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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>測(cè)量?jī)x表>設(shè)計(jì)測(cè)試>測(cè)試漏-源擊穿電壓和關(guān)斷時(shí)的漏電流

      測(cè)試漏-源擊穿電壓和關(guān)斷時(shí)的漏電流

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      2021-04-01 08:49:16

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      2020-08-11 10:04:29

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      2021-12-27 08:31:38

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      2018-10-18 11:21:46

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      2019-07-04 21:27:32

      MOS管漏源極導(dǎo)通的原因是什么？

      普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
      2019-06-21 13:30:46

      MOS管電壓型靜電擊穿特點(diǎn)

      型及功率型。飛虹MOS管廠家今天要分享的電壓型靜電擊穿的特點(diǎn)。電壓型擊穿，即MOS管柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路，它的特點(diǎn)是：（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟
      2019-02-12 13:59:28

      MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

      在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成***，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成
      2016-07-21 10:55:02

      MOS管為什么連柵極都會(huì)被擊穿呢？

      三個(gè)極都有被擊穿，一個(gè)只是擊穿了漏極和還有源極?！　∵@個(gè)驅(qū)動(dòng)器，過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓等保護(hù)全都有，額定最大電流也僅僅是MOS管ID值的一半，MOS管也全部是貼裝在PCB上的，驅(qū)動(dòng)器又是金屬外殼。按理說(shuō)散熱
      2023-03-15 16:55:58

      MOS管各項(xiàng)參數(shù)

      %。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開(kāi)始有電流，或關(guān)斷MOSFET時(shí)電流消失時(shí)的電壓，測(cè)試的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有規(guī)格的。正常
      2020-07-23 07:23:18

      MOS管的每一個(gè)參數(shù)含義，這篇給你講全了！

      的90%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開(kāi)始有電流，或關(guān)斷MOSFET時(shí)電流消失時(shí)的電壓，測(cè)試的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有規(guī)格的。正常
      2019-08-20 07:00:00

      UIS測(cè)試了解一下？

      面↓2、EAS及EAR是啥子在MOS器件關(guān)斷過(guò)程中，如果電壓過(guò)沖值（通常由漏電流和雜散電感造成）未超過(guò)擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，但是——當(dāng)電感上產(chǎn)生的電壓超過(guò)MOSFET的擊穿電壓后，將導(dǎo)致雪崩
      2019-08-29 10:02:12

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      tinyswitch-4的通態(tài)漏源電壓的計(jì)算方法，在手冊(cè)里面有通態(tài)電阻了，還差哪個(gè)電流呢？我做適配器用的，謝謝
      2015-05-25 10:07:10

      【原創(chuàng)推薦】從無(wú)到有，徹底搞懂MOSFET講解（十五）

      的。BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測(cè)試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給DS端不斷加電壓，此時(shí)ID漏電流會(huì)增大，當(dāng)ID達(dá)到250uA時(shí)，此時(shí)的DS電壓即為雪崩擊穿電壓。這里的雪崩擊穿電壓最小值
      2021-09-01 17:10:32

      【轉(zhuǎn)】別再把“泄露電流”與“耐壓漏電流”混淆了！

      “漏電流”與“泄露電流”兩個(gè)專業(yè)名詞十分相似，導(dǎo)致很多工程師對(duì)著兩個(gè)量經(jīng)常混淆，傻傻分不清楚。實(shí)際上他們之間的實(shí)質(zhì)截然不同，一個(gè)是用電器在輸入正常電壓下的測(cè)試，另一個(gè)是用電器不同電下，用另外的幾千
      2018-10-20 21:55:38

      上下管源極寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響

      同步狀態(tài)，漏極的電流由源極S流向漏極D。上管關(guān)斷后，下管在開(kāi)通的過(guò)程中，ID的電流從0開(kāi)始增加流過(guò)寄生的二極管，LS的電流也是從0開(kāi)始增加，LS的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS阻止其電流的增加，在LS上的感應(yīng)電
      2020-12-08 15:35:56

      中文圖解功率MOS管的參數(shù)，詳細(xì)實(shí)用資料！

      的90%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開(kāi)始有電流，或關(guān)斷MOSFET時(shí)電流消失時(shí)的電壓，測(cè)試的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有規(guī)格的。正常
      2019-11-15 07:00:00

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      二極管在反向漏電流在擊穿之隨反向電壓的增加而增加嗎？隨溫度的升高增加明顯嗎？
      2023-03-22 10:29:15

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      都是在環(huán)境溫度25℃條件下測(cè)試的。BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測(cè)試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給DS端不斷加電壓，此時(shí)ID漏電流會(huì)增大，當(dāng)ID達(dá)到250uA時(shí)，此時(shí)的DS電壓即為雪崩擊穿
      2021-08-16 11:07:10

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      2019-07-22 07:09:31

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      2018-10-10 20:44:59

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      2017-05-19 11:44:05

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      2019-11-13 11:28:35

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      2021-08-27 16:00:00

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      本文采用恒定溫度應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)對(duì)功率VDMOS的可靠性進(jìn)行了研究，得到較為完整的可靠性數(shù)據(jù)，并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機(jī)理是柵極擊穿，從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應(yīng)用等方面提供有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
      2021-04-14 06:37:09

      當(dāng)耗盡型MOSFET和JFET的柵源電壓大于0時(shí)電流怎么變化

      康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
      2019-04-08 03:57:38

      怎么提高RF器件測(cè)試的速度？

      、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流。對(duì)于三極管，這包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流、集電極或漏極特性等。選擇正確的測(cè)試儀器并通過(guò)適當(dāng)?shù)脑O(shè)定，能夠極大地加速這些測(cè)試過(guò)程。
      2019-07-30 07:13:26

      標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)/二次擊穿/損耗

      -發(fā)射極結(jié)上產(chǎn)生足夠的電壓來(lái)打開(kāi)它，這將立即破壞晶體管。因此，Mosfets的數(shù)據(jù)表包含 SOAR 特性，這些特性以時(shí)間為參數(shù)，顯示了允許電流與漏源電壓的關(guān)系?！　?wèn)題在于數(shù)千個(gè)細(xì)胞的不完美均勻性
      2023-02-20 16:40:52

      求教：什么是漏電流

      本人最近在學(xué)習(xí)自舉電容的選擇方法，期間查閱資料，說(shuō)到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅(qū)動(dòng)芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。一直對(duì)于漏電流不清楚其含義，原來(lái)只知道反向漏電流，現(xiàn)在又來(lái)了正向漏電流，所以想請(qǐng)教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細(xì)些，謝謝！
      2016-11-01 16:12:48

      淺析功率型MOS管電路設(shè)計(jì)的詳細(xì)應(yīng)用

      的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面：　　1)防止柵極di／dt過(guò)高：由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開(kāi)通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩
      2018-12-10 14:59:16

      淺談MOS管在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)用

      急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。　　3、MOS損壞主要原因：　　過(guò)流，大電流引起的高溫?fù)p壞（分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導(dǎo)致結(jié)溫超過(guò)承受值）；過(guò)壓，源漏級(jí)大于擊穿電壓而擊穿；柵極擊穿，一般由于柵極電壓受
      2019-02-28 10:53:29

      海飛樂(lè)技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFH40N85X場(chǎng)效應(yīng)管

      :98nC @ 10VFET型:N-Channel:10V漏極至源極電壓（Vdss）:850V:40A (Tc)主要參數(shù)（1）漏極擊穿電壓BUDBUD是不使器件擊穿的極限參數(shù)，它大于漏極電壓額定值。BUD隨結(jié)
      2020-03-20 17:11:50

      海飛樂(lè)技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTH3N200P3HV場(chǎng)效應(yīng)管

      晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 2000 V Id-連續(xù)漏極電流: 3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V Vgs th-
      2020-03-13 09:42:06

      理解MOSFET額定電壓BVDSS

      ，來(lái)理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為I DSS 。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25
      2023-02-20 17:21:32

      電池低壓產(chǎn)品的漏電流和耐壓測(cè)試

      電池低壓產(chǎn)品的漏電流和耐壓測(cè)試像手環(huán)，手機(jī)，耳機(jī)這種電池供電的產(chǎn)品。充電是DC5V。如何用漏電流測(cè)試儀和耐壓測(cè)試儀進(jìn)行漏電流和耐壓的測(cè)試？怎么接線？AC模式1.電源適配器輸入短路，輸出短路，耐壓
      2022-03-08 11:36:29

      電源電壓測(cè)試肯定要電流探頭嗎？

      當(dāng)前的變化。讓我們用一個(gè)例子來(lái)看看這個(gè)方法是否有效?！　D1是一個(gè)示例驗(yàn)證:示波器測(cè)試PCB MOS管的功率,電壓和電流變化之間的流失和源,布朗波形的電壓源Vs,紫色的波形是漏極電壓Vd,黃色厚通過(guò)
      2020-10-21 15:54:18

      脈沖漏極電流IDM及短路保護(hù)

      對(duì)于短路保護(hù)的設(shè)計(jì)非常重要。短路維持時(shí)間的測(cè)量如圖2所示，峰值漏極電流和持續(xù)時(shí)間由柵極脈沖電壓的幅值和寬度來(lái)控制。在測(cè)量的過(guò)程中要控制所加的電源電壓，保證在短路關(guān)斷過(guò)程中，VDS尖峰電壓不要超過(guò)器件最大
      2016-08-24 16:02:27

      被忽略的細(xì)節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

      ，來(lái)理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25
      2016-09-06 15:41:04

      請(qǐng)問(wèn)什么是漏電流？

      本人最近在學(xué)習(xí)自舉電容的選擇方法， 期間查閱資料，說(shuō)到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅(qū)動(dòng)芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。 一直對(duì)于漏電流不清楚其含義，原來(lái)只知道反向漏電流，現(xiàn)在又來(lái)了正向漏電流， 所以想請(qǐng)教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細(xì)些，謝謝！
      2020-04-16 00:14:19

      請(qǐng)問(wèn)變壓器的漏感只會(huì)在MOS管關(guān)斷的時(shí)候，對(duì)MOS管DS間的電壓產(chǎn)生影響嗎？

      網(wǎng)上基本都是說(shuō)，當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)，漏感會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓。那我想問(wèn)下，當(dāng)MOS管開(kāi)通時(shí)，這個(gè)漏感就不會(huì)對(duì)MOS管產(chǎn)生影響嗎？
      2018-12-20 14:12:20

      過(guò)壓保護(hù)電路正常電壓時(shí)如何減小漏電流

      如圖是一個(gè)過(guò)壓保護(hù)電路，請(qǐng)問(wèn)正常電壓時(shí)如何減小漏電流
      2019-03-05 15:29:09

      陰極與絲極間漏電流的測(cè)量

      低于規(guī)定的測(cè)試條件，所以測(cè)出的漏電流比手冊(cè)上給出的數(shù)據(jù)小，對(duì)電壓放大管，以不大于ro~15uA為正常。例如用 MF30型萬(wàn)用表測(cè)量，Rx10k檔的電池電壓為15V，中值電阻250kΩ,滿標(biāo)度電流為60
      2018-10-17 16:52:30

      泄漏電流測(cè)試儀的原理和使用說(shuō)明

      泄漏電流測(cè)試儀的原理和使用說(shuō)明 泄漏電流測(cè)試儀，泄漏電流是指在沒(méi)有故障施加電壓的情況下，電氣中帶相互絕緣的
      2008-11-23 13:08:297293

      晶體三極管的反向擊穿電壓測(cè)試方法

      晶體三極管的反向擊穿電壓測(cè)試方法
      2009-08-12 11:43:286414

      #硬聲創(chuàng)作季 電路分析與測(cè)試：2-4電壓源、電流源的串聯(lián)和并聯(lián)

      串聯(lián)電路分析電壓源電流源
      Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-28 10:02:43

      加速RF器件測(cè)試的正確操作方法

      在 RF測(cè)試 能夠進(jìn)行之前，必須測(cè)試這些器件的直流工作狀態(tài)。對(duì)于二極管來(lái)說(shuō)，包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流。對(duì)于三極管，這包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流、集電極或
      2011-09-02 10:58:221202

      基于TMS320F2812泄漏電流測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

      泄漏電流是電氣安全性能測(cè)試最關(guān)鍵的參數(shù)，為了設(shè)計(jì)滿足多標(biāo)準(zhǔn)、多種類型泄漏電流測(cè)試系統(tǒng)的要求，主要介紹了以TMS320F2812為核心的泄漏電流測(cè)試系統(tǒng)，講述了泄漏電流的測(cè)試原理和
      2012-04-24 17:23:382292

      漏電保護(hù)測(cè)試儀怎么用

      漏電保護(hù)器測(cè)試儀主要用于測(cè)試漏電保護(hù)器的漏電動(dòng)作電流、漏電不動(dòng)作電流、以及漏電動(dòng)作時(shí)間，測(cè)試電流為0-500mA分為十檔，時(shí)間測(cè)試范圍0-799ms，16位字符型藍(lán)屏液晶顯示，該測(cè)試儀為手持式，體積小，重量輕，便于攜帶，是各種漏電保護(hù)器現(xiàn)場(chǎng)或室內(nèi)檢測(cè)的最佳測(cè)試儀表
      2017-10-30 16:57:416203

      這幾種MOS管“擊穿”，你了解幾種？

      MOSFET的擊穿有哪幾種? Source、Drain、Gate 場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G (這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對(duì)漏極電壓擊穿) 先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后
      2018-01-22 12:15:0131013

      擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

      本文開(kāi)始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素，其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強(qiáng)度的因素，最后介紹了電壓擊穿儀器使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
      2018-04-03 16:11:1855667

      漏電流是什么_漏電流產(chǎn)生的原因_設(shè)備漏電流如何解決

      漏電流是PN結(jié)在電壓反偏置時(shí)通過(guò)二極管的電流。發(fā)光二極管通常都工作在正向?qū)顟B(tài)下，漏電流指標(biāo)沒(méi)有多大意義。
      2019-07-30 16:36:3359833

      漏電流如何測(cè)試

      隔離變壓器輸出一端接地的漏電流測(cè)試。測(cè)試的漏電流有電氣設(shè)備絕緣漏電流和隔離變壓器與調(diào)壓器由于分布電容形成的容性漏電流。
      2019-09-13 15:14:0035877

      擊穿電壓是什么，有什么作用？

      擊穿電壓是使電介質(zhì)擊穿的電壓，電介質(zhì)在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下將失去其介電性能成為導(dǎo)體，稱為電介質(zhì)擊穿，所對(duì)應(yīng)的電壓稱為擊穿電壓。電介質(zhì)擊穿時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度叫擊穿場(chǎng)強(qiáng)。
      2019-09-04 11:19:1836857

      耐電壓測(cè)試儀結(jié)構(gòu)_耐電壓測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)

      耐電壓測(cè)試儀是測(cè)量耐電壓強(qiáng)度的儀器，它可以直觀、準(zhǔn)確、快速、可靠地測(cè)試各種被測(cè)對(duì)象的擊穿電壓、漏電流等電氣安全性能指標(biāo)，并可以作為支流高壓源用來(lái)測(cè)試元器件和整機(jī)性能。
      2020-04-22 11:47:171042

      耐電壓測(cè)試儀校準(zhǔn)電流的方法及安全注意事項(xiàng)

      耐電壓測(cè)試儀是測(cè)量耐電壓強(qiáng)度的儀器，它可以直觀、準(zhǔn)確、快速、可靠地測(cè)試各種被測(cè)對(duì)象的擊穿電壓、漏電流等電氣安全性能指標(biāo)，并可以作為支流高壓源用來(lái)測(cè)試元器件和整機(jī)性能。
      2020-04-22 14:27:052395

      AC 耐壓測(cè)試與 DC 耐壓測(cè)試所量測(cè)之漏電流值會(huì)不同？

      耐壓測(cè)試是偵測(cè)流過(guò)被測(cè)物絕緣系統(tǒng)之漏電流，以一高于工作電壓之電壓施加于絕緣系統(tǒng);而電源泄漏電流（接觸電流）則是在被測(cè)物正常操作下，以一最不利的條件（電壓、頻率）對(duì)被測(cè)物量測(cè)漏電流。簡(jiǎn)單地說(shuō)，耐壓測(cè)試之漏電流為無(wú)工作電源下所量測(cè)之漏電流，電源泄漏電流（接觸電流）為正常操作下所量測(cè)之漏電流 。
      2020-08-21 14:53:3310166

      超級(jí)電容漏電流測(cè)試儀AT680A的性能及應(yīng)用

      AT680A 是采用高性能微處理器控制的超級(jí)電容漏電流測(cè)試儀。數(shù)控測(cè)試電壓：1.000V~10.000V，最大充電電流2A，4量程測(cè)試，使漏電流準(zhǔn)確度提高到1%，它可以測(cè)試0.001μA~200mA
      2020-12-28 09:51:221328

      汽車線束的漏電流測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)及應(yīng)用方案分析

      汽車線束漏電流測(cè)試要求精確的電壓、漏電流、以及接觸電阻測(cè)試。
      2021-01-14 17:59:492080

      IGBT關(guān)斷時(shí)的電流和電壓

      , 同時(shí)還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)。很多情況，由 于對(duì)IGBT關(guān)斷機(jī)理認(rèn)識(shí)不清, 對(duì)關(guān)斷時(shí)間隨電壓和電流的變化規(guī)律認(rèn)識(shí)不清, 導(dǎo)致無(wú)法解釋在使用過(guò)程中出現(xiàn)的電流拖尾長(zhǎng)、 死區(qū)時(shí)間長(zhǎng)等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT的性能; 導(dǎo)致IGBT因使用不當(dāng), 燒毀。今天我們就IGBT關(guān)斷時(shí)的
      2023-02-22 14:57:543

      耐壓和漏電流測(cè)試區(qū)別

      在安規(guī)測(cè)試中，有耐壓測(cè)試和漏電流測(cè)試兩項(xiàng)，發(fā)現(xiàn)兩者的測(cè)試連接方式幾乎一致，一端接零火線，一端接外殼，而且耐壓合不合格看的就是電流有沒(méi)有小于要求值，兩者原理看似一致，為何要分耐壓測(cè)試和漏電流測(cè)試？
      2023-06-05 09:09:081913

      寄生漏電電流（休眠電流）

      寄生漏電電流需要進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試
      2022-03-02 17:08:271722

      電源模塊漏電流怎么測(cè)試？萬(wàn)用表如何測(cè)泄漏電流？

      漏電流測(cè)試是電源模塊安規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一，目的是為了檢測(cè)漏電流是否超過(guò)了額定標(biāo)準(zhǔn)，防止漏電流過(guò)大造成設(shè)備損毀，甚至引發(fā)電擊安全事故。漏電流測(cè)試方法多樣，納米軟件將帶你了解如何用萬(wàn)用表測(cè)量電源模塊的漏電流。
      2023-11-06 15:44:521068

      附錄一芯片量產(chǎn)測(cè)試常用“黑話”

      ），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高；
      2023-11-23 17:38:321124

      耐壓測(cè)試中漏電流的計(jì)算方法

      發(fā)生的電荷流動(dòng)現(xiàn)象。在耐壓測(cè)試中，漏電流是指設(shè)備在額定電壓下，由于絕緣材料存在缺陷而導(dǎo)致的電流泄漏。漏電流的大小直接影響到耐壓測(cè)試的安全性和準(zhǔn)確性。 二、漏電流的計(jì)算方法 AC 測(cè)試之漏電流理論計(jì)算： 計(jì)算公式：I =2π f V*Cy
      2024-01-11 14:38:491355

      緣材料熱態(tài)擊穿電壓測(cè)試儀

      正常工作的電壓加在被測(cè)設(shè)備的絕緣體上，持續(xù)一段規(guī)定的時(shí)間，加在上面的電壓就只會(huì)產(chǎn)生很小的漏電流，則絕緣性較好。程控電源模塊、信號(hào)采集調(diào)理模塊和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)三個(gè)模塊組成測(cè)試系統(tǒng)，帶報(bào)警和時(shí)間控制功能。 KDZD5550系列智能絕緣材料熱態(tài)擊穿電壓測(cè)
      2024-02-28 11:53:2564

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