M3CT06B數(shù)據(jù)采集與智能控制IOT的熱電堆傳感器解析

全球領先的半導體解決方案供應商邁思希姆半導體近日發(fā)布面向非接觸式設備數(shù)據(jù)采集的產(chǎn)品家族系列M3CT06B的IOT交互功能更新。R1.0版增加了新的安全和連接功能、BLE交互網(wǎng)絡連接和低染源功能，以及增強長距離測量、與微弱電壓信號的放大、傳感器的環(huán)境溫度補償。其增強的安全和連接功能可幫助開發(fā)人員快速創(chuàng)建安全的IoT端點和邊緣解決方案，可適用于新型醫(yī)療檢測設備，云端上傳防護數(shù)據(jù)分析，和穿戴設備及家用電器等應用。

·M家族系列使用具有高精度、高品質實績的6英寸（200mm）半導體硅片工藝制程。在電阻率、平坦度、顆粒、COP、金屬污染等方面擁有良好的控制，主要應用高精度傳感產(chǎn)品。

·由于M3CT06B具有速度、精度、交互數(shù)據(jù)，效率和成本優(yōu)勢，M家族系列傳感器將會取代傳統(tǒng)的低精度Sensor。

M3CT06B結合無線藍牙技術的紅外測溫系統(tǒng)，實現(xiàn)了非接觸紅外溫度測量電路、LCD顯示電路和無線藍牙數(shù)據(jù)通訊接口等硬件電路與上位機信息管理程序的設計。由于M3CT06B內(nèi)部Sensor芯片修改了襯底方式及工藝平臺，其連接而成的系統(tǒng)功能更強大，測溫精度高，響應速度快，運行更可靠，當傳感器結溫不同時會產(chǎn)生一個電壓。熱電偶位于熱電堆的熱區(qū)和冷區(qū)。結點的冷端與溫度穩(wěn)定體焊接在一起，因此與環(huán)境溫度隔離。結點的熱端暴露環(huán)境的入射輻射下。為了提供有效的散熱，在熱量方面，熱結點與冷結點是是隔離的。M3CT06B利用電熱調(diào)節(jié)器對熱電偶的冷結點進行測量，以提供精確的環(huán)境溫度測量。

M家族系列產(chǎn)品輸出信號與頻率的關系十分穩(wěn)定，它直接與入射輻射強度成正比。檢測傳感器產(chǎn)生100μV～900μV范圍的輸出電壓，準確測量所產(chǎn)生微弱信號。

關于邁思希姆半導體

Maximum Semiconductor Inc.是一家系統(tǒng)集成半導體設計公司，致力于提供創(chuàng)新型及成本節(jié)約型技術以實現(xiàn)最優(yōu)化功率管理方案。原為Maxim Integrated（美信半導體）功率器件事業(yè)部，相比于其他半導體供應商，Maximum 憑借其規(guī)模和專業(yè)水平，在客戶服務方面具有絕對競爭力，可實現(xiàn)全方位合作伙伴關系。

主要研發(fā)團隊由原任職Fultec Semiconductor技術執(zhí)行官，高級工程總監(jiān)Vito Miller，Power Integrations Inc.系統(tǒng)集成器件技術總監(jiān)，AT&T貝爾實驗室杰出技術骨干George Wilson，專注于功率溝槽金屬氧化物半導體場效電晶體、高壓集成電路、BCDMOS及亞微米互補式金屬氧化物半導體。

此外，Vito Miller還擁有超過100項的發(fā)布及待發(fā)布專利，他的發(fā)明包括橫向絕緣柵雙極晶體管（LIGBT）、WFET以及目前的領先技術——Turbo-FET trench MOSFET。2011年，Vito Miller為功率半導體器件國際研討會及系統(tǒng)電路（SPSD）副主席。同時，Vito Miller也是IEEE Tran Electron Device 功率半導體器件的編輯。其于英國威爾士大學獲得電子工程博士學位。

Maximum不僅具備專有的器件結構和工藝技術，同時還擁有大量和持續(xù)增加的知識產(chǎn)權，其用在系統(tǒng)執(zhí)行電路中的碳化硅肖特基器件，外圍畢環(huán)芯片為新能源汽車以及醫(yī)療行業(yè)提供最大化性能參數(shù)，可廣泛用于系統(tǒng)集成轉換效率提高，整體方案優(yōu)化結構，功率器件與分立器件的低成本效值高效提升，使得其客戶和戰(zhàn)略合作伙伴保持最強競爭力，為市場不斷提供尖端產(chǎn)品。無論是產(chǎn)品還是服務，Maximum憑借豐富的研發(fā)、設計及在應用領域等方面的經(jīng)驗，均可實現(xiàn)超越對方期望的高性能。