電子發(fā)燒友App
220v雙向可控硅電路圖（一）
如上圖1
所示，左側(cè)為兩個(gè)30K/2W的電阻，這樣限制輸入電流為：220V/60K=3.67mA，由于該路僅僅是為了提取交流信號(hào)，因此小電流輸入即可。整流橋芯片采用小功率（2W）的KBP210，之后接入一個(gè)光耦（P521），這樣如圖1整流后信號(hào)電壓值超過(guò)光耦前段二極管的導(dǎo)通電壓時(shí)，即產(chǎn)生一次脈沖，光耦右側(cè)為一上拉電路，VCC為單片機(jī)供電電壓：+3.3V。光耦三極管導(dǎo)通時(shí)，輸出低電平，關(guān)閉時(shí)輸出高電平。
220v雙向可控硅電路圖（二）
電路見(jiàn)圖。將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大R2的阻值到一定程度，便可使兩個(gè)主可控硅阻斷，因此R2還可起開(kāi)關(guān)的作用。
該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問(wèn)題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過(guò)阻斷電壓時(shí)，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路。
SCR1、SCR2小編選用的是封裝好的可控硅模塊（110A／1000V），SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載，應(yīng)增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過(guò)壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開(kāi)和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅。
220v雙向可控硅電路圖（三）
雙向可控硅的調(diào)光電路工作原理說(shuō)明一接通電源，220V經(jīng)過(guò)燈泡VR4 R19對(duì)C23充電，由于電容二端電壓是不能突變的，充電需要一定時(shí)間
工作原理說(shuō)明
一接通電源，220V經(jīng)過(guò)燈泡VR4 R19對(duì)C23充電，由于電容二端電壓是不能突變的，充電需要一定時(shí)間的，充電時(shí)間由VR4和R19大小決定，越小充電越快，越大充電越慢。當(dāng)Ｃ２３上電壓充到約為33V左右的時(shí)候DB1導(dǎo)通，可控硅也導(dǎo)通，可控硅導(dǎo)通后燈泡中有電流流過(guò)，燈泡就亮了。隨著DB1導(dǎo)通C23上電壓被完全放掉，DB1又截止可控硅也隨之截止燈泡熄滅。C23上又進(jìn)行剛開(kāi)始一樣的循環(huán)，因?yàn)闀r(shí)間短人眼有暫留的現(xiàn)象，所以燈泡看起來(lái)是一直亮的，充放電時(shí)間越短燈泡就越亮，反之，R20 C24能保護(hù)可控硅，如果用在阻性負(fù)載上可以省掉，如果是用在感性負(fù)載，比如說(shuō)電動(dòng)機(jī)上就要加上去，這個(gè)電路也可以用于電動(dòng)機(jī)調(diào)速上，當(dāng)然是要求不高的情況下。
這個(gè)電路的優(yōu)點(diǎn)是元件少、成本低、性價(jià)比高。缺點(diǎn)是對(duì)電源干擾比較大、噪聲大、驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)時(shí)候在較小的時(shí)候可能會(huì)發(fā)熱比較大。
可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管，當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí)，陰極和陽(yáng)極就導(dǎo)通了。 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。 1、單、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
220v雙向可控硅電路圖（四）
雙向可控硅調(diào)溫電路圖
220v雙向可控硅電路圖（五）
VDI、VD2、Cl與C2組成簡(jiǎn)單的電容降壓半被整流電源，通電后C2兩端能獲得約12V左右的直流電壓供光控電路用電。VT、VD3、R2、R3與RP構(gòu)成光控電路，白天光敏二極管VD3受光照射呈低電阻，VT基極電位下降，所以VT截止，可控硅vs得不到觸發(fā)電壓而處于關(guān)斷狀態(tài)，燈H不亮。夜間，VD3無(wú)光線照射呈高電阻，VT的基極電位上升，VT導(dǎo)通，就向vs注入正向觸發(fā)電流，故vs立即開(kāi)通，燈H全壓點(diǎn)亮。調(diào)節(jié)電位器RP能調(diào)節(jié)三極管VT的基極電位，從而能對(duì)光控靈敏度進(jìn)行調(diào)整。
220v雙向可控硅電路圖（六）
雙向可控硅無(wú)級(jí)調(diào)光器
開(kāi)燈時(shí)閉合開(kāi)關(guān)S，220V交流電通過(guò)RP1、RP2和R向電容C2充電，當(dāng)C2兩端電壓達(dá)到雙向觸發(fā)二極管VD的轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，VD與雙向可控硅vs相繼導(dǎo)通，使被控照明燈H得電發(fā)光。當(dāng)交流電過(guò)零反向時(shí)，vs自行關(guān)斷，C2又開(kāi)始反向充電，重復(fù)上述過(guò)程?？梢?jiàn)，在交流電每一個(gè)周期內(nèi)，vs在正、負(fù)半周均對(duì)稱導(dǎo)通一次。如果調(diào)節(jié)RPI的阻值大小，就會(huì)改變電容C2的充電速率，從而在任意半周內(nèi)使vs觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)間前移或后退，即改變了vs導(dǎo)通角的大小，相應(yīng)加在電燈H兩端的平均電壓也隨之變化，故能實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)調(diào)光的目的。
220v雙向可控硅電路圖（七）
由圖可見(jiàn)，由VD3、VD4、R、RP和C構(gòu)成在正負(fù)兩個(gè)半周內(nèi)電阻不同的電容充電回路（當(dāng)RP滑動(dòng)端位于中心處除外），從而使可控硅vs在正負(fù)兩個(gè)半周內(nèi)導(dǎo)通角不同。再通過(guò)二極管VD1、VD2的引導(dǎo)作用，使燈Hl、H2分別工作在正負(fù)兩個(gè)半周期內(nèi)。當(dāng)電位器RP滑動(dòng)端右移時(shí)，可控硅vs在正半周內(nèi)導(dǎo)通角增大，而負(fù)半周內(nèi)導(dǎo)通角減小，故使燈Hl亮度增大，燈H2亮度減弱；如將電位器RP滑動(dòng)端左移，可控硅vs在負(fù)半局時(shí)導(dǎo)通角加大，而正半周時(shí)導(dǎo)通角減小，則燈H1亮度減弱，而燈H2亮度加大。當(dāng)電位器RP滑動(dòng)端位于中心位置時(shí)，因電容C在正負(fù)兩半周的充電時(shí)間相同，可控硅vs在正負(fù)兩半周的導(dǎo)通角也相同，燈Hl和H2亮度一樣。由此可見(jiàn)調(diào)節(jié)電位器RP，可使Hl和H2的亮度進(jìn)行平滑變化過(guò)渡。
220v雙向可控硅電路圖（八）
圖中Hl、H2分別為紅、綠燈泡，用一只電位器RP來(lái)同時(shí)調(diào)節(jié)可控硅vsl、VS2的導(dǎo)通角。RP、Rl、R2和CI組成可控硅VS1的調(diào)壓移相網(wǎng)絡(luò)，RP、R1、R3和C2組成可控硅VS2的調(diào)壓移相網(wǎng)絡(luò)。接通電源后，電源通過(guò)Rl、RP（設(shè)RP滑動(dòng)端位于中心位置）和電阻R2、R3分別向電容Cl、C2充電。改變（RI+RP+R2）xCl及（R1+RP+R3）x C2的時(shí)間常數(shù)，就能改變可控硅vsi及VS2的導(dǎo)通角，從而改變燈Hl、H2的亮度。由圖中可以清楚地看出，當(dāng)RP的滑動(dòng)端向左端移動(dòng)時(shí)，燈H1漸亮，同時(shí)燈H2漸暗：反之當(dāng)滑動(dòng)端右移時(shí)，可使燈Hl漸暗、H2新亮。
雙向可控硅相關(guān)文章：
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論