傳說(shuō)中的米勒電容?！ ∵@三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時(shí)會(huì)影響柵極和源
2023-03-15 16:55:58
MOS管是N溝道si2302，用人體感應(yīng)模塊3.3V電壓控制柵極，負(fù)載電流260ma，導(dǎo)通后負(fù)載電壓11.3V。MOS管在沒(méi)有導(dǎo)通的情況下，測(cè)得負(fù)載端電壓5.3V，電流0，漏極跟柵極和源極分別有6.6V電壓。為何沒(méi)導(dǎo)通負(fù)載端還有電壓，這正常嗎
2021-08-26 08:33:43
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
形成電子導(dǎo)電溝道，將源極和漏極連起來(lái)。2. 漏極加正電壓(VDS>0)，形成橫向電場(chǎng)，電子逆著電場(chǎng)方向漂移到漏極，形成漏極到源極的電流。深入了解：1. 如果柵極家的電壓不夠大，即
2012-07-04 17:27:52
形成電子導(dǎo)電溝道，將源極和漏極連起來(lái)。2. 漏極加正電壓(VDS>0)，形成橫向電場(chǎng)，電子逆著電場(chǎng)方向漂移到漏極，形成漏極到源極的電流。深入了解：1. 如果柵極家的電壓不夠大，即
2012-07-06 16:06:52
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
）、柵極－源極（發(fā)射極）間的Cgs（Cge）、漏極（集電極）－源極（發(fā)射極）間的Cds（Cce）這些寄生電容。其中與低邊柵極電壓升高相關(guān)的是Cgd和Cgs。下面的左圖表示Cgd（Cgc）、Cgs（Cge
2018-11-30 11:31:17
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
“ ON”，因此需要相對(duì)于源極的負(fù)柵極電壓來(lái)調(diào)制或控制漏極電流。只要不存在輸入信號(hào)且Vg保持柵極-源極pn的反向偏置，只要穩(wěn)定電流流過(guò)JFET，就可以通過(guò)從單獨(dú)的電源電壓偏置或通過(guò)自偏置裝置來(lái)提供該負(fù)電壓
2020-09-16 09:40:54
“ ON”，因此需要相對(duì)于源極的負(fù)柵極電壓來(lái)調(diào)制或控制漏極電流。只要不存在輸入信號(hào)并且Vg保持柵極-源極pn的反向偏置，只要穩(wěn)定電流流過(guò)JFET，就可以通過(guò)從單獨(dú)的電源電壓偏置或通過(guò)自偏置裝置來(lái)提供該
2020-11-03 09:34:54
手觸摸容易壞，為什么MOS管書(shū)名叫場(chǎng)效應(yīng)管呢？場(chǎng)是電場(chǎng)的場(chǎng)，效應(yīng)就不用了吧！很多ESD都是呈峰值短暫的尖峰浪涌電壓，但能量維持時(shí)間短。MOSFET的柵極源極之間是絕緣的，其GS之間有一個(gè)電容。根據(jù)U
2023-09-25 10:56:07
的電壓； VRG：柵極驅(qū)動(dòng)電阻的電壓； VLG：柵極寄生電感的電壓?！ G1S=VG1S1+VLS 因此，最內(nèi)部VG1S1的電壓低于VG1S：VG1S1《VG1S，相當(dāng)于源極封裝電感LS的感應(yīng)電壓
2020-12-08 15:35:56
有一個(gè)圖表代表一個(gè)電路，其目的是根據(jù)微控制器中編程的邏輯啟用/禁用兩個(gè)LED。在下面的電路中，據(jù)我所知，有兩個(gè)n型晶體管，它們分別有一個(gè)電阻連接它們的柵極和它們的源極。我的問(wèn)題是：為什么需要標(biāo)記電阻？（紅圈）
2018-08-21 10:35:11
源極電壓的最大值V（BR）DSS、柵極閾值電壓V（BR）GS以及SOA。V（BR）DSS漏源極電壓的最大值：V（BR）DSS漏源極電壓的最大值必須高于最高電源電壓。如果在出現(xiàn)輸出短路接地或在過(guò)壓
2022-04-02 10:33:47
電容充電，充電峰值電流會(huì)超過(guò)了單片機(jī)的 I/O 輸出能力，串上 R17 后可放慢充電時(shí)間而減小柵極充電電流。 第三，當(dāng)柵極關(guān)斷時(shí)，MOS管的D-S極從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時(shí)，漏源極電壓VDS會(huì)迅速增加
2023-03-10 15:06:47
電壓。將這些式子結(jié)合起來(lái)，可得到MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓是漏源電壓的函數(shù)：VGS=-(R2/R1)VDS二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-04-08 11:37:38
浪涌保護(hù)與之相近的是ESD靜電防護(hù)。浪涌電壓是導(dǎo)致計(jì)算機(jī)誤動(dòng)作、數(shù)據(jù)丟失的主要原因。浪涌電壓也會(huì)導(dǎo)致計(jì)算機(jī)軟損傷，軟損傷就是...
2021-09-13 06:37:58
TG傳輸門(mén)電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒(méi)有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號(hào)改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場(chǎng)決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號(hào)變化無(wú)關(guān)?。《鴷?shū)上說(shuō)起導(dǎo)通程度歲輸入信號(hào)的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋?zhuān)≈x謝！
2012-03-29 22:51:18
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測(cè)試的原理圖和相關(guān)波形見(jiàn)圖1所示。在測(cè)量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測(cè)試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
請(qǐng)教各位大蝦，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通后，源極和漏極的電壓是相等的嗎?
2013-07-22 11:40:31
開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 26%。 電流源驅(qū)動(dòng)器 （CSD） 和電壓源驅(qū)動(dòng)器 （VSD）： 圖1顯示了柵極驅(qū)動(dòng)器BM61M41RFV-C（傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)器）與BM60059FV-C（電流源驅(qū)動(dòng)器）的框圖。還
2023-02-21 16:36:47
！它在高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設(shè)計(jì)指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對(duì) MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
過(guò)程引起的微浪涌電壓，給電機(jī)的絕緣帶來(lái)影響，造成電機(jī)損傷。這里把浪涌稱(chēng)為微浪涌是為了區(qū)別于雷電等突發(fā)的強(qiáng)大浪涌，微浪涌從示波器上看是密集的、連續(xù)存在的、很窄的尖峰電壓。 ??本文對(duì)微浪涌電壓的發(fā)生
2021-03-10 07:35:56
求大神幫忙推薦一個(gè)輸入12v電壓的場(chǎng)效應(yīng)管：具體就是漏極與源極之間的電壓為12v，柵極無(wú)輸入電壓時(shí)，源極與漏極截止，當(dāng)柵極輸入電壓時(shí)，源極與漏極導(dǎo)通，求大神推薦一下產(chǎn)品，順便告知一下電阻選用哪個(gè)范圍的？謝謝
2015-08-17 16:07:41
耦合后會(huì)在MOS管的
柵極輸入端產(chǎn)生振蕩
電壓,振蕩
電壓會(huì)破壞MOS管的氧化層?！ ∪OS管導(dǎo)通和截止的瞬間,漏
極的高
電壓會(huì)通過(guò)MOS管內(nèi)部的漏
源電容偶合到功率MOS管的
柵極處,使MOS管受損?！ ∷?/div>
2018-10-19 16:21:14
?！ ∥?、柵極電涌、靜電破壞 主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而弓起的破壞，即柵極過(guò)電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞
2018-11-21 13:52:55
*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形，在漏極就會(huì)輸出相應(yīng)的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用于實(shí)現(xiàn)所需的浪涌電流波形，<span] 運(yùn)放組成基本的反向運(yùn)算電路，驅(qū)動(dòng)VDMOS管
2018-09-25 11:30:29
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
有關(guān)的電路。實(shí)測(cè)切換時(shí)間小于200 ns，相對(duì)于1 μs的目標(biāo)還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程能力，保護(hù)HPA免受柵極電壓增加影響的柵極箝位，以及用于優(yōu)化脈沖上升時(shí)間的過(guò)沖補(bǔ)償。典型漏極
2018-10-31 11:30:51
本帖最后由 sirtan養(yǎng)樂(lè)多 于 2019-7-4 10:45 編輯
這個(gè)電路只用于電機(jī)通斷控制，開(kāi)關(guān)頻率間隔在五秒以上，不用來(lái)調(diào)速。用開(kāi)關(guān)進(jìn)行柵極電壓控制就沒(méi)有問(wèn)題，把開(kāi)關(guān)換成如圖所示
2019-07-04 09:26:17
抑制二極管的選擇：a) 最大箝位電壓VCMAX應(yīng)不大于電流的最大允許安全電壓。 b) 最大反向工作電壓VRWM應(yīng)不低于電路的最大工作電壓。一般略高于電路的工作電壓。 c) TVS額定的最大脈沖功率必須大于電路中出現(xiàn)的最大瞬態(tài)浪涌功率。 了解更多的電路保護(hù)元件，請(qǐng)直接進(jìn)入浪拓電子咨詢(xún)FAE。
2019-08-14 11:44:38
母線有浪涌電壓影響變頻器，用浪涌保護(hù)器可以嗎？三相電30kw用多大？
2017-04-23 01:56:51
插入電池，打開(kāi)開(kāi)關(guān)后U3A導(dǎo)通，那不是漏極拉低，把U3A的柵極拉低？互相矛盾嗎
2020-04-02 10:22:38
`設(shè)計(jì)了一個(gè)D類(lèi)功放，在不加大電壓的情況下，用示波器測(cè)量功放管的柵極處的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是正常的，但是在管子漏極加70V電壓工作時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)有毛刺，導(dǎo)致電源保護(hù)，請(qǐng)問(wèn)大神們有遇到過(guò)這種情況的嗎，怎么解決？下圖分別為加入70V漏源電壓和不加漏源電壓時(shí)柵源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形。`
2019-02-21 11:23:53
在電流鏡像電路中，有時(shí)會(huì)把場(chǎng)效應(yīng)管的源級(jí)接Vcc，漏極接地，那么當(dāng)柵極與漏極相連構(gòu)成電流鏡時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管是怎么導(dǎo)通的？？？？
2018-08-09 17:09:04
兩層電源板，板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級(jí)要過(guò)大電流，所以用銅連接在一起；四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級(jí)和漏極之間（請(qǐng)看圖片），不知道這樣的柵極走線會(huì)不會(huì)受影響？
2018-07-24 16:19:28
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流?！鲐?fù)載開(kāi)關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)
2019-07-23 01:13:34
壓敏電阻在電路防雷、防浪涌方面起到至關(guān)重要的作用，那么如何使用壓敏電阻呢？在壓敏電阻使用過(guò)程中有哪些需要注意的呢？下面就由源林電子的小編帶大家了解下壓敏電阻的使用：壓敏電阻一般并聯(lián)在電路中運(yùn)用，當(dāng)
2018-05-28 16:35:45
（即施加到柵極的電壓相對(duì)于施加到源極的電壓）達(dá)到某個(gè)特定值（稱(chēng)為閾值電壓）以上，MOSFET才會(huì)傳導(dǎo)大量電流。您需要確保FET的閾值電壓低于驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓。像通常的物理現(xiàn)象一樣，MOSFET的導(dǎo)
2019-10-25 09:40:30
開(kāi)關(guān)操作) 前端保護(hù)向浪涌電壓過(guò)渡 像二極管整流橋一樣，混合式整流橋也與市電插座直接相連，如果有浪涌電壓，很可能會(huì)燒毀整流橋和PFC芯片(例如，圖1中的旁通二極管D4)。 按照IEC61000-4-5
2018-10-11 16:04:02
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
極之間連接幾nF的電容。如果希望進(jìn)一步了解詳細(xì)信息，請(qǐng)參考應(yīng)用指南中的“SiC-MOSFET 柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”。接下來(lái)是關(guān)斷時(shí)的波形。可以看出，TO-247N封裝產(chǎn)品（淺藍(lán)色實(shí)線
2022-06-17 16:06:12
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低FET的體二極管的功耗來(lái)提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類(lèi)型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
雷擊和電壓浪涌產(chǎn)生及危害
電壓浪涌是指電子系統(tǒng)額定工作電壓瞬時(shí)升高，其幅度達(dá)到額定工作電壓的幾倍～幾百倍。電壓浪涌可能引起通信系統(tǒng)的數(shù)據(jù)
2010-05-15 15:01:29
35 本文對(duì)微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理及其對(duì)電機(jī)的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細(xì)線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理
2011-08-04 15:20:05
3790 觀看視頻系列，“了解您的柵極驅(qū)動(dòng)器”。 柵極驅(qū)動(dòng)器雖然經(jīng)常被忽視，但是它在電源和電機(jī)控制系統(tǒng)等系統(tǒng)中發(fā)揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅(qū)動(dòng)器比作肌肉！該視頻系列說(shuō)明了柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理，并重點(diǎn)介紹
2017-04-26 15:18:383417 
浪涌（Electrical surge），顧名思義就是瞬間出現(xiàn)超出穩(wěn)定值的峰值，它包括浪涌電壓和浪涌電流。浪涌也叫突波，顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過(guò)電壓。本質(zhì)上講，浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬(wàn)
2017-08-18 08:59:4613591 但當(dāng)變頻器和電機(jī)之間的接線距離很長(zhǎng)時(shí)，電機(jī)接線端因變頻器的高速開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的微浪涌電壓，給電機(jī)的絕緣帶來(lái)影響，造成電機(jī)損傷。這里把浪涌稱(chēng)為微浪涌是為了區(qū)別于雷電等突發(fā)的強(qiáng)大浪涌，微浪涌從示波器上看是
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過(guò)電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。從本質(zhì)上講，浪涌就是發(fā)生在僅僅百萬(wàn)上之一秒內(nèi)的一種劇烈脈沖。浪涌電壓的產(chǎn)生原因有兩個(gè)，一個(gè)是雷電，另一個(gè)是電網(wǎng)上的大型負(fù)荷接通或斷開(kāi)（包括補(bǔ)償電容的投切）時(shí)產(chǎn)生的。
2018-01-11 11:09:3234148 
凌力爾特的浪涌抑制器產(chǎn)品通過(guò)采用 MOSFET 以隔離高電壓輸入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
平時(shí)在做浪涌測(cè)試時(shí)，總是提到的參數(shù)是設(shè)備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時(shí)，也就經(jīng)?？紤]這個(gè)問(wèn)題，TVS哪個(gè)參數(shù)能對(duì)應(yīng)出不同的浪涌電壓值。
2020-12-26 09:08:259847 
平時(shí)在做浪涌測(cè)試時(shí)，總是提到的參數(shù)是設(shè)備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時(shí)，也就經(jīng)常考慮這個(gè)問(wèn)題，TVS哪個(gè)參數(shù)能對(duì)應(yīng)出不同的浪涌電壓值。
2021-03-17 23:57:5734 忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442121 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53752 電壓浪涌保護(hù)器 適用于TN和TT,IT供電系統(tǒng) 具有遙信觸點(diǎn)和失效指示功能 可插拔模塊方便更換 內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)，更安全的失效保護(hù) 電壓浪涌保護(hù)器應(yīng)用： 交直流系統(tǒng) 新能源 民用建筑 通信 數(shù)據(jù)中心
2022-10-18 14:28:12465 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過(guò)采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過(guò)米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:50551 
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（II），即HS（非開(kāi)關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見(jiàn)下面的驗(yàn)證電路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（IV），即HS（非開(kāi)關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）D3是很有效的方法（參見(jiàn)下面的驗(yàn)證電路）。
2023-02-28 11:41:23389 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:22153 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:57128 
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 引起：閘刀的合、分閘操作；雷電、閃電等自然災(zāi)害；大功率設(shè)備的開(kāi)關(guān)操作；電力系統(tǒng)中的故障產(chǎn)生等。 首先，人們需要了解浪涌過(guò)電壓的危害。浪涌過(guò)電壓對(duì)電力設(shè)備和電子設(shè)備都會(huì)造成一定程度的破壞，嚴(yán)重情況下甚至?xí)l(fā)火災(zāi)和安
2024-01-03 11:20:57462 不良影響，甚至導(dǎo)致設(shè)備的損壞。因此，抑制電源轉(zhuǎn)換器中的浪涌電壓是十分重要的。 首先，為了詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地解決這個(gè)問(wèn)題，我們需要了解浪涌電壓的產(chǎn)生原因。浪涌電壓通常是由開(kāi)關(guān)元件的關(guān)斷造成的，在電源轉(zhuǎn)換器中主要
2024-02-04 09:17:00322 
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