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用數(shù)字萬(wàn)用表的hFE查扣檢查單結(jié)晶體管
用數(shù)字萬(wàn)用表的hFE查扣檢查單結(jié)晶體管
- hFE(8324)
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2009-11-29 10:12:01
單結(jié)晶體管仿真
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
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單結(jié)晶體管仿真
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2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管期間在multisim11哪能找到？
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 17:45 編輯
單結(jié)晶體管期間在multisim11哪能找到
2015-09-14 17:38:22
單結(jié)晶體管的主要參數(shù)及特征相關(guān)資料分享
單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。
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單結(jié)晶體管的工作原理是什么？
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2024-01-21 13:25:27
單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)
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2010-05-11 11:27:346053
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單結(jié)晶體管構(gòu)成晶閘管觸發(fā)電路
單結(jié)晶體管構(gòu)成晶閘管觸發(fā)電路
用單結(jié)晶體管構(gòu)成的晶閘管觸發(fā)電路如圖1 所示，觸發(fā)電路的有關(guān)電壓波形如圖2 所示。與單結(jié)晶體管
2010-05-11 11:34:275379
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單結(jié)晶體管(雙基極二極管)電極的判斷
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋
2011-02-15 11:22:323160
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單結(jié)晶體管工作性能速測(cè)電路圖
被測(cè) 單結(jié)晶體管 VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1斷開(kāi)，S2閉合)，發(fā)光二極管H1發(fā)光。 如果被測(cè)單結(jié)晶體管VBT是好的，電
2011-09-30 13:58:444645
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單結(jié)晶體管的管腳判別
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極
2012-04-01 16:40:3113117
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單結(jié)晶體管的特性舉及簡(jiǎn)單測(cè)試,Single-junction transistors
時(shí)，極間電阻RBB基本上是一個(gè)常數(shù)，用萬(wàn)用表的Rx1k或Rx100擋測(cè)量即可，國(guó)產(chǎn)的單結(jié)晶體管的RBB值在3~10kΩ范圍內(nèi)。測(cè)量發(fā)射極和兩基極間的正向電阻，用萬(wàn)用表的電阻擋，黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別
2018-09-20 18:23:001461
1461單結(jié)晶體管的管腳判別,Detection of transistors
，它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。
判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極，紅表筆接另外兩極，當(dāng)出現(xiàn)兩次低電阻時(shí)，黑表筆接的就是單結(jié)晶體管的發(fā)射極。
單結(jié)晶體管
2018-09-20 18:24:441509
1509單結(jié)晶體管的符號(hào)形狀
判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是將萬(wàn)用表置于R * 100或R * 1K，黑色表連接假想發(fā)射器，紅色表連接其他兩個(gè)極，當(dāng)有兩個(gè)時(shí)，低電阻，黑電表連接。單結(jié)晶體管的發(fā)射極。
2019-09-22 09:33:5617157
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程控單結(jié)晶體管的資料詳細(xì)說(shuō)明
程控單結(jié)晶體管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又稱可編程單結(jié)晶體管或可調(diào)單結(jié)晶體管，程控單結(jié)晶體管實(shí)質(zhì)上是一個(gè)N極門(mén)控晶閘管的功能，但因它與
2020-07-13 17:09:2816
16單結(jié)晶體管的工作原理
單結(jié)晶體管是半導(dǎo)體器件，又稱基極二極管，雖然有三個(gè)管腳，但它只有一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以把它叫做雙基極二極管。 ? 單結(jié)晶體管工作原理： 在電路中讓基極b2和基極b1電位較正，單結(jié)晶體管處于截止
2021-08-12 14:39:149922
9922單結(jié)晶體管的三極管等效電路
單結(jié)晶體管是一種特殊的電子元件，可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)弛張振蕩，圖1給出的是一個(gè)典型電路。電路利用了單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性，其工作原理如下：電容C在接通電源時(shí)經(jīng)R1充電，其電壓逐漸上升，達(dá)到單結(jié)晶體管的導(dǎo)通電
2022-11-11 09:03:401342
1342單結(jié)晶體管有幾個(gè)pn結(jié)_單結(jié)晶體管怎么測(cè)量好壞
單結(jié)晶體管只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2，在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。單結(jié)晶體管廣泛應(yīng)用在振蕩、延時(shí)和觸發(fā)等電路中，最常見(jiàn)的電路就是馳張振蕩器電路。
2023-02-11 17:30:191775
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單結(jié)晶體管和晶閘管介紹
在一個(gè)低摻雜的N型硅棒上利用擴(kuò)散工藝形成一個(gè)高摻雜P區(qū)，在P區(qū)與N區(qū)接觸面形成PN結(jié)，就構(gòu)成了單結(jié)晶體管（UJT：UnijuctionTransistor）。其
結(jié)構(gòu)示意圖如圖1.5.1(a)所示
2023-03-06 15:35:581
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論