? 中國北京，2022 年?5 月?6日?——設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標(biāo)志著 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:42
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碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02887 
法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布與應(yīng)用材料公司啟動聯(lián)合項(xiàng)目，展開對新一代碳化硅襯底的研發(fā)。
2019-11-19 14:44:48861 海飛樂技術(shù)有限公司是一家以快速恢復(fù)二極管（FRD）、快恢復(fù)模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導(dǎo)體芯片及器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為主營業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復(fù)二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
的基本物理學(xué)特性仍然在阻礙著其性能的進(jìn)一步提高，這限制了創(chuàng)新且又簡單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用，因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓?fù)浒l(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術(shù)在應(yīng)用中同樣也存在挑戰(zhàn)，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
本人想了解下晶圓制造會用到哪些生產(chǎn)輔材或生產(chǎn)耗材
2017-08-24 20:40:10
，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
每小時(shí)幾米?！ ∪欢?，該工藝不適合SiC體積增長。對于碳化硅生產(chǎn)，必須使用稱為物理蒸汽傳輸（PVT）的工藝。該過程在腔室頂部使用晶種，在其下方有SiC源材料，其加熱溫度約為2000 - 2500°C
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快，工程師們越來越多地在尋找新的解決方案，并對技術(shù)提出更多的要求，以滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案，其本身也在不斷改進(jìn)，以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達(dá)偵測
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管關(guān)鍵參數(shù)解讀 從應(yīng)用角度來說，在選擇器件時(shí)，需要優(yōu)先考慮器件能否滿足應(yīng)用要求，然后考慮器件對設(shè)備整體性能的提升幅度，綜合這兩個(gè)因素，列舉如下二極管的關(guān)鍵參數(shù)： 浪涌電流能力
2023-02-28 16:55:45
、10A、15A三等級電流測試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電流比硅快恢復(fù)二極管小，有利提升產(chǎn)品效率?！ 」杩焖倩謴?fù)二極管（10A） 碳化硅肖特基二極管（10A） 硅快恢復(fù)二極管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優(yōu)點(diǎn)，在相同的功率等級下，設(shè)備中功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時(shí)效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
鎵產(chǎn)品線所生產(chǎn)的氮化鎵的相關(guān)器件， 其每瓦特功率的晶圓成本只有相應(yīng)的LDMOS產(chǎn)品的一 半，與基于碳化硅的氮化鎵晶圓相比，在能達(dá)到相同性能的情況下，其量產(chǎn)成本顯著降低。MACOM氮化鎵在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
smt生產(chǎn)線介紹 SMT生產(chǎn)線，表面組裝技術(shù)（SurfaceMountTechnology簡稱SMT）是由混合集成電路技術(shù)發(fā)展而來的新一代電子裝聯(lián)技術(shù)，以采用元器件表面貼裝技術(shù)和回流焊接技術(shù)為特點(diǎn)
2021-07-23 08:54:42
` 誰來闡述一下smt生產(chǎn)線有輻射嗎？`
2020-04-01 17:19:35
用于電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域的優(yōu)勢，尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動場合，開發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實(shí)驗(yàn)室初步用于無感控制驅(qū)動技術(shù)中，為了進(jìn)一步測試功率器件性能，為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
生長氮化鎵結(jié)晶，以研發(fā)更高性能的縱型氮化鎵FET。制成的晶圓的電阻約為10-4Ωcm2，遠(yuǎn)低于碳化硅晶圓（10-3Ωcm2左右）、錯(cuò)位密度為104/cm2、氮化鎵膜厚超過1毫米。研究人員獲得了一塊晶圓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
電機(jī)驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價(jià)比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別適用于對功率密度提升有需求，同時(shí)更強(qiáng)
2023-02-28 16:48:24
的難點(diǎn)，在該碳化硅方案中采用了下面措施降低諧振電感溫升的問題：采用分段氣隙設(shè)計(jì)方法，降低氣隙漏磁與線包耦合帶來的高頻集膚效應(yīng)問題，降低內(nèi)層線包溫度。同時(shí)可以減小過大高頻漏磁帶來的EMI問題；電感和變壓器都
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成員。 相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。 基本半?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
尋求生產(chǎn)線(或投資)合作半導(dǎo)體分立、功率器件領(lǐng)域多種類型的產(chǎn)品（以芯片為主）技術(shù)和市場能力，可組建團(tuán)隊(duì)力量。有成熟的技術(shù)和龐大的市場，大部分有現(xiàn)成客戶，目標(biāo)客戶明確。適合于
2010-07-02 17:14:50
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
和銷售晶圓的全周期集成設(shè)備制造商(IDM)工廠或使用他人設(shè)計(jì)制造的晶圓制造廠制造。在全球晶圓生產(chǎn)能力方面，***、日本和中國的代工廠領(lǐng)先于北美和歐洲的工廠。支持美國芯片制造商的 FABS
2022-07-07 11:34:54
10μs，在設(shè)計(jì)硅IGBT的短路保護(hù)電路時(shí)，建議將短路保護(hù)的檢測延時(shí)和相應(yīng)時(shí)間設(shè)置在5-8μs較為合適?！ ?）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護(hù)在3
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級））、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)
2018-01-03 09:48:4819904 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些？國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點(diǎn)分析：英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進(jìn)一步加碼
2018-12-06 16:08:00138136 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC（碳化硅）產(chǎn)能，在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動化
2019-05-14 10:24:443586 日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長期的300 mm SOI芯片長期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333457 基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進(jìn)材料領(lǐng)域?qū)＜颐罓柹_(dá)成戰(zhàn)略合作，攜手為電動汽車市場開發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17638 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近年來，電動汽車產(chǎn)銷量不斷增長，同時(shí)越來越多車企將碳化硅產(chǎn)品用于電動汽車上，碳化硅功率半導(dǎo)體的未來市場被極度看好，為此，近日博世、東芝、羅姆等廠商紛紛表示，將大量擴(kuò)大碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
2021-12-14 16:52:563788 ? 北京，2022 年 7 月 22 日——作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國 Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布選用 KLA 公司（納斯達(dá)克股票代碼：KLAC）的檢測技術(shù)，實(shí)現(xiàn)碳化硅
2022-07-22 11:50:36730 
最近晶盛機(jī)電宣布，公司成功生產(chǎn)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機(jī)電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題。
2022-09-07 09:29:442069 來源：中國電子報(bào) 日前，國際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成，未來兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:065310 隨著用于半導(dǎo)體制造的光刻系統(tǒng)變得越來越復(fù)雜，組件供應(yīng)商需要能夠提供最高質(zhì)量的產(chǎn)品以滿足芯片生產(chǎn)當(dāng)前和未來的需求?；谏疃葍?nèi)部研發(fā)，由高性能SiSiC制成，作為輕質(zhì)碳化硅陶瓷基板，實(shí)現(xiàn)了材料特性的最佳平衡，有助于提高芯片質(zhì)量。
2022-12-01 11:10:17714 ? ? 雙方達(dá)成協(xié)議，將針對采用 Soitec 技術(shù)生產(chǎn) 200mm 碳化硅（ SiC ）襯底進(jìn)行驗(yàn)證 Soitec 關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)賦能電動汽車轉(zhuǎn)型，助力工業(yè)系統(tǒng)提升能效 ? 2022 年 12
2022-12-05 14:09:42603 
雙方同意對Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù)，支持汽車電動化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:48616 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達(dá)成協(xié)議。意法半導(dǎo)體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:17679 3.14億美元，2019—2025年復(fù)合增長率為17%。同時(shí)，光伏組件功率密度的持續(xù)提升，也對碳化硅器件性能提出了更高的要求。 要抓住光伏帶來的市場機(jī)遇，碳化硅廠商還需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。 碳化硅高度契合光
2023-04-20 07:15:07583 
意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 據(jù)悉，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司位于廣州市南沙自貿(mào)區(qū)，是一家面向車規(guī)級和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造和研發(fā)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。
2023-06-20 11:26:26443 可以大量生產(chǎn)的制造企業(yè)。隨著新能源汽車市場的增長，行業(yè)對碳化硅的需求將持續(xù)增加，但目前的生產(chǎn)能力非常有限。
2023-06-28 09:59:39359 長達(dá) 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)?；?b class="flag-6" style="color: red">生產(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強(qiáng)化公司致力于從硅向碳化硅半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動，碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線，。國內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競爭。
2023-07-14 16:22:58690 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931 Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292 前段時(shí)間，奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
晶盛機(jī)電公司決定從2017年開始，
碳化硅生長設(shè)備及技術(shù)研發(fā)（r&d）開始，通過研究開發(fā)組的技術(shù)攻堅(jiān)，2018年，公司成功開發(fā)了6英寸生長
碳化硅決定，2020年長征及加工研發(fā)試驗(yàn)
生產(chǎn)線建立?！?/div>
2023-12-06 14:08:17379 第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域，已成為國內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。
2023-12-11 10:46:37464 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:22372 
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