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雙通道場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路 (Dual MOSFET mi
- 射頻電路(42753)
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場(chǎng)效應(yīng)管(FET)與雙極型晶體三極管(BJT)一樣能實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的控制。由場(chǎng)效應(yīng)管組成的基本放大電
2009-09-16 09:59:20
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40719場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET介紹及應(yīng)用電路
前幾天給大家講了一下晶體管BJT，今天講一下場(chǎng)效應(yīng)管-MOSFET。
2022-09-05 10:41:053623
3623盤點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管在電路中應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請(qǐng)移步:MOS場(chǎng)效應(yīng)管基本知識(shí)。
2022-11-30 11:20:052598
2598場(chǎng)效應(yīng)管的介紹和用途
則是由一個(gè)絕緣柵和源漏極組成。 MOSFET又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種類型 。與晶體管相比， 場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、體積小等優(yōu)點(diǎn) ，因此在電子電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-11-17 16:29:521232
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IDT推出雙通道RF至IF混頻器IDT F1150
IDT公司宣布已推出兩款面向手機(jī)基站設(shè)備的低功耗、低失真射頻(RF)至中頻(IF)混頻器,IDT F1150 和 F1152 是低功耗、低失真的雙通道 1700 – 2200MHz RF 至 IF 混頻器
2011-12-20 09:07:231086
1086僅采用四只N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的全橋驅(qū)動(dòng)電路
僅采用四只N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的 全橋驅(qū)動(dòng)電路 工作時(shí)，在驅(qū)動(dòng)控制Ic的控制下，使V1、V4同時(shí)導(dǎo)通，V2、V3同時(shí)導(dǎo)通，且V1、V4導(dǎo)通時(shí)，V2、V3截止，也就是說(shuō)，V1、V4與V2、V3是交替導(dǎo)通的，使
2012-04-05 11:32:2816353
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100V低壓MOS N溝道MOS管 替代AO3400 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 高性價(jià)比
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu)，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-11-14 13:54:14
100V耐壓mosN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V5A 5N10低開啟高性能MOS管
中低壓MOS管廣泛應(yīng)用于：LED車燈電源，LED電源，POE交換機(jī)，霧化器，香薰機(jī)，加濕器，美容儀，驅(qū)動(dòng)電機(jī)、防盜器等領(lǐng)域 型號(hào)HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A30N06 內(nèi)阻
2020-11-12 11:24:12
20V MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨選型
海飛樂(lè)技術(shù)20V MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開關(guān)用
2020-03-03 17:36:16
30V 30A TO-252 MOS管HC020N03L N溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管
】型號(hào)：HC020N03LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252內(nèi)阻20mR型號(hào)：HC3600MN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V8A SOT23-3內(nèi)阻22mR型號(hào)：HC3400MN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V5.8ASOT23-3內(nèi)阻
2020-11-11 17:32:09
場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法
`場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法<br/> 現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料
2009-04-25 15:42:55
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET介紹及應(yīng)用電路
子相連，從而形成三端器件，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的一般結(jié)構(gòu)如下所示：場(chǎng)效應(yīng)管MOSFETP溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET和N
2022-09-06 08:00:00
場(chǎng)效應(yīng)管與BJT放大電路的比較
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路與BJT放大電路的性能比較場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的共源電路、共漏電路、共柵電路分別與三極管放大電路的共射電路、共集電路、共基電路相對(duì)應(yīng)。共源電路與共射電路均有電壓放大作用，即，而且輸出電壓
2011-07-12 20:09:38
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較
好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
2009-04-25 15:43:51
場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管有那幾點(diǎn)不同？
第一點(diǎn)是場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的控制方式不同1、場(chǎng)效應(yīng)管隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步，場(chǎng)效應(yīng)管的種類有好幾種，我們最常見(jiàn)的有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（FET管）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET管）這兩類。這兩類
2021-03-16 13:48:28
場(chǎng)效應(yīng)管做開關(guān)的采樣保持電路
再用場(chǎng)效應(yīng)管做采樣保持電路，這里有電容以及控制場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)的脈沖，但實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，電容的選擇以及脈沖的構(gòu)造都出現(xiàn)了問(wèn)題。無(wú)法實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能。下面是電路圖。謝謝了
2013-05-26 23:24:36
場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)？工作原理是什么？
場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)？場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
場(chǎng)效應(yīng)管好壞的判斷方法分享
，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，且黑表筆接
2021-05-24 08:07:24
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理
屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極?！ ≈圃旃に嚊Q定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐?！ ∽⒁獠荒苡么朔ㄅ卸ń^緣
2013-03-27 16:19:17
場(chǎng)效應(yīng)管替換
場(chǎng)效應(yīng)管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的場(chǎng)效應(yīng)管代替嗎
2017-04-10 13:05:24
場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)
和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是PN結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小，說(shuō)明是正向PN結(jié)，即是正向電阻，判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑
2012-07-28 14:13:50
場(chǎng)效應(yīng)管概念
。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOSFET。以功能類型劃分，MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，其中耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
2019-07-29 06:01:16
場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS管H橋原理
場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的H 橋電路，它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3 組成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
場(chǎng)效應(yīng)管的作用
場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作
2019-05-29 06:18:14
場(chǎng)效應(yīng)管的作用
場(chǎng)效應(yīng)管的作用1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
2009-04-25 15:43:23
場(chǎng)效應(yīng)管的作用及測(cè)試資料分享
小，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極?！ ?制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐
2021-05-13 06:55:31
場(chǎng)效應(yīng)管的關(guān)斷問(wèn)題
場(chǎng)效應(yīng)管si2301（p溝道）柵極D1接單片機(jī)引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是，單片機(jī)引腳低電平時(shí)，輸出端(d)確實(shí)為高電壓，但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v，并沒(méi)有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題？怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
場(chǎng)效應(yīng)管的分類
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！ “礈系腊雽?dǎo)體
2009-04-25 15:38:10
場(chǎng)效應(yīng)管的分類和區(qū)別
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
場(chǎng)效應(yīng)管的功能和基本特性
的功能與三極管相似，可用來(lái)制作信號(hào)放大器、振蕩器等。由場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大器基本結(jié)構(gòu)有三種，即共源極（S）放大器、共柵（G）放大器和共漏極（D）放大器，如下圖所示?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器
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場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試及測(cè)試方法
碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。 制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不
2009-04-25 15:43:42
場(chǎng)效應(yīng)管的特性參數(shù)，怎么選用？有什么注意事項(xiàng)？
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用？場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
場(chǎng)效應(yīng)管的選型及應(yīng)用概覽
場(chǎng)效應(yīng)管廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。場(chǎng)效應(yīng)管需要的驅(qū)動(dòng)電流比BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)
2020-07-10 14:51:42
場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少
`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少？`
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場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（電子為載流子），P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（空穴為載流子）。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有四種類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET。N溝道
2019-06-25 04:20:03
場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路分析
在分析的時(shí)候，比如此時(shí)輸入端為高電平，如何確定場(chǎng)效應(yīng)管源極（S極）的電平，從而無(wú)法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
LTC559x雙通道無(wú)源下變頻混頻器系列介紹
能夠處理多個(gè)通道的集成電路（IC）。為滿足這一需求，LTC559x雙通道無(wú)源下變頻混頻器系列提供了600MHz至4.5GHz的頻率覆蓋范圍。該混頻器系列包含LTC5590、LTC5591、LTC5592
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MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫
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MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管資料大全
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。按溝道半導(dǎo)體資料
2018-10-29 22:20:31
NDS9410A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
NDS9410A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50:14
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`PE4151是具有集成本地振蕩器（LO）放大器的超高線性度四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）混頻器。LO放大器允許低于0 dBm的LO驅(qū)動(dòng)電平來(lái)產(chǎn)生三階交調(diào)點(diǎn)（IIP3）值，類似于采用
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VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么？
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱Vmos管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
proteus 雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管
兄弟姐妹們，做proteus仿真，發(fā)現(xiàn)里面找不著雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管3sk系列的怎么辦啊？？？
2012-12-05 22:55:00
三極管/場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理及實(shí)例說(shuō)明
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2021-01-15 15:33:15
三極管/場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理及實(shí)例說(shuō)明
的基本原理及實(shí)例說(shuō)明 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制元件，場(chǎng)效應(yīng)管也分N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)極，分別為：柵極G、漏極D和源極S?！ ?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)工作區(qū)間：可變電阻區(qū)、飽和區(qū)（恒流區(qū)
2021-03-15 15:12:32
三極管與場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過(guò)了三極管了么，三極管會(huì)不會(huì)被淘汰？為什么總是討論三極管問(wèn)題？我是初學(xué)者，剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
三極管與場(chǎng)效應(yīng)管的用法
大家好，我是電路小白。理論知識(shí)有點(diǎn)，但是實(shí)踐機(jī)會(huì)甚少。想問(wèn)在維修電路板時(shí)，有個(gè)別不重要的場(chǎng)效應(yīng)管壞了，可否用三極管代替呀？謝謝！
2021-11-27 12:47:16
下圖電路場(chǎng)效應(yīng)管電路有問(wèn)題嗎？
場(chǎng)效應(yīng)管電路有問(wèn)題嗎？用的是P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管BSS84,電路如下，經(jīng)常GS間損壞，損壞后兩腳間有5K左右的電阻造成微導(dǎo)通D端有電壓輸出。電路有問(wèn)題嗎？是什么原因。
2019-10-18 22:00:33
低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
(5N10)SOT23-3封裝，內(nèi)阻155mR，可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào); HC085N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15ASOT89封裝，內(nèi)阻70mR，可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)
2020-09-23 11:38:52
低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
(5N10)SOT23-3封裝，內(nèi)阻155mR，可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào); HC085N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15ASOT89封裝，內(nèi)阻70mR，可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)
2020-10-14 15:18:58
關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量
場(chǎng)效應(yīng)管的作用：放大、調(diào)制、諧振和作開關(guān)用，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)管的好壞判斷：把數(shù)字萬(wàn)用表打到二極管檔，用萬(wàn)用表任意觸碰場(chǎng)效應(yīng)管的三只引腳，好的場(chǎng)效應(yīng)管最終結(jié)果只有一次有讀數(shù)，并且在
2012-05-04 09:51:12
功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用
)的結(jié)構(gòu)圖。雖然有不同的結(jié)構(gòu)，但其 工作原理是相同的，這里就不一一介紹了?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的工作原理要使增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間
2011-12-19 16:52:35
功率場(chǎng)效應(yīng)管有什么主要參數(shù)？
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí)，電路較簡(jiǎn)單。
2019-09-30 09:01:58
南昌場(chǎng)效應(yīng)管回收公司 各種場(chǎng)效應(yīng)管回收
回收.回收閑置溫度繼電器.回收貼片連接器.深圳鹽田IC芯片收購(gòu)公司.煙臺(tái)鉭電容收購(gòu)公司.惠州開關(guān)收購(gòu)公司.東莞高埗內(nèi)存芯片收購(gòu)公司.東莞南城傳感器收購(gòu)公司.回收廈門電子元件.回收東莞洪梅芯片.回收順德繼電器??！南昌場(chǎng)效應(yīng)管回收公司 各種場(chǎng)效應(yīng)管回收18899-854-850 QQ1221-49901`
2020-07-21 15:01:28
可提升逆變器工作效率的場(chǎng)效應(yīng)管——FHP740高壓MOS管
`逆變器其實(shí)和轉(zhuǎn)化器一樣，將直流電轉(zhuǎn)變?yōu)榻涣麟?，是一種電壓逆變的過(guò)程，而跟逆變器工作效率關(guān)聯(lián)比較大的就是場(chǎng)效應(yīng)管，所以電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家都知道場(chǎng)效應(yīng)管的質(zhì)量在一定程度上也決定著這個(gè)電子產(chǎn)品的使用壽命
2019-07-22 15:36:13
基于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計(jì)概述
，另外偏置電路比較簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)的放大電路增益高，線性好。 本文的大功率寬頻帶線性射頻放大器是利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)來(lái)設(shè)計(jì)的，采取AB類推挽式功率放大方式，其工作頻段為O 6M～10MHz，輸出
2019-06-19 06:30:29
如何辯別場(chǎng)效應(yīng)管與三極管
代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS
2012-07-11 11:41:15
怎么區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管的datasheet型號(hào)
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 12:50 編輯
有些場(chǎng)效應(yīng)管的datasheet的類型沒(méi)有說(shuō)明，請(qǐng)問(wèn)怎么區(qū)分他們的是JFET, 增強(qiáng)Mosfet，還是耗盡型的mosfet？
2013-10-08 17:29:25
推動(dòng)電路在驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管的G極和S極是絕緣的，其阻抗達(dá)數(shù)十兆歐姆，理論上驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管只需要電壓不需要電流，也就是零功率驅(qū)動(dòng)，但許多電路尤其是要驅(qū)動(dòng)功率較大的場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，在G極前面卻有一個(gè)用PNP型和NPN型三極管
2019-05-22 08:29:46
求IRF9630/IRF630N場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路
小弟要設(shè)計(jì)一個(gè)直流電機(jī)（90V,70W)正反轉(zhuǎn)的控制電路，考慮用H橋，場(chǎng)效應(yīng)管計(jì)劃用IRF9630和IRF630N,控制部分采用單片機(jī)接光耦來(lái)驅(qū)動(dòng)，但是光耦選哪種以及光耦驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管電路不熟悉，請(qǐng)高手提供下合適的驅(qū)動(dòng)電路，如有完整H橋電路最好了，謝謝。
2014-09-08 21:40:12
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管的分類
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有用場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)阻抗變換和放大的電路
請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有用場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)阻抗變換和放大的電路，急！?。?！
2015-09-22 09:31:06
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路(JFET mixer RF ci
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路(JFET mixer RF circuit)
2008-11-21 18:40:341707
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雙結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管混頻器電路圖（Dual JFET mixer
雙結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路（Dual JFET mixer RF circuit）
2008-11-22 00:13:471131
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雙柵型場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路圖(Dual-gate MOSF
雙柵型場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路圖(Dual-gate MOSFET mixer RF circuit)
2008-11-22 00:15:353694
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功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:421457
1457
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
1.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型
已知場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式：
2009-11-09 15:59:192399
2399場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器原理及其電路
場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器原理及其電路
混頻器一般由輸入信號(hào)回路、本機(jī)振蕩器、非線性器件和濾波網(wǎng)絡(luò)等4部分組成，如圖1所示。這里的非線性器件本
2010-03-05 10:20:266167
6167VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533238
3238雙柵場(chǎng)效應(yīng)管混頻電路設(shè)計(jì)(英文版)
本內(nèi)容介紹了雙柵場(chǎng)效應(yīng)管混頻電路的設(shè)計(jì)方案
2011-05-09 18:15:33
0
0場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)管驅(qū)動(dòng)電路
驅(qū)動(dòng)電路由緩沖器U、電阻R2 及1 對(duì)小功率場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管Q1 、Q2 組成。當(dāng)控制信號(hào)為低電平時(shí),同向緩沖器U 輸出低電平,使得與+ 9 V 電源相聯(lián)的P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管Q2 導(dǎo)通,與地相聯(lián)的N 溝道場(chǎng)效應(yīng)
2012-04-17 15:43:0419410
19410
場(chǎng)效應(yīng)管在電路中的應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-01-08 10:00:591473
1473由RC電路和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路講解
下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路。
2023-02-15 11:06:402145
2145
一個(gè)由RC電路和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路分析
下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路
2023-08-14 17:02:131018
1018
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152547
2547場(chǎng)效應(yīng)管怎么測(cè)量好壞
場(chǎng)效應(yīng)管怎么測(cè)量好壞? 場(chǎng)效應(yīng)管又稱為晶體管（transistor），是電子器件中常見(jiàn)的一種。在電子電路設(shè)計(jì)中，場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是作為放大器和開關(guān)來(lái)使用。場(chǎng)效應(yīng)管的好壞直接影響到整個(gè)電路的性能
2023-09-02 11:31:243314
3314場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)如何選型呢？
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)也叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34562
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