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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>英飛凌OptiMOS? TOLx系列推出全新封裝

英飛凌OptiMOS? TOLx系列推出全新封裝

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2010-03-01 11:20:47731

英飛凌推出可擴(kuò)展的全套高溫8位MCU系列

英飛凌推出可擴(kuò)展的全套高溫8位MCU系列 在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術(shù)展會(huì)上,英飛凌科技股份公司宣布推出可擴(kuò)展的全套高溫8位微控制器(MCU)系列。該系列可在高
2010-03-10 10:56:54674

英飛凌推出8位微控制器XC800 150℃系列,可以不受限制

英飛凌推出8位微控制器XC800 150℃系列,可以不受限制工作于150℃的高溫環(huán)境 在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術(shù)展會(huì)上,英飛凌科技股份公司宣布推出可擴(kuò)展的全套高溫8
2010-03-11 10:35:09917

英飛凌在中國(guó)推出兩個(gè)新的8位微控制器XC82x/XC83x

英飛凌在中國(guó)推出兩個(gè)新的8位微控制器XC82x/XC83x 近日,英飛凌科技股份公司推出功能強(qiáng)大的兩個(gè)全新單片機(jī)系列,進(jìn)一步充實(shí)了其XC800微控制器(MCU)家
2010-03-25 12:21:29876

盛群推出全新系列具RF發(fā)射功能的MCU

盛群推出全新系列具RF發(fā)射功能的MCU 盛群(Holtek)推出全新系列具RF發(fā)射功能的MCU,有I/O型的HT48R01T3/HT68F03T3及A/D型的HT46R01T3/HT66F03T3,都是16-NSOP封裝。全系列符合工業(yè)上-40
2010-04-07 10:47:43687

創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)

創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù) 英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
2010-05-11 17:32:472392

用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK

用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:101061

英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗)與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672

全新30V MOSFET 的N溝道器件OptiMOS-T2

基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù),OptiMOS-T2器件成為大電流汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)和汽車(chē)啟停系統(tǒng)的理想解決方案。 出于成
2010-08-09 09:08:22558

SCHOTT推出全新觸控玻璃材料Xensation系列

SCHOTT公司宣布推出全新觸控玻璃材料 Xensation 系列,可針對(duì)不同觸控玻璃需求提供全系列產(chǎn)品,以因應(yīng)消費(fèi)性電子產(chǎn)品上搭載觸控屏幕的龐大需求
2011-06-18 09:13:561032

英飛凌推出可信平臺(tái)模塊(TPM)芯片

英飛凌科技推出可信平臺(tái)模塊(TPM)芯片。TPM是谷歌Chromebook的安全架構(gòu)不可或缺的組成部分。英飛凌成為適合與面向網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的全新操作系統(tǒng)結(jié)合使用的TPM芯片的首家供應(yīng)商
2011-08-04 08:45:342126

英飛凌推出全新接收前端模塊系列:BGM103xN7

英飛凌科技股份公司近日宣布推出確保智能手機(jī)和其他移動(dòng)終端實(shí)現(xiàn)全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)(GNSS)功能的全新接收前端模塊系列。
2011-08-11 09:32:24790

英飛凌推出單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品:OptiMOS P2

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692

英飛凌推出新型汽車(chē)電源管理40V P通道OptiMOS P2系列

英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車(chē)電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41648

英飛凌推出汽車(chē)應(yīng)用微控制器多核架構(gòu)

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出其32位微控制器(MCU)多核架構(gòu)。這種全新架構(gòu)是英飛凌可滿(mǎn)足未來(lái)汽車(chē)動(dòng)力總成和安全應(yīng)用需求的新一代微控制器的基礎(chǔ)。這種多核
2011-10-26 08:56:42620

英飛凌科技推出汽車(chē)封裝無(wú)鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車(chē)封裝類(lèi)型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451014

英飛凌推出全新XMC4000 32位單片機(jī)

英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機(jī)產(chǎn)品家族,它們選用ARM?的Cortex?-M4處理器。英飛凌利用自身在開(kāi)發(fā)針對(duì)應(yīng)用而優(yōu)化的外設(shè),并具備出色的實(shí)時(shí)功能的單片機(jī)方面的30多年的豐
2012-02-22 09:22:591285

英飛凌全新32位單片機(jī)XMC4000面向工業(yè)應(yīng)用

英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機(jī)產(chǎn)品家族,它們選用ARM的Cortex-M4處理器。英飛凌利用自身在開(kāi)發(fā)針對(duì)應(yīng)用而優(yōu)化的外設(shè),并具備出色的實(shí)時(shí)功能的單片機(jī)方面的30多年的豐富
2012-03-01 08:58:001136

英飛凌推出車(chē)用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本體二極體

英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車(chē)用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車(chē)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458

英飛凌TVS二極體系列保護(hù)天線裝置免受ESD影響

近日,英飛凌科技推出全新的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極體系列,保護(hù)天線及前端設(shè)備免受到瞬態(tài)電壓影響。全新的二極體系列可吸收靜電放電ESD,防止天線系統(tǒng)遭受損壞。
2013-07-05 10:58:402792

英飛凌推出高功率模塊平臺(tái),為業(yè)界提供免授權(quán)費(fèi)封裝設(shè)計(jì)許可

2014年12月17日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺(tái),用以提升 1200V 至 6.5 kV 電壓級(jí)別的高壓 IGBT的性能。
2014-12-18 09:51:511150

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡(luò)盟日前宣布新增來(lái)自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381391

英飛凌推出OptiMOS 5 25V和30V產(chǎn)品家族,能效高達(dá)95%以上

2015年3月24日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日推出OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族,它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片,可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516

英飛凌推出全新TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝

  2016年5月3日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)近日推出了TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝。全新封裝適用于瞄準(zhǔn)眾多
2016-05-03 09:57:422033

HMD推出全新Nokia X系列

今天,HMD在北京召開(kāi)發(fā)布會(huì),宣布面向中國(guó)消費(fèi)者推出全新Nokia X系列,且一并帶來(lái)了該系列第一款產(chǎn)品Nokia X6。
2018-05-17 17:13:00884

天合光能推出四大全新系列組件,直擊光伏市場(chǎng)的需求

天合光能正式宣布宣布推出四大全新系列組件:天鯨、天鰲、天鰲雙核及天雀。
2019-03-24 08:28:002195

關(guān)于英飛凌OptiMOS實(shí)現(xiàn)這款90W車(chē)載充電器方案介紹

英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一,在導(dǎo)通電阻的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗(yàn)以滿(mǎn)足高性能的需求;加入增強(qiáng)模式,可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513180

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過(guò)技術(shù)革新,為高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用樹(shù)立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類(lèi)產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
2021-12-03 10:50:381073

英飛凌推出全新OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡(jiǎn)稱(chēng)SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹(shù)立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹(shù)立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161651

英飛凌CoolGaN技術(shù)開(kāi)啟電力電子新時(shí)代?

英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當(dāng)今的每一項(xiàng)尖端硅技術(shù)與寬帶對(duì)應(yīng)技術(shù)相結(jié)合?;谑袌?chǎng)上已經(jīng)推出的 CoolSiC? 技術(shù),英飛凌推出全新的 CoolGaN? 解決方案,這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11795

什么是OptiMOS MOSFET?

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車(chē)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率位居全球第一,特別是在汽車(chē)
2022-08-19 15:05:053321

英飛凌推出車(chē)用全新XENSIV? TLE4971系列傳感器

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出全新的XENSIV TLE4971系列傳感器,進(jìn)一步豐富其車(chē)用傳感器組合產(chǎn)品陣容。這款3.3V的 XENSIV
2022-12-13 16:31:55382

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53785

英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn),以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì),英飛凌科技有限公司推出全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758

英飛凌推出采用小型封裝且超低功耗的全新PDM麥克風(fēng)

英飛凌的MEMS麥克風(fēng)開(kāi)發(fā)戰(zhàn)略涵蓋了主要的構(gòu)建模塊MEMS、ASIC和該傳感器系列封裝。因此,英飛凌完全掌握著其產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和技術(shù)創(chuàng)新。如今,英飛凌在自主技術(shù)的基礎(chǔ)上推出了最新XENSIV? MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品,一款超低功耗的數(shù)字麥克風(fēng)IM69D128S。
2023-03-07 13:47:04870

學(xué)技術(shù) |英飛凌推出支持第五代CAPSENSE?技術(shù)的PSoC? 4100S Max,更優(yōu)性能、更低的功耗與成本滿(mǎn)足人機(jī)交互需求

英飛凌科技近日宣布推出全新PSoC4100SMax系列:該產(chǎn)品帶有擴(kuò)展的閃存器件與通用輸入/輸出接
2022-11-24 17:04:28428

英飛凌推出新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車(chē) MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹(shù)立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12519

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01311

英飛凌推出支持多重傳感應(yīng)用的超低功耗微控制器PSoC? 4000T

英飛凌科技近日宣布推出PSoC? 4000T系列微控制器(MCU)。這一全新的MCU系列以出色的信噪比、防水特性和多重傳感功能,以及最高的可靠性和魯棒性,實(shí)現(xiàn)了同類(lèi)最佳的低功耗電容式傳感解決方案。
2023-12-24 16:48:46350

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

英飛凌全新推出PSoC Edge產(chǎn)品系列

MCU作為電子產(chǎn)品的核心部件之一,在半導(dǎo)體市場(chǎng)中逐漸占據(jù)重要地位。英飛凌MCU產(chǎn)品覆蓋從簡(jiǎn)單低成本到高性能專(zhuān)用全系列的各種組合,集成了出色的性能、連接能力和安全功能,能夠被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,消費(fèi)電子產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備應(yīng)用等多種場(chǎng)合。
2024-01-19 12:38:27380

英飛凌推出全新TDA388xx系列同步降壓穩(wěn)壓器

隨著現(xiàn)代功率系統(tǒng)的日益復(fù)雜和高密度化,對(duì)高效且設(shè)計(jì)緊湊的穩(wěn)壓器的需求也日益迫切。英飛凌科技股份公司深知這一挑戰(zhàn),并針對(duì)服務(wù)器、AI、數(shù)據(jù)通信、電信和存儲(chǔ)市場(chǎng)推出全新的TDA388xx系列同步降壓穩(wěn)壓器。
2024-01-25 16:10:52219

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,近日推出全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設(shè)計(jì)人員提供了滿(mǎn)足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29130

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