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用MOS場(chǎng)效應(yīng)管網(wǎng)絡(luò)減小音頻振蕩器的失真

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MOS場(chǎng)效應(yīng)管基本知識(shí)

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱(chēng)是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。
2022-09-23 15:14:422157

詳解MOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法

場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2022-05-27 14:36:371942

MOS場(chǎng)效應(yīng)管選型技巧分享

場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)要比晶體管復(fù)雜,場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般只有幾個(gè)納米,原件是比晶體管小的多的一個(gè)小硅片,而且場(chǎng)效應(yīng)管的“硅片”制作會(huì)更加的復(fù)雜,在體積比晶體管要小很多的狀態(tài)下,工藝的要求更高了。不過(guò)
2022-04-01 15:58:54583

三極管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管的使用相同嗎

三極管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管是否可替換使用,一般情況下MOS場(chǎng)效應(yīng)管和三極管是不能直接代換,從全面了解三極管的基本工作原理及功能特性的相似之處,以及不同功能特性后,在電子線路板上配置驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí),當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流很少的情況下,往往應(yīng)正確的選用MOS場(chǎng)效應(yīng)管。
2022-03-22 14:29:172375

場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)

的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?! “礈系腊雽?dǎo)體
2009-04-25 15:38:10

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理詳細(xì)講解

場(chǎng)效應(yīng)管是該裝置的核心,在介紹該部分工作原理之前,先簡(jiǎn)單解釋一下MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。
2020-09-15 08:00:008

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方式及分類(lèi)

MOS場(chǎng)效應(yīng)管)首先是需要檢測(cè)的,那么在檢測(cè)的時(shí)候是比較簡(jiǎn)單的,比如說(shuō)人工就可以來(lái)完成。這種初步的人工檢測(cè)主要是檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管在遭受到磁場(chǎng)的影響之后,會(huì)不會(huì)破壞原本的效果。其次需要通過(guò)判定電極的方式
2020-07-17 16:38:533258

由555構(gòu)成的音頻振蕩器電路

本電路是一個(gè)由555時(shí)基集成電路構(gòu)成的受光控的音頻振蕩器,因此在不斷變化的光照環(huán)境中,電路的輸出音頻頻率會(huì)不斷變化。
2020-03-19 15:26:547560

MOS場(chǎng)效應(yīng)管如何檢測(cè)

MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因而具有很高的輸入電阻(最高可達(dá)10l5Ω)。它分為N溝道管和P溝道管,如圖2-54所示。通常是將襯底(基板)與源極S接在一同。
2019-11-30 11:01:395544

常用的貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管分享

貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管,因其價(jià)格低、體積小、驅(qū)動(dòng)電流大,現(xiàn)已廣泛用于各種開(kāi)關(guān)電源、逆變器、鋰電池保護(hù)板及低壓LED驅(qū)動(dòng)中。
2019-11-02 10:41:3919436

場(chǎng)效應(yīng)管是什么_場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管是什么,然后解釋了場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。
2019-08-14 10:31:278243

如何構(gòu)建遠(yuǎn)程使用littleBits的操作音頻振蕩器

對(duì)于初始項(xiàng)目,構(gòu)建遠(yuǎn)程操作音頻振蕩器需要七個(gè)littleBits mini-PCB模塊。七個(gè)迷你PCB模塊包括:
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絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的種類(lèi)較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前應(yīng)用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,通常用MOS表示,簡(jiǎn)稱(chēng)作MOS管。它具有比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管更高的輸入阻抗(可達(dá)1012Ω以上),并且制造工藝比較簡(jiǎn)單,使用靈活方便,非常有利于高度集成化。
2019-06-28 16:36:525594

場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因

本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因以及場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。由于電路設(shè)計(jì)、頻率太高、沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)以及MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,都有可能造成場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重。
2018-01-30 15:13:2031789

如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿

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場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS場(chǎng)效應(yīng)管的解析

本文介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS場(chǎng)效應(yīng)管相關(guān)知識(shí)的詳解。
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場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法

場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)為FET.可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕彖柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我{ ]平常簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們]平常主板中常見(jiàn)使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。下圖為MOS管的標(biāo)識(shí)。
2017-10-25 14:45:1417271

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理-mos場(chǎng)效應(yīng)管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別

很多人對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、基本結(jié)構(gòu)和檢測(cè)方法不是很了解,尤其對(duì)于電工來(lái)說(shuō),如果有一個(gè)直觀的概念可能在日常工作中能節(jié)省很多時(shí)間,而小編今天就搜集了整個(gè)對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管的詳細(xì)介紹,希望對(duì)各位電工朋友有所幫助。
2017-07-25 18:27:0927526

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理_場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法_場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET)。
2017-07-23 10:43:1511691

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這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管,普通電源變壓構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓的功率,免除了煩瑣的變壓繞制,適合電子愛(ài)好者業(yè)余制作中采用
2011-06-03 10:47:209197

基于電源變壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器的設(shè)計(jì)

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新型MOS場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電源

近年來(lái),MOS半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展,使MOS功率型場(chǎng)效應(yīng)管的研制及生產(chǎn)取得成功。由于MOS功率型場(chǎng)效應(yīng)管具有截止頻率高、開(kāi)關(guān)特性好、功耗小、增益高、激勵(lì)功率小,不存在二次熱
2010-05-28 09:01:47204

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2010-03-01 11:06:0546595

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管介紹及應(yīng)用

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管介紹及應(yīng)用 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不
2010-01-13 15:22:25145

場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí) 一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)   場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)
2009-11-09 15:18:533635

機(jī)械萬(wàn)表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管

機(jī)械萬(wàn)表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管 1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別  (1)從包裝上區(qū)分  
2009-11-09 14:51:191194

MOS場(chǎng)效應(yīng)管

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2009-11-06 17:21:00892

簡(jiǎn)易音頻振蕩器

簡(jiǎn)易音頻振蕩器 一個(gè)88MH附件環(huán)就、形點(diǎn)火線圈被用于1KHz的
2009-09-29 11:25:341646

LC音頻振蕩器

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2009-09-28 16:00:51600

小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)

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2009-08-22 16:02:384199

場(chǎng)效應(yīng)管質(zhì)量的簡(jiǎn)易判斷

場(chǎng)效應(yīng)管質(zhì)量的簡(jiǎn)易判斷 1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電極的判別根據(jù)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的PN 結(jié)正、反向電阻值的不同.可以萬(wàn)表判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法參
2009-08-22 16:00:032023

MOS場(chǎng)效應(yīng)管

MOS場(chǎng)效應(yīng)管 表16-3 列出了一些小功率MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 15:54:231061

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管) 1.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)營(yíng)的結(jié)構(gòu)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖16-6 所示。它和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)上的主要不同之處在于,它的柵極是從Si02上
2009-08-22 15:53:468098

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn) 一、指針式萬(wàn)表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判
2009-07-02 18:28:30398

場(chǎng)效應(yīng)管晶體并聯(lián)型振蕩器電路

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2009-06-30 00:41:041327

場(chǎng)效應(yīng)管振蕩器電路

場(chǎng)效應(yīng)管振蕩器電路    原則上說(shuō),各種晶體管振蕩線路,都可以用場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成,可以根據(jù)振蕩原理導(dǎo)出用場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)表
2009-06-29 14:06:258352

脈沖調(diào)諧音頻振蕩器電路圖

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2009-06-29 11:50:55547

射頻驅(qū)動(dòng)音頻振蕩器電路圖

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2009-05-16 16:57:17389

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管  VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)
2009-04-25 15:47:442044

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2009-04-25 15:46:344661

可變音頻振蕩器電路圖

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2009-04-15 09:31:22557

頻率可調(diào)的音頻振蕩器

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2009-04-08 09:12:06970

使用雙絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的陷流測(cè)試振蕩器電路圖

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2009-03-29 09:35:001124

使用硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的陷流測(cè)試振蕩器電路圖

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2009-03-29 09:34:24561

使用N溝道絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和獨(dú)立二極管檢波的陷流測(cè)試振蕩器電路

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2009-03-29 09:33:20725

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管皮爾斯晶體振蕩器電路圖

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音頻振蕩器電路圖

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2009-03-23 09:26:473391

場(chǎng)效應(yīng)管高頻振蕩器電路圖

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2009-03-15 22:45:177837

515A型音頻振蕩器的部分電路

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2009-01-12 16:30:341367

雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管混頻電路圖

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2008-12-15 17:39:292629

場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法

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2007-12-22 11:34:38829

MOS場(chǎng)效應(yīng)管

          MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫(xiě)為M
2006-04-16 23:41:35695

采用普通電源變壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器

這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管,普通電源變壓構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2006-04-16 22:53:05712

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2006-04-15 23:20:37886

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