雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢?是什么原因呢?
2023-04-21 16:13:13
高可靠性的線(xiàn)路板具有什么特點(diǎn)?
2021-04-25 08:16:53
Multisim 14.2中,單結(jié)晶體管BT33怎么輸入和仿真,或者用哪個(gè)來(lái)代替,謝謝!比如上圖中的,BT33和BT169在軟件中沒(méi)有找到。請(qǐng)問(wèn)一下怎么解決。感謝!
2020-03-20 22:05:43
,是一款綠色環(huán)保的電子元器件,可應(yīng)用于汽車(chē)和工業(yè)用途的通用變頻器等領(lǐng)域。 圖1 RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)封裝情況和電氣原理圖RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管
2019-04-09 06:20:10
工程是企業(yè)開(kāi)展全球化競(jìng)爭(zhēng)的門(mén)檻,也是企業(yè)在日益劇烈的市場(chǎng)當(dāng)中脫穎而出的致勝法寶!四、為什么PCB的高可靠性應(yīng)當(dāng)引起重視?作為各種電子元器件的載體和電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~,PCB決定了電子封裝的質(zhì)量和可靠性。隨著
2020-07-03 11:09:11
本電路如下圖所示,他是一款單節(jié)晶體管性能檢測(cè)電路。被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(如:BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。
2021-04-23 06:37:06
可靠性”,原因在于“高可靠性”不僅僅關(guān)系到企業(yè)自身的長(zhǎng)足、穩(wěn)健發(fā)展,更直接影響到下游客戶(hù)的品牌聲譽(yù)、乃至行業(yè)以及國(guó)家在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中的市場(chǎng)形象。1.以終為始,牢記使命不動(dòng)搖念念不忘必有回響!以“為客戶(hù)提供
2020-07-08 17:10:00
市場(chǎng)份額、提高經(jīng)濟(jì)效益。五、如何評(píng)估PCB是否具備高可靠性?高可靠性是結(jié)合“工程技術(shù)”與“管理藝術(shù)”的一種實(shí)踐科學(xué),穩(wěn)健地產(chǎn)出高可靠PCB須建立一整套“規(guī)范、高效、協(xié)同、可控”的管理程序,要求工廠(chǎng)必須全方位管
2020-07-03 11:18:02
什么是單結(jié)晶體管原理(UJT-基極二極管)單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)UJT)又稱(chēng)基極二極管,它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它的基片為條狀的高阻N型硅片,兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極
2009-04-26 15:20:02
請(qǐng)教:?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)晶體管在什么位置,有人說(shuō)是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真(電力電子技術(shù)的初學(xué)者)。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1:開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候,點(diǎn)擊仿真,發(fā)光二極管不亮 。:2:初始時(shí)刻,開(kāi)關(guān)打開(kāi),點(diǎn)擊仿真后,點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合,二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎,為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管及觸發(fā)電路
2012-08-20 08:48:57
單結(jié)晶體管振蕩器的基本電路
2009-09-22 09:03:18
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 17:45 編輯
單結(jié)晶體管期間在multisim11哪能找到
2015-09-14 17:38:22
單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)UJT)又稱(chēng)基極二極管,它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它的基片為條狀的高阻N型硅片,兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。
2021-05-24 06:26:48
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管,請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么?能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性?
2024-01-21 13:25:27
單結(jié)晶體管的等效電路[hide][/hide]
2009-09-22 09:02:00
單結(jié)晶體管有一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極,一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極,所以又稱(chēng)雙基極二極管。其結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號(hào)如下圖所示。a、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu);b、等效電路;c、電路符號(hào)它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的移相范圍是多少,大家知道嗎?求解答。
2015-04-15 23:34:14
單結(jié)晶體管觸發(fā)電路具有哪些特點(diǎn)?自動(dòng)控制系統(tǒng)中基本環(huán)節(jié)的有哪些?多諧振蕩器是一種常用的產(chǎn)生什么的電路?
2021-09-18 08:36:29
,是另一種固態(tài)三端設(shè)備,可用于柵極脈沖、定時(shí)電路和觸發(fā)發(fā)生器,用于交流功率控制型應(yīng)用中開(kāi)關(guān)和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣,單結(jié)晶體管是由單獨(dú)的 p 型和 n 型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的,在器件的主導(dǎo) n
2022-04-26 14:43:33
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的?
2023-04-26 15:07:51
就和圖上這樣,單相橋式全控整流電路用兩個(gè)單結(jié)晶體管電路分別對(duì)兩組晶閘管進(jìn)行觸發(fā)可以嗎?謝謝。
2018-12-21 12:11:04
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件,以滿(mǎn)足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案,這類(lèi)電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示,半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
如何采用功率集成模塊設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性的太陽(yáng)能逆變器?
2021-06-17 06:22:27
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件,以滿(mǎn)足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案,這類(lèi)電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示,半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶(hù)安裝后質(zhì)量、直接用戶(hù)調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性,從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集?如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性?
2021-04-09 06:13:03
VD1~VD3和單結(jié)晶體管VT3組成。繼電器控制電路由電阻器R6與R7、電容器C4與C5、二極管VD4與VD5、穩(wěn)壓二極管ZD2與ZD3、晶體管VT2、發(fā)光二極管LED和繼電器K組成。接通+24V
2023-02-06 16:21:59
低價(jià)銷(xiāo)售成品PCB(單相橋式半控整流電路及單結(jié)晶體管觸發(fā)電路)每塊40元,不包含元器件,有意者從速
2012-12-09 12:11:45
甲烷傳感器的特點(diǎn)甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設(shè)計(jì)
2021-04-09 06:41:47
,而且縮小器尺寸比運(yùn)用硅雙極結(jié)晶體管(SiBJT)或橫向分散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件的產(chǎn)品減小50% 封裝和供貨: 2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨,在密封的焊料密封封裝
2012-12-06 17:09:16
實(shí)現(xiàn)了良好的二極管導(dǎo)電性。優(yōu)化設(shè)計(jì)的1.2kV級(jí)SBD嵌入式MOSFET導(dǎo)通電流特性評(píng)估結(jié)果證實(shí),采用格子花紋設(shè)計(jì)將嵌入式SBD靠近體二極管可以有效限制寄生二極管雙極性導(dǎo)通,相同SBD占位面積條件下
2023-04-11 15:29:18
程控單結(jié)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)PUT,是PNPN四層三端器件。其結(jié)構(gòu)、電路符號(hào)、等效電路和基本電路如下圖所示。 PUT的門(mén)極G(控制柵極)引自靠近陽(yáng)極的N區(qū),結(jié)構(gòu)上像一種N柵可控硅。(a)PUT的結(jié)構(gòu);(b
2018-01-22 15:23:21
程控單結(jié)晶體管(PUT)具有敏發(fā)炅敏度高、速度快、功耗低和動(dòng)態(tài)電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此廣泛應(yīng)用于各種脈沖電路和晶閘管控制系統(tǒng)。PUT張弛振蕩電路上圖是PUT的基本張弛振蕩電路。它和普通單結(jié)晶體管張弛
2018-01-23 11:47:39
所需的組件,降低系統(tǒng)成本,提高可靠性?! ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀(guān)察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖,然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
請(qǐng)問(wèn)單結(jié)晶體管BT33可以和場(chǎng)效應(yīng)管BT33互換嗎?
2023-03-22 11:09:11
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。來(lái)源:上上電子網(wǎng)——W W W .dianzi333.com 判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是:把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋,黑表筆接假設(shè)
2013-05-27 15:23:44
RC與單結(jié)晶體管振蕩器通常的器件都是正阻特性的,即端電壓增加,電流也增加。但單結(jié)晶體管及一些其它器件則具有負(fù)阻特性,即端電壓增加,電流反而下降。負(fù)阻特性在振蕩
2009-09-22 09:33:500 單結(jié)晶體管(雙基極二極管)原理單結(jié)晶體管B1和B2的判斷方法是:把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋,用黑表筆接發(fā)射極,紅表筆分別接另外兩極,兩次測(cè)量中,電阻大的
2010-01-13 16:19:4873 單結(jié)晶體管原
2006-04-16 23:34:1612568 單結(jié)晶體管
2006-04-16 23:35:192226
單結(jié)晶體管原理
2006-06-30 13:15:30792 (1)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路如圖3-5所示
圖3-5 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路原理
2008-09-25 21:53:1441383
12V單結(jié)晶體管充電電路圖
2009-01-10 11:59:46812
單結(jié)晶體管單穏觸發(fā)器電路圖
2009-04-06 08:38:31797
單結(jié)晶體管脈沖發(fā)生器電路圖
2009-04-07 09:26:16692
單結(jié)晶體管順序定時(shí)器電路圖
2009-04-14 09:15:482216
12V單結(jié)晶體管充電電路
2009-04-17 11:23:01532 單結(jié)晶體管(雙基極二極管)的工作原理
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。
2009-04-26 11:50:264342 單結(jié)晶體管原理(UJT-基極二極管)
單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)UJT)又稱(chēng)基極二極管,它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它的基
2009-04-26 15:11:162663
單結(jié)晶體管基本電路圖
2009-05-08 14:01:32965 單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)
晶閘管的觸發(fā)電路有很多,其中比較常見(jiàn)的有單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。單結(jié)晶體管又稱(chēng)雙基極二極管,有一個(gè)發(fā)射極
2009-06-20 22:38:542273 單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電路
晶閘管的觸發(fā)電路有很多,其中比較常見(jiàn)的有單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。單結(jié)晶
2009-06-20 22:39:2013185 單結(jié)晶體管的檢測(cè)
2.2.1 發(fā)射極E 的判別把萬(wàn)用表置于R伊100贅擋或R伊1k贅擋,黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極,紅表筆接另外兩極,當(dāng)
2009-06-20 22:41:315344 單結(jié)晶體管(雙基極二極管)原理
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。
2009-07-16 22:55:53782 單結(jié)晶體管原理
單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)UJT)又稱(chēng)基極二極管,它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它的基片為條狀的高阻N型硅片,兩端分別
2009-07-16 22:59:06885 單結(jié)晶體管(雙基極二極管)原理
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,它的符號(hào)
2009-07-25 11:34:361676
單結(jié)晶體管(雙基極二極管)
2009-07-25 14:43:43607
單結(jié)晶體管的符號(hào)及等效電路圖
2009-07-31 17:35:555952
如何測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比
2009-08-12 11:44:511770
如何速測(cè)單結(jié)晶體管
2009-08-12 11:47:15872
單結(jié)晶體管工作
2009-11-07 09:17:39718
單結(jié)晶體管
2009-11-07 09:26:01723 程控單結(jié)晶體管(PUT)應(yīng)用及原理
程控單結(jié)晶體管PUT(Programmable Uniguction Tr-ansistor),又稱(chēng)可編程
2010-02-06 09:37:173946 雙基極二極管/單結(jié)晶體管是什么意思
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,是具有一個(gè)PN結(jié)的三端負(fù)阻器件。
2010-02-27 15:54:092107 單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和等效電路
單結(jié)晶體管的外形圖如圖1所示。在一個(gè)低摻雜的N型硅棒上利用擴(kuò)散工藝形成一個(gè)高摻雜P區(qū),在P區(qū)與N區(qū)接觸面形成PN結(jié),就構(gòu)成單結(jié)晶
2010-02-27 15:56:102418 單結(jié)晶體管的特性/主要參數(shù)
單結(jié)晶體管的特性
從圖1可以看出,兩基極b1與b2之間的電阻稱(chēng)為基極電阻:rbb=rb1+rb2式中:rb1----第一基極與發(fā)射結(jié)之間的
2010-02-27 15:58:191788 單結(jié)晶體管原理是什么?
單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)UJT)又稱(chēng)雙基極二極管,它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它
2010-02-27 16:00:55575 單結(jié)晶體管各管腳的判別方法/性能好壞的判斷
單結(jié)晶體管各管腳的判別方法
判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E
2010-02-27 16:03:305820 單結(jié)晶體管的應(yīng)用
單結(jié)晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡(jiǎn)單,因此在各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,在構(gòu)成定時(shí)電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應(yīng)用。它的開(kāi)關(guān)特性具有很高
2010-02-27 16:04:101862 單結(jié)晶體管(雙基極二極管)結(jié)構(gòu)原理簡(jiǎn)介
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。
2010-03-03 11:33:031566 單結(jié)晶體管開(kāi)關(guān)電路原理圖
2010-03-29 15:50:582055 單結(jié)晶體管構(gòu)成弛張振蕩電路
單結(jié)晶體管構(gòu)成的弛張振蕩電路如圖2-55(a)所示。設(shè)電容器的初始電壓為0。接通電源后電源通過(guò)電阻R
2010-05-11 11:27:346053 單結(jié)晶體管構(gòu)成晶閘管觸發(fā)電路
用單結(jié)晶體管構(gòu)成的晶閘管觸發(fā)電路如圖1 所示,觸發(fā)電路的有關(guān)電壓波形如圖2 所示。與單結(jié)晶體管
2010-05-11 11:34:275379 單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是:把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋
2011-02-15 11:22:323160 單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是:把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋,黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極
2012-04-01 16:40:3113117 電子專(zhuān)業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——程控單結(jié)晶體管
2016-08-22 16:18:030 電子專(zhuān)業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——單結(jié)晶體管的管腳判別
2016-08-22 16:18:030 單結(jié)晶體管的伏安特性的功能??梢岳肕ultisim 10強(qiáng)大的仿真功能,對(duì)單結(jié)晶體管的測(cè)試電路進(jìn)行數(shù)據(jù)采集。
2019-01-04 09:18:004248 單結(jié)晶體管的管腳判別,Detection of transistors
關(guān)鍵字:?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)晶體管的管腳判別
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管
2018-09-20 18:24:441509 判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是將萬(wàn)用表置于R * 100或R * 1K,黑色表連接假想發(fā)射器,紅色表連接其他兩個(gè)極,當(dāng)有兩個(gè)時(shí),低電阻,黑電表連接。單結(jié)晶體管的發(fā)射極。
2019-09-22 09:33:5617157 程控單結(jié)晶體管PUT(Programmable Uniguction Tr-ansistor),又稱(chēng)可編程單結(jié)晶體管或可調(diào)單結(jié)晶體管,程控單結(jié)晶體管實(shí)質(zhì)上是一個(gè)N極門(mén)控晶閘管的功能,但因它與
2020-07-13 17:09:2816 單結(jié)晶體管是半導(dǎo)體器件,又稱(chēng)基極二極管,雖然有三個(gè)管腳,但它只有一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極,所以把它叫做雙基極二極管。 ? 單結(jié)晶體管工作原理: 在電路中讓基極b2和基極b1電位較正,單結(jié)晶體管處于截止
2021-08-12 14:39:149922 單結(jié)晶體管調(diào)速電路1原理圖下載
2022-02-09 13:50:085 單結(jié)晶體管是一種特殊的電子元件,可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)弛張振蕩,圖1給出的是一個(gè)典型電路。電路利用了單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性,其工作原理如下:電容C在接通電源時(shí)經(jīng)R1充電,其電壓逐漸上升,達(dá)到單結(jié)晶體管的導(dǎo)通電
2022-11-11 09:03:401342 單結(jié)晶體管只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它的基片為條狀的高阻N型硅片,兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2,在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。單結(jié)晶體管廣泛應(yīng)用在振蕩、延時(shí)和觸發(fā)等電路中,最常見(jiàn)的電路就是馳張振蕩器電路。
2023-02-11 17:30:191775 在一個(gè)低摻雜的N型硅棒上利用擴(kuò)散工藝形成一個(gè)高摻雜P區(qū),在P區(qū)與N區(qū)接觸面形成PN結(jié),就構(gòu)成了單結(jié)晶體管(UJT:UnijuctionTransistor)。其
結(jié)構(gòu)示意圖如圖1.5.1(a)所示
2023-03-06 15:35:581
評(píng)論
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