展望MEMS的未來(lái),紙或塑料將是下一代元件

　　MEMS是近年來(lái)半導(dǎo)體領(lǐng)域中成長(zhǎng)最快速的技術(shù)之一，那么如何準(zhǔn)確預(yù)測(cè)MEMS的未來(lái)？A.M. Fitzgerald and Associates LLC創(chuàng)辦人Alissa Fitzgerald分享對(duì)于MEMS未來(lái)發(fā)展的樂(lè)觀看法，并預(yù)測(cè)將改變游戲規(guī)則的先進(jìn)技術(shù)。

　　在國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）看來(lái)，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)在近幾年來(lái)的半導(dǎo)體領(lǐng)域中成長(zhǎng)最快速，那么如何準(zhǔn)確預(yù)測(cè)MEMS的未來(lái)？在了解MEMS元件的歷史，并查閱有關(guān)MEMS最具創(chuàng)新性的500篇學(xué)術(shù)論文后，MEMS設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)公司A.M. Fitzgerald and Associates LLC創(chuàng)辦人Alissa Fitzgerald在今年的MEMS與傳感器高峰會(huì)議（MEMS & Sensors Executive Congress）發(fā)表演說(shuō)時(shí)分享對(duì)于MEMS未來(lái)發(fā)展的樂(lè)觀看法與預(yù)測(cè)。

　　Fitzgerald 認(rèn)為，“下一個(gè)十億美元的產(chǎn)品就潛藏在大學(xué)的研究文獻(xiàn)中?！?017年的學(xué)術(shù)論文中揭示了有關(guān)被動(dòng)式和近零功耗（near-zero）的傳感器，以及基于紙類(lèi)和塑料的方案取代昂貴矽基方案作為消費(fèi)應(yīng)用和一次性使用的特殊產(chǎn)品等最新進(jìn)展。

　　A.M. Fitzgerald對(duì)于MEMS的未來(lái)發(fā)展成竹在胸，他們致力于將新穎的學(xué)術(shù)和創(chuàng)業(yè)想法應(yīng)用到小型MEMS晶圓廠中，并使其從中受益，就像使用Soitec的商用矽和絕緣層上覆矽（SOI）晶圓的Rogue Valley Microdevices （RVM）公司一樣。

　　Fitzgerald在演講時(shí)談到了MEMS技術(shù)的歷史淵源，最早可以追溯到1980年代酸蝕刻三維（3D）力傳感器的發(fā)展，這致使Kurt Petersen發(fā)明了基于塊狀矽微加工技術(shù)的壓力傳感器。該壓力傳感器最終實(shí)現(xiàn)了噴墨噴嘴，并促使數(shù)位光處理（DLP） MEMS的出現(xiàn)，很快地也有了第一家廠商使用來(lái)自ADI的加速度計(jì)觸發(fā)安全氣囊，這比傳統(tǒng)的管內(nèi)球機(jī)械絆網(wǎng)式技術(shù)更迅速。

　　“從那時(shí)起，博世（Bosch）的深度反應(yīng)離子刻蝕（DRI）制程開(kāi)啟了一個(gè)全新時(shí)代，實(shí)現(xiàn)了世界上第一個(gè)MEMS陀螺儀。薄膜體聲波諧振器（FBAR），以及MEMS壓電和氮化鋁（AlN）薄膜的廣泛使用，也催生了我們今天擁有的各種MEMS元件?！?/p>

　　Fitzgerald說(shuō)，另一個(gè)重要的發(fā)明是“精確對(duì)準(zhǔn)的共晶接合（eutectic bonding），使InvenSense能夠?qū)⒆约业奈Ы雍螹EMS芯片，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)密封，因而無(wú)需額外的封蓋步驟?！?/p>

　　據(jù)Fitzgerald表示，早期，ADI和博世等主要企業(yè)滿足了50%以上的市場(chǎng)需求，其余400家小公司瓜分剩余市場(chǎng)。但隨著智慧型手機(jī)的普及，龐大的消費(fèi)市場(chǎng)已經(jīng)使這400家小公司成為市場(chǎng)的主要力量。

　　那么所有這些消費(fèi)市場(chǎng)的想法來(lái)自何處？Fitzgerald認(rèn)為，在很大程度上可溯源至學(xué)術(shù)界，他們“在大學(xué)實(shí)驗(yàn)室培育創(chuàng)意”，作為尋找問(wèn)題的解決方案。A.M. Fitzgerald等機(jī)構(gòu)將學(xué)者們的想法落實(shí)于設(shè)計(jì)中，并發(fā)展成適于銷(xiāo)售的產(chǎn)品，為當(dāng)今全球兆級(jí)美元的消費(fèi)市場(chǎng)提供動(dòng)能。

　　展望未來(lái)、然后深耕細(xì)作，找出大學(xué)實(shí)驗(yàn)室正在育成中的技術(shù)。Fitzgerald在演講中表示，“經(jīng)查閱2017年500篇名列前茅的論文后，我們對(duì)其進(jìn)行了商業(yè)可行性篩選，預(yù)計(jì)有些技術(shù)將會(huì)改變?nèi)虻挠螒蛞?guī)則?！?/p>

　　未來(lái)的MEMS——紙還是塑料？

　　根據(jù)Fitzgerald的說(shuō)法，第一批將改寫(xiě)游戲規(guī)則的技術(shù)將會(huì)來(lái)自是FBAR和聲表面波（SAW）傳感器的新用途。

　　目前，F(xiàn)BAR和SAW技術(shù)主要用于射頻（RF）濾波器。Fitzgerald說(shuō)：“根據(jù)文獻(xiàn)資料顯示，它們也可用于生產(chǎn)無(wú)需電池的被動(dòng)式傳感器;這種無(wú)需電池的傳感器在達(dá)到某個(gè)特定參數(shù)時(shí)，仍然能夠喚醒處理器。”此外，這種傳感器還能提供高度精確的極端溫度檢測(cè)，也能在壓力極限下發(fā)揮作用，甚至可以檢測(cè)特定氣體。

　　她說(shuō)：“這些被動(dòng)傳感器非常適合惡劣環(huán)境，在這種環(huán)境下，你無(wú)法或不能更換電池;而且它們還具有提供零待機(jī)功耗的高性能?！?/p>

　　進(jìn)一步研究2017年的MEMS文獻(xiàn)后，她還發(fā)現(xiàn)了近零功耗元件，有時(shí)也被稱(chēng)為“事件驅(qū)動(dòng)型”傳感器。它們類(lèi)似于被動(dòng)元件，但使用非常小的μA級(jí)電流，在待機(jī)模式下功耗小于1pW。當(dāng)它們感知到特定事件發(fā)生時(shí)，就會(huì)自行喚醒并觸發(fā)應(yīng)用處理器。

　　Fitzgerald舉例說(shuō)：“美國(guó)東北大學(xué)（Northeastern University）已經(jīng)證明，近零功耗的紅外線（IR）傳感器可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于波長(zhǎng)敏感的功能，還可以喚醒物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置或安全監(jiān)控器中的處理器。即使是應(yīng)用于大型陣列中，它們?nèi)匀豢梢允褂眯⌒湍芰坎杉夹g(shù)作為備用電源?！?/p>

　　當(dāng)今許多新型MEMS元件使用壓電材料，不僅僅用于能量采集，而且還能實(shí)現(xiàn)寬音域（wide-range）微型揚(yáng)聲器、磁力計(jì)，甚至變壓器等應(yīng)用，而這些應(yīng)用都不需要授權(quán)高效率但昂貴的DRI制程。

　　Fitzgerald說(shuō)：“對(duì)于低廉的裝置和物聯(lián)網(wǎng)來(lái)說(shuō)，消費(fèi)市場(chǎng)業(yè)已成熟，因?yàn)樗梢酝高^(guò)大規(guī)模量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)一次性使用?！?/p>

　　同時(shí)，MEMS研究人員正致力于探索替代昂貴矽晶的方法。Fitzgerald表示，在2004年，全世界有90%的MEMS元件采用塊狀矽或矽基板的表面制造;但在文獻(xiàn)描述的下一代元件中，有一半是塑料或甚至是紙基板。

　　她說(shuō)：“基于紙類(lèi)的技術(shù)正日益取代耗資數(shù)十億美元的昂貴矽晶圓廠，特別是針對(duì)僅使用一次的拋棄式應(yīng)用，通常只需要價(jià)格不到1美分的傳感器?！被谒芰匣蚣埢宓脑幌裎菢涌焖倩蚓_，但其性能足以滿足短暫使用或經(jīng)常更換的消費(fèi)產(chǎn)品，以及一次性的拋棄式應(yīng)用需求。

　　例如，紙傳感器可用于檢測(cè)特定類(lèi)型的細(xì)菌。這些元件能夠減少對(duì)于各種抗生素的需求，特別是因?yàn)樵S多抗生素可能促使超級(jí)細(xì)菌進(jìn)化。同樣地，紙質(zhì)的食品包裝可以嵌入紙基元件中，告知消費(fèi)者食品實(shí)際上是否已經(jīng)變質(zhì)，以取代當(dāng)今不夠精確的“有效期限”戳章。

　　Fitzgerald說(shuō)：“預(yù)計(jì)在2020年以后，人們將會(huì)看到一系列壓電事件驅(qū)動(dòng)的新型傳感器;而到了2030年，我們將會(huì)看到紙類(lèi)和塑料傳感器的大幅成長(zhǎng)?！?/p>

　　她說(shuō)，內(nèi)建讀數(shù)的CMOS+傳感器設(shè)計(jì)仍然需要采用矽。但是，“隨著對(duì)于矽晶技術(shù)的研究趨緩，轉(zhuǎn)而青睞更便宜的紙類(lèi)元件，矽晶技術(shù)存在停滯不前的風(fēng)險(xiǎn)?！?/p>