使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50
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開(kāi)始往下讀之前，老李先問(wèn)一個(gè)問(wèn)題，假如現(xiàn)在讓你設(shè)計(jì)一個(gè)深度為N的基于2port SRAM的同步FIFO，請(qǐng)問(wèn)至少需要多大的SRAM？ 假設(shè)SRAM的位寬就是你的數(shù)據(jù)寬度，那么問(wèn)題就是問(wèn)你需要的SRAM的行數(shù)至少是多少？如果你覺(jué)得答案是顯而易見(jiàn)的N，那么你值得讀完這一篇。
2023-05-04 15:55:49412 
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶(hù)手冊(cè)
2023-04-27 20:25:40
0 利用時(shí)間觸發(fā)式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)嵌入式產(chǎn)品
2012-08-09 00:27:06
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03281 
生成的IIP代碼用AMBA VIP進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)突發(fā)寫(xiě)應(yīng)答不符合協(xié)議，按照協(xié)議，突發(fā)寫(xiě)只需要在寫(xiě)完成后，回復(fù)一個(gè)應(yīng)答信號(hào)即可。
2023-04-03 09:57:51501 今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51307 
存儲(chǔ)在其內(nèi)部的信息不需要更新電路。SRAM具有很高的特點(diǎn)。 ? 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（SDRAM）有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入之前等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，以便與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)總線(xiàn)同步。時(shí)鐘用于驅(qū)動(dòng)有限狀態(tài)機(jī)，并執(zhí)行進(jìn)入命令的管道操作。 英尚存儲(chǔ)芯片供
2022-12-08 16:03:24310 平面到FinFET的過(guò)渡對(duì)SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對(duì)更大的片上SRAM容量的需求不斷增長(zhǎng)，這樣做的時(shí)機(jī)不會(huì)更糟。離SRAM將主導(dǎo)DSA處理器大小的局面并不遙遠(yuǎn)。
2022-11-24 16:07:13551 
FRAM與SRAM的比較。 并口FRAM vs SRAM 具有并行接口的FRAM與電池備用SRAM兼容，可以替代SRAM。通過(guò)用FRAM代替SRAM，客戶(hù)可以期望以下優(yōu)勢(shì)。 1、降低總成本 使用SRAM的系統(tǒng)需要持續(xù)檢查電池狀態(tài)。如果用FRAM替換后，客戶(hù)可以從維護(hù)電池檢查的負(fù)擔(dān)中解放出來(lái)。
2022-03-15 15:43:44648 當(dāng)前有兩個(gè)不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來(lái)，這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中，通...
2022-02-07 12:37:562 隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512 前言：MCU中的SRAM和Flash相當(dāng)于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對(duì)比區(qū)別分類(lèi)SRAMFlash容量容量小容量大讀寫(xiě)速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價(jià)格高昂低廉
2021-10-25 13:36:0914 （異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。下面我司介紹一款4Mbit異步低功耗國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I。
2021-09-22 15:48:251827 LTC3442：具有自動(dòng)突發(fā)模式的微功率同步降壓-升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器工作數(shù)據(jù)表
2021-05-09 11:57:079 SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因此SRAM具有較高的性能，SRAM也有許多種，如Async SRAM （A異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。
2021-04-26 16:21:00979 LTC3859AL：三輸出、降壓/降壓/升壓同步控制器，帶28μA突發(fā)模式IQ數(shù)據(jù)表
2021-04-22 17:54:270 LTC3859A：低IQ，三路輸出，降壓/降壓/升壓同步控制器，具有改進(jìn)的突發(fā)模式操作數(shù)據(jù)表
2021-04-14 15:21:015 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類(lèi)型：靜態(tài)RAM（SRAM），動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，F(xiàn)LASH MEMORY。這里討論
2021-01-11 16:44:201539 嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分；伴隨著工藝前進(jìn)的腳步，對(duì)于SRAM的研究也從未終止過(guò)。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性，隨著系統(tǒng)吞吐率的提升
2020-09-19 11:46:413092 ，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如Async SRAM （異步SRAM）、Sync SRAM （同步高速SRAM）、PBSRAM
2020-09-19 11:42:255924 正確的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的選擇對(duì)于帶寬要求更高，系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢(shì)，以便為其應(yīng)用選擇正確的存儲(chǔ)器。 決定正確的同步
2020-08-03 15:32:331004 
速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM（異步SRAM）、Sync SRAM（同步SRAM）等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)。 半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲(chǔ)矩陣，譯碼驅(qū)動(dòng)電路和讀/寫(xiě)電路等等。 下面介紹幾個(gè)重要的概念： 讀寫(xiě)電
2020-07-16 14:07:444656 
SRAM里，既要求高速度又要求低功耗，這是互相矛盾的兩種要求。宇芯電子主要為工業(yè)控制，物聯(lián)網(wǎng)，智能控制，消費(fèi)類(lèi)電子，儀表儀器等市場(chǎng)領(lǐng)域提供各種類(lèi)型的SRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品，包括低功耗SRAM、高速SRAM、同步SRAM等. SRAM市場(chǎng)動(dòng)向 ●低功耗sram 移動(dòng)電話(huà)
2020-05-27 15:40:27698 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM 不同.不需要刷新操作.控制相對(duì)
2020-05-26 14:17:231291 
的控制器的數(shù)據(jù)帶寬小一些的SRAM設(shè)備，以便減少管腳數(shù)量并減少PCB板上可能的存儲(chǔ)器數(shù)量。然而這種變化將導(dǎo)致降低SRAM接口的性能。 外部SRAM的種類(lèi) 有多種SRAM器件可供選擇。最常見(jiàn)的種類(lèi)如下： 異步SRAM 由于其不依靠時(shí)鐘，所以是最慢的一種SRAM。 同步sram（
2020-04-03 15:58:44971 本應(yīng)用指南所討論的參考設(shè)計(jì)針對(duì)的是 4 字突發(fā) QDR II SRAM 器件。QDR II 架構(gòu)的獨(dú)特性能之一是源同步回送時(shí)鐘 （CQ） 輸出，它與器件輸入時(shí)鐘 （K） 頻率相同，與通過(guò)讀通路輸出
2019-05-23 08:11:002632 
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類(lèi)型的內(nèi)存小。
2019-04-01 16:28:478974 的。 SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步。 DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大。但是讀寫(xiě)速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫(xiě)周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。
2019-04-01 16:24:2934805 3.2.3 SRAM文件匯總
2018-04-10 10:08:2713 即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 SSRAM（Synchronous SRAM）即同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)
2018-01-26 01:26:56542 
文中對(duì)適用于高速突發(fā)通信的基于數(shù)字濾波平方的定時(shí)同步算法進(jìn)行了研究。通過(guò)對(duì)在高速數(shù)據(jù)傳輸通信中，該定時(shí)同步環(huán)路的定時(shí)誤差估計(jì)模塊進(jìn)行并行結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，大幅降低了系統(tǒng)對(duì)于時(shí)鐘的要求，且更加易于實(shí)現(xiàn);將文中
2017-11-18 09:51:094972 
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小。
2017-11-03 16:11:1210700 SRAM 72-Mbit QDR? II+ SRAM 4 字突發(fā)架構(gòu)（2.5 周期讀延遲
2017-10-10 09:00:5116 SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)
2017-10-10 08:58:4211 The CY7C1386D/CY7C1387D SRAM integrates 512K × 36/1M × 18 SRAM cells with advanced synchronous
2017-09-14 17:19:004 主要研究APON中155Mb/s突發(fā)式光收發(fā)模塊及其測(cè)試。對(duì)突發(fā)式光發(fā)射模塊中的自動(dòng)功率控制電路提出了采用峰值功率控制的方法；對(duì)突發(fā)式接收模塊采用了注入鎖相環(huán)法的快速同步技術(shù)和直流耦合的動(dòng)態(tài)閾值判決方案；設(shè)計(jì)了信號(hào)模擬產(chǎn)生器測(cè)試系統(tǒng)檢測(cè)所研制的收發(fā)模塊的性能。
2017-09-02 10:34:5811 根據(jù)突發(fā)OFDM系統(tǒng)的特點(diǎn)，提出了一種具有實(shí)用價(jià)值的OFDM幀同步方法。在經(jīng)典SC算法的基礎(chǔ)上，提出了改進(jìn)型SC算法和基于時(shí)域PN序列的改進(jìn)型SC算法。對(duì)這兩種算法進(jìn)行了仿真對(duì)比，仿真
2013-07-26 11:50:3742 對(duì)于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，選擇合適的同步SRAM是至關(guān)重要的，因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)應(yīng)用需要增加帶寬來(lái)達(dá)到更好的系統(tǒng)性能。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要明白不同種同步SRAM技術(shù)的特色和優(yōu)勢(shì)，從而可以為他們的應(yīng)
2013-01-05 19:44:593484 
0 引言 突發(fā)擴(kuò)頻通信技術(shù)因其具有很強(qiáng)的抗干擾和抗截獲能力，近年來(lái)成為軍事領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。其本質(zhì)是在突發(fā)通信技術(shù)的基礎(chǔ)上，對(duì)收發(fā)信號(hào)分別進(jìn)行擴(kuò)頻和解擴(kuò)，以進(jìn)一步增加信
2012-08-06 08:58:13751 
在采用TDMA 協(xié)議的無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)中, 突發(fā)同步是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù), 一般采用基于多相時(shí)鐘的關(guān)鍵字檢測(cè)法。本文提出了一種新穎的基于數(shù)據(jù)延時(shí)的突發(fā)同步技術(shù), 采用了高速FP 2GA 和ECL 有源延時(shí)
2011-05-13 18:35:4217 同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新
2010-09-11 17:57:541337 
SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?
RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲(chǔ)矩陣（又稱(chēng)存儲(chǔ)體）、地址譯碼器和讀/寫(xiě)電路 3 部分組成。存儲(chǔ)矩陣是存儲(chǔ)
2010-03-24 16:28:393710 SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328274 SRAM的簡(jiǎn)單的讀寫(xiě)操作教程
SRAM的讀寫(xiě)時(shí)序比較簡(jiǎn)單，作為異步時(shí)序設(shè)備，SRAM對(duì)于時(shí)鐘同步的要求不高，可以在低速下運(yùn)行，下面就介紹SRAM的一次讀寫(xiě)操作，在
2010-02-08 16:52:39140 突發(fā)檢測(cè)對(duì)突發(fā)解調(diào)起著初始捕獲同步的重要作用。該文對(duì)未定時(shí)隨機(jī)采樣調(diào)制信號(hào)，提出一種基于平均似然比的突發(fā)檢測(cè)方法，該方法利用平均似然比對(duì)突發(fā)信號(hào)做貝葉斯檢測(cè)，
2010-02-08 16:08:3414 SRAM的結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 15:28:242776 作為下一代互聯(lián)網(wǎng)的關(guān)鍵技術(shù)之一的光突發(fā)交換技術(shù)已受到業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文在介紹光突發(fā)交換基本概念、特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)探討了解決光突發(fā)交換網(wǎng)中突發(fā)數(shù)據(jù)包之間爭(zhēng)奪
2009-09-14 15:53:0111 實(shí)驗(yàn)五? 數(shù)字鎖相環(huán)與位同步
一、?實(shí)驗(yàn)?zāi)康?
??? 1. 掌握數(shù)字鎖相環(huán)工作原理以及觸發(fā)式數(shù)字鎖
2009-04-01 09:27:454862 
基于GMPLS的光突發(fā)交換的原理與網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
基于GMPLS的OBS具有OBS的基本特點(diǎn)，如變長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)單元(突發(fā)包)；控制信息(控制分組)與突發(fā)包
2009-03-04 11:53:38692 
采用時(shí)分多址協(xié)議的光網(wǎng)絡(luò)中, 突發(fā)同步是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù), 一般采用基于多相時(shí)鐘的關(guān)鍵字檢測(cè)法?；趯?duì)異步傳輸模式——無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)的研究，提出了對(duì)AS1773協(xié)議的突發(fā)同步設(shè)計(jì)。
2009-03-04 10:55:0215 新一代NV SRAM技術(shù)
第一代NV SRAM模塊問(wèn)世近20年來(lái)，NV SRAM技術(shù)不斷更新，以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展，同時(shí)滿(mǎn)足新的封裝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求。
發(fā)展與現(xiàn)狀
2008-11-26 08:24:53835 
sram電路圖
2008-10-14 09:55:333299 
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