(fù)極

電子元件都是有正負(fù)極的,那么MDD恢復(fù)二極管的正負(fù)極是怎樣的呢?我們在安裝恢復(fù)二極管的時候不免都有這種疑問,要正確了解到MDD恢復(fù)二極管的特征才能正確快速的安。 一般情況下,我們都是使用萬能表
2020-09-18 17:02:52

恢復(fù)二極管相關(guān)資料分享

恢復(fù)二極管資料下載內(nèi)容主要介紹了:恢復(fù)二極管的作用與結(jié)構(gòu)常用的恢復(fù)二極管
2021-04-19 06:56:15

恢復(fù)恢復(fù)及肖特基二極管資料分享

是普通二極管甚至恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管所不具備的,特別適用于低電壓、大電流的高頻整流場合(如計(jì)算機(jī)開關(guān)電源中的+5V、+3.3V整流),它的缺點(diǎn)是反向耐壓較低,一般不超過200V(不過2004年
2021-05-14 08:11:44

恢復(fù)二極管

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,如何獲得低trr和更高反向耐壓的二極管一直是業(yè)界追求的目標(biāo)。這時候就需要我們的恢復(fù)二極管出場了。 通過采用獨(dú)特的摻鉑 (Pt) 工藝,ASEMI解決了這個問題并推出恢復(fù)二極管。恢復(fù)二極管
2021-10-25 17:34:10

ASEMI恢復(fù)二極管DH40-18A選型看哪些參數(shù)

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2021-09-15 16:43:21

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,如果使用普通會嚴(yán)重影響電路的運(yùn)行速度,最終導(dǎo)致電路特性變差。 SFP6006參數(shù)描述型號:SFP6006封裝:TO-247特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):60A,600V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流
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2021-12-06 15:59:13

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電荷小,恢復(fù)二極管MUR860D的反向恢復(fù)時間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓)較高。 MUR860D參數(shù)描述型號:MUR860D封裝:TO-252特性:貼片恢復(fù)二極管電性參數(shù):8A 600V正向
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。 MURF1040CT參數(shù)描述型號:MURF1040CT封裝:ITO-220AB特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):10A 400V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):10A芯片個數(shù):2正向電壓(VF
2021-09-17 17:07:27

MURF1640CT-ASEMI恢復(fù)二極管MURF1640CT

1.3V,其中有3條引線。 MURF1640CT參數(shù)描述型號:MURF1640CT封裝:ITO-220AB特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):16A 400V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):16A芯片個數(shù)
2021-09-03 16:18:50

MURF860AC-ASEMI恢復(fù)二極管MURF860AC

條引線。 MURF860AC參數(shù)描述型號:MURF860AC封裝:ITO-220AC特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):8A600V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):8A芯片個數(shù):1正向電壓(VF
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SF58-ASEMI恢復(fù)二極管SF58的發(fā)展意義

。 SF58參數(shù)描述型號:SF58封裝:DO-27特性:小電流、直插恢復(fù)二極管電性參數(shù):5A600V芯片材質(zhì):GPP正向電流(Io):5A芯片個數(shù):1正向電壓(VF):1.70V浪涌電流Ifsm
2021-12-08 16:12:59

SF58-ASEMI恢復(fù)二極管SF58

型號:SF58封裝:DO-27特性:小電流、直插恢復(fù)二極管電性參數(shù):5A600V芯片材質(zhì):GPP正向電流(Io):5A芯片個數(shù):1正向電壓(VF):1.70V浪涌電流Ifsm:125A漏電流(Ir
2021-09-10 16:14:19

SFF1604-ASEMI恢復(fù)二極管SFF1604

型號:SFF1604封裝:ITO-220AB特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):16A,400V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):16A芯片個數(shù):2正向電壓(VF):1.3V芯片尺寸:98 MIL浪涌
2021-09-16 17:20:59

SFF2004-ASEMI恢復(fù)二極管SFF2004

。 SFF2004參數(shù)描述型號:SFF2004封裝:ITO-220AB特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):20A,400V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):20A芯片個數(shù):2正向電壓(VF):1.3V
2021-09-02 16:15:09

SFF2006-ASEMI恢復(fù)二極管SFF2006

、外延芯片結(jié)構(gòu)等特性。 以上就是關(guān)于SFF2006-ASEMI恢復(fù)二極管SFF2006的詳細(xì)介紹。強(qiáng)元芯電子是一家集科研開發(fā)、制造、銷售為一的國家高新技術(shù)企業(yè)。12年專注于整流橋、電源IC
2021-11-15 16:26:42

SFF3006-ASEMI高壓大電流恢復(fù)二極管SFF3006

編輯-ZSFF3006在ITO-220AB封裝里采用的2個芯片,其尺寸都是120MIL,是一款高壓大電流恢復(fù)二極管。SFF3006的浪涌電流Ifsm為300A,漏電流(Ir)為10uA,其工作
2021-11-16 16:24:01

SFF806A-ASEMI恢復(fù)二極管SFF806A

型號:SFF806A封裝:ITO-220AC特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):8A,600V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):8A芯片個數(shù):1正向電壓(VF):1.5V芯片尺寸:86 MIL浪涌電流
2021-09-15 16:42:02

SFP3006-ASEMI高壓大電流恢復(fù)二極管SFP3006

)為35nS,其中有3條引線。 SFP3006參數(shù)描述型號:SFP3006封裝:TO-247特性:大功率恢復(fù)二極管電性參數(shù):30A,600V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):30A芯片個數(shù):2
2021-11-29 16:14:51

SFP6006-ASEMI恢復(fù)二極管SFP6006

型號:SFP6006封裝:TO-247特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):60A,600V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):60A芯片個數(shù):2正向電壓(VF):1.5V芯片尺寸:140 MIL浪涌電流Ifsm
2021-09-25 16:31:27

STTH80S06/RURG8060恢復(fù)二極管解析

  STTH80S06/RURG8060恢復(fù)二極管,電流80A,電壓600V,TO-247封裝。開關(guān),低反向電流,低熱阻,低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品適用于開關(guān)電源和太陽能逆變器。由于它的低正向壓降
2020-09-24 15:59:11

STTH8R06FP-ASEMI恢復(fù)二極管可以用來做整流二極管嗎?

STTH8R06FP-ASEMI恢復(fù)二極管可以用來做整流二極管嗎?-Z
2021-05-28 14:47:32

SiC-MOSFET二極管特性

,MOSFET二極管是具有pn結(jié)二極管,因而存在反向恢復(fù)現(xiàn)象,其特性表現(xiàn)為反向恢復(fù)時間(trr)。下面是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較
2018-11-27 16:40:24

 解析如何快速準(zhǔn)確區(qū)別肖特基二極管恢復(fù)二極管的訣竅

恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能
2019-03-11 11:24:39

一文分析恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管的電源特性

在開關(guān)電源次側(cè)的輸出整流電路中,一般選用反向恢復(fù)時悶較短的整流二極管,常用的主要有恢復(fù)二極管、恢復(fù)二極管、肖特基勢壘二極管?! ?b class="flag-6" style="color: red">快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管廣泛用于PWM脈寬調(diào)制器、開關(guān)電源
2020-10-29 08:50:49

三相恢復(fù)二極管整流橋開關(guān)模塊的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)是什么?

三相恢復(fù)二極管整流橋開關(guān)模塊的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)是什么?三相恢復(fù)二極管整流橋開關(guān)模塊的主要技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用有哪些?
2021-06-08 08:09:38

為什么說恢復(fù)二極管MURF1040CT-ASEMI比普通二極管

MURF1040CT-ASEMI比普通二極管好? MURF1040CT參數(shù)描述型號:MURF1040CT封裝:ITO-220AB特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):10A 400V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):10A
2021-09-03 16:17:05

分析肖特基二極管恢復(fù)二極管的區(qū)別到底在哪里?

二極管,即陰陽極分別為N和P型半導(dǎo)體。物理結(jié)構(gòu)決定了兩者的電特性。1.肖特基二極管耐壓較低,通常在200V以下,同等耐壓,相同電流下,肖特基二極管的正向壓降低于恢復(fù)二極管。2.肖特基二極管載流子只有電子
2018-11-01 15:26:11

各類型快速恢復(fù)二極管有什么用途?

(FRD),更高的恢復(fù)二極管(SRD),開關(guān)二極管,最快的是肖特基(其原理不同于以上幾個二極管恢復(fù)二極管是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM
2021-06-30 13:51:20

在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動電路內(nèi),意法半導(dǎo)體結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)比較

- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y  · 結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y  從這兩項(xiàng)技術(shù)
2018-11-20 10:52:44

如何處理電路中恢復(fù)二極管擊穿問題?

?恢復(fù)二極管電路容易擊穿是常見的問題,當(dāng)恢復(fù)二極管電路出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象的時候應(yīng)該怎么去做呢? 恢復(fù)二極管電路中,擊穿是因?yàn)槟蛪褐挡粔蚋咚?,燒毀是因?yàn)轭~定電流小所致。建議替換成耐壓值較高,額定電流
2021-01-27 14:11:38

如何檢測高效肖特基二極管恢復(fù)肖特基二極管的性能

`  一、恢復(fù)肖特基二極管的檢測  用萬用表檢測恢復(fù)、恢復(fù)肖特基二極管的方法基本與檢測塑封硅整流二極管的方法相同。即先用RX1K擋檢測一下其單向?qū)щ娦?,一般正向電阻?.5KΩ左右,反向
2018-12-05 11:54:21

如何選擇恢復(fù)二極管的封裝

(16A400V)只能做一下幾種封裝:TO-220的鐵封和塑封、TO-252。Type封裝所屬分類MUR1640FCTITO-220AB恢復(fù)二極管MUR1640CTTO-220AB恢復(fù)二極管
2016-12-14 11:45:54

導(dǎo)致恢復(fù)二極管損壞的原因有哪些?

過熱燒毀。四、恢復(fù)二極管規(guī)格型號不符。更換新二極管時錯將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯誤,造成二極管管擊穿損壞。五、電路板短路,用蒸汽清潔的電路板后,沒有晾干,由水造成電路短路故障而造成的。請?jiān)谟谜羝鍧嵑螅儆脡嚎s空氣吹一遍再檢測應(yīng)該可以避免這種損壞。?恢復(fù)二極管規(guī)格書下載:
2021-05-13 17:27:00

常用恢復(fù)二極管SFF2004-ASEMI

編輯-ZSFF2004參數(shù)描述型號:SFF2004封裝:ITO-220AB特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):20A,400V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):20A芯片個數(shù):2正向電壓(VF
2021-09-16 17:22:26

開關(guān)電源為什么需要ASEMI的D92-02恢復(fù)二極管

參數(shù)描述型號:D92-02封裝:TO-247/3P特性:恢復(fù)二極管電性參數(shù):20A,200V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):20A芯片個數(shù):2正向電壓(VF):0.85V芯片尺寸:110
2021-09-09 16:34:24

普通硅二極管與肖特基二極管有什么不同

),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為恢復(fù)恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為
2019-06-12 02:34:10

海飛樂技術(shù)恢復(fù)二極管現(xiàn)貨替換DSEP2x31-06B

資料價格:1產(chǎn)品種類: 恢復(fù)二極管制造商: IXYS RoHS: 符合RoHS 數(shù)量:9500 描述Diode Array 2 Independent Standard 600V 30A
2019-04-18 18:09:17

肖特基二極管VS恢復(fù)二極管,誰能引領(lǐng)風(fēng)騷?

`  恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V
2019-01-08 13:56:57

肖特基二極管恢復(fù)二極管的區(qū)別

),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(0.5-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為恢復(fù)恢復(fù)兩個等級。 前者
2016-04-19 14:29:35

肖特基二極管恢復(fù)二極管區(qū)別

,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.目前恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件. 肖特基二極管:反向耐壓值較低(一般小于150V),通態(tài)壓降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢復(fù)
2015-11-27 18:02:58

肖特基二極管恢復(fù)二極管的區(qū)別

請問肖特基二極管恢復(fù)二極管在運(yùn)用上有什么區(qū)別?謝謝!
2010-04-21 16:03:33

肖特基二極管的優(yōu)勢有哪些?

的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有使用快速恢復(fù)外延二極管(FRED)和快速恢復(fù)二極管
2020-11-26 17:31:19

肖特基二極管的優(yōu)勢有哪些?

的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有使用快速恢復(fù)外延二極管(FRED)和快速恢復(fù)二極管
2021-11-16 17:02:37

肖特基二極管的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些?

)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有使用快速恢復(fù)外延二極管(FRED)和
2021-09-09 15:19:01

請問現(xiàn)在使用的二極管都盡量使用快速恢復(fù)二極管嗎?

我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個二極管的時候,一般都是采用那種恢復(fù)二極管,有些場合明明不需要高速的恢復(fù)二極管,但是大家也一樣的采用了,看來是不是恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個二極管應(yīng)用了?
2019-05-16 00:12:23

面向硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用并具備耐用二極管的新一代650V結(jié)器件

摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的二極管
2018-12-03 13:43:55

ES5J SMC 貼片 恢復(fù)二極管 DO-214AB

ES5J 恢復(fù)二極管 原廠直銷,歡迎咨詢洽談訂購!產(chǎn)品類型:恢復(fù)二極管封裝形式:SMC(DO-214AB)反向電壓(最大值):600V正向電流(最大值):5A壓降(VF):1.7V最大反向恢復(fù)時間:35ns工作溫度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-09-16 14:18:03

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