（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:53
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雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:581784 SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(qiáng)（擊穿場）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:261373 、載帶成型機(jī)、檢測設(shè)備、恒溫恒濕試驗(yàn)箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進(jìn)電機(jī)、閥門、探針臺、潔凈室設(shè)備、水處理等第三代半導(dǎo)體專區(qū)第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測試
2021-12-07 11:04:24
半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來隨著電力電子技術(shù)在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件?？梢苑譃榘肟匦?b class="flag-6" style="color: red">器件
2021-09-09 06:29:58
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:15:56
在Tech Web的“基礎(chǔ)知識”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是
2018-11-29 14:39:47
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
原理,采取靜電接地、穿戴防靜電工作服、使用防靜電臺面、地面、工具及周轉(zhuǎn)箱、防靜電包裝袋等措施,建立一個(gè)完整的靜電防護(hù)體系。生產(chǎn)廠還應(yīng)建立防靜電系統(tǒng)的周期測試和監(jiān)控制度,保證防靜電設(shè)施起到有效的防護(hù)作用,避免和減少器件在生產(chǎn)過程中的靜電損傷,交付用戶高質(zhì)量高可靠的產(chǎn)品。
2013-07-03 14:25:06
大陸轉(zhuǎn)移的歷史浪潮之下，半導(dǎo)體材料進(jìn)口替代將成為必然趨勢，國內(nèi)半導(dǎo)體材料研究未來成長空間巨大。泰克產(chǎn)品提供全套的解決方案可供電子測試工程師選擇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國正成為主要承接
2020-05-09 15:22:12
半導(dǎo)體泵浦固體激光器的種類很多，可以是連續(xù)的、脈沖的、調(diào)Q的，以及加倍頻混頻等非線性轉(zhuǎn)換的。工作物質(zhì)的形狀有圓柱和板條狀的。
2020-03-10 09:03:12
、635nm、650nm、670nm）。這些器件的特征是：單頻窄線寬、高速率、可調(diào)諧、短波長、光電單片集成化等?！ 〈?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體激光器（功率型激光器），主要用于泵浦源、激光加工系統(tǒng)、印刷行業(yè)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域
2016-01-14 15:34:44
激光器作為光纖激光器泵源的時(shí)候，通過提高單元功率能夠從根本上簡化泵浦系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，和提高泵浦功率水平。隨著光纖激光器和固體激光器對輸出功率要求越來越高，對半導(dǎo)體泵浦源的功率也提出了更高的要求。由于光束質(zhì)量的限制
2019-05-13 05:50:35
測試半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段。我們可以根據(jù)霍爾系數(shù)的符號來判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型，是N型還是P型；霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運(yùn)動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉(zhuǎn)
2020-05-12 13:54:52
的動態(tài)特性: 1、器件在不同溫度的特性 2、短路特性和短路關(guān)斷 3.柵極驅(qū)動特性 4.關(guān)斷時(shí)過電壓特性 5.二極管回復(fù)特性 6.開關(guān)損耗測試等二、測試平臺搭建 泰克推出了IGBT Town功率器件支持
2021-05-20 11:17:57
請問泰克示波器如何使用？
2023-11-01 08:02:32
。深圳市太古半導(dǎo)體有限公司自公司成立以來，以穩(wěn)定的步伐飛速發(fā)展，成為國內(nèi)電子元器件知名的供應(yīng)商之一。在研發(fā)-生產(chǎn)-銷售的過程中，整合整個(gè)產(chǎn)品鏈上的品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)及流程，建立一整套品質(zhì)保證體系。為滿足客戶及時(shí)
2015-11-19 12:56:10
美信半導(dǎo)體：美信半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造供應(yīng)商，Maxim的電能計(jì)量方案提供全面的SoC器件選擇， 是多芯片方案的高精度、高性價(jià)比替代產(chǎn)品。 無與倫比的動態(tài)范圍和獨(dú)特的32位可編程測量引擎，使
2011-08-25 10:03:05
DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)西安天光測控DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計(jì)障礙是低水平寄生效應(yīng)，如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
的低電感封裝具有出色的開關(guān)特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競爭中脫穎而出?！薄 ∈袌鲅芯繖C(jī)構(gòu)Technavio指出，面向全球半導(dǎo)體應(yīng)用的SiC市場預(yù)計(jì)在2021年前達(dá)到大約
2018-10-23 16:22:24
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進(jìn)企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。我們將與
2023-03-29 15:06:13
，2022年由于存貨、庫存保持高位，項(xiàng)目重復(fù)建設(shè)，產(chǎn)能出現(xiàn)負(fù)增長。2023年下半年隨著庫存消耗，產(chǎn)能將出現(xiàn)提升，預(yù)計(jì)增長6%達(dá)到3,400億塊。本土功率半導(dǎo)體廠商迎來發(fā)展新契機(jī)以深圳市薩科微半導(dǎo)體
2023-03-17 11:08:33
在研究雷達(dá)探測整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為
2019-02-26 17:04:37
5-wins+5-PWR+TIVM02+TIVH08+TCP0030A+IGBT town軟件。方案特點(diǎn)1、可靠、可重復(fù)地測試IGBT及MOSFET（包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN）功率半導(dǎo)體動態(tài)特征。2、測量的特征
2020-02-14 11:16:06
年8月22日 上午10:00講義作者：謝健佳（羅姆半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中心工程師，功率器件專家）報(bào)名入口：http://webinar.elecfans.com/399.html參與研討會還將就機(jī)會獲得精美禮品！學(xué)習(xí)知識，與專家在線互動，還贏好禮！快來報(bào)名吧！我要報(bào)名
2018-07-27 17:20:31
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
主要代理國產(chǎn)品牌一些半導(dǎo)體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明：門級驅(qū)動，隔離非隔離驅(qū)動杰華特宇力：MCU3PAK :運(yùn)放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅(qū)動還有TI的一些物料 等等需要的各位領(lǐng)導(dǎo)歡迎前來采購、v15375195257（同電話）。
2021-09-06 09:18:29
主要代理國產(chǎn)品牌一些半導(dǎo)體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明：門級驅(qū)動，隔離非隔離驅(qū)動杰華特宇力：MCU3PAK :運(yùn)放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅(qū)動還有TI的一些物料 等等詳情請聯(lián)系***（同wx）
2021-09-06 09:21:21
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:46:29
測試對測 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。半導(dǎo)體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利
2019-10-08 15:41:37
、IGCT、發(fā)光二極管、敏感器件等。半導(dǎo)體分立器件制造，指單個(gè)的半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的一個(gè)電子元件的制造。制造是設(shè)計(jì)及封裝測試的中游環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會對半導(dǎo)體分立器件
2023-03-10 17:34:31
技術(shù)的發(fā)展，同時(shí)也使得大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動技術(shù)成為大功率半導(dǎo)體激光器在眾多應(yīng)用領(lǐng)域的核心技術(shù)。 本文針對大功率光纖激光器中作為泵浦源的半導(dǎo)體激光器對驅(qū)動電源的要求，綜合運(yùn)用模擬電子技術(shù)、數(shù)字控制
2018-08-13 15:39:59
的高性價(jià)比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導(dǎo)通電
2020-07-07 11:42:42
供應(yīng)商正在減少對標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的關(guān)注，但安森美半導(dǎo)體繼續(xù)投資于汽車級標(biāo)準(zhǔn)分立器件的基本構(gòu)件模塊，同時(shí)擴(kuò)大針對汽車功能電子化的電源方案陣容。在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)的和高性能的分立器件陣容中，最新的擴(kuò)展包括低正向電壓整流器
2018-10-25 08:53:48
，以支持在整個(gè)低、中和高功率范圍的多樣化應(yīng)用。從用于車載媒體應(yīng)用到空調(diào)的器件，到用于內(nèi)燃機(jī)(ICE)、混合動力和純電動動力系統(tǒng)的高功率方案，安森美半導(dǎo)體正在不斷開發(fā)新產(chǎn)品，以幫助支持和加速汽車技術(shù)
2018-10-30 09:06:50
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國常用半導(dǎo)體器件的型號命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
發(fā)展起來的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB 并不是一種特定的半導(dǎo)體器件，它是依照最優(yōu)的電路結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的不同器件和技術(shù)的集成。典型的PEBB 上圖所示。雖然它看起來很像功率半導(dǎo)體模塊，但PEBB
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
反饋模式，無需次級反饋電路，也無需補(bǔ)償電路，加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù)，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡單，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬松的條件下實(shí)現(xiàn)高精度恒流控制，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在
2022-02-17 15:42:55
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
`泰科天潤招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責(zé)：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)；2.半導(dǎo)體工藝開發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)計(jì)、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項(xiàng)目開發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
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2021-09-06 09:33:04
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352 吉時(shí)利8010型大功率器件測試夾具與2651A以及2657A型大功率系統(tǒng)數(shù)字源表一起完善了功率半導(dǎo)體器件測試解決方案。圖1給出源測量單元（SMU）儀器與8010型夾具的連接圖。在8010型互連參考指南（IRG）中給出詳細(xì)的器件測試配置實(shí)例。
2020-08-21 13:49:312285 
功率半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn) 電裝至今為止為了將SiC功率半導(dǎo)體（二極管、晶體管）應(yīng)用在車載用途中，一直在進(jìn)行SiC技術(shù)“REVOSIC＊2”的研發(fā)。SiC是一種半導(dǎo)體材料，與以往的Si（硅）相比，在高溫、高電波、高電壓環(huán)境下具備更優(yōu)秀的性能，對減少系統(tǒng)的電力消耗、小
2020-12-21 16:20:263191 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 功率器件如場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣雙極晶體管［IGBT） ，這些功率器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其最新第三代半導(dǎo)體SiC和GaN
2021-04-30 11:50:052490 
功率器件動態(tài)參數(shù)測試 功率器件如場效應(yīng)晶體管和絕緣門雙極晶體管，這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其第三代半導(dǎo)體Sic和GaN的快速發(fā)展
2021-12-07 11:37:24679 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進(jìn)行。
2023-02-10 14:25:11271 功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)
4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)
2023-02-15 16:11:141 EN-6500A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件動態(tài)參數(shù)測試的專用設(shè)備，通過使用更換不同的測試工裝可
以對不同封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行非破壞性瞬態(tài)測試
2023-02-16 15:38:103 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:254 ME300D-SE是Firstack總結(jié)12年IGBT/SiC MOSFET測試經(jīng)驗(yàn)，并經(jīng)歷了ME100D，ME200D，ME300D三代產(chǎn)品迭代，最新研制推出的功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，致力于
2023-06-13 16:39:281522 
一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24365 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
半導(dǎo)體動態(tài)測試參數(shù)是指在交流條件下對器件進(jìn)行測試，是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動態(tài)測試參數(shù)主要有開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:30586 12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號。
2023-12-15 10:57:45466
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