除了阻抗，還有其他問題，即EUV光掩模基礎(chǔ)設(shè)施。光掩模是給定IC設(shè)計的主模板。面膜開發(fā)之后，它被運到制造廠。將掩模放置在光刻工具中。該工具通過掩模投射光，這又掩模在晶片上的圖像。
2017-09-29 09:09:17
12238 通過逐步的說明，本系列說明并向您展示了確保在當(dāng)今最先進(jìn)的節(jié)點中確保布局保真度所需的自對準(zhǔn)模式創(chuàng)建的復(fù)雜性。第1部分介紹了SADP和SAQP。在本期的最后一部分中，我們將向您介紹自對準(zhǔn)光刻蝕刻光刻
2021-04-11 10:54:148411 
掩模版（Photomask）又稱光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等，是光刻工藝中關(guān)鍵部件之一，是下游行業(yè)產(chǎn)品制造過程中的圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具
2023-12-25 11:41:135424 
`集成電路（IC）光掩模，又稱光罩、掩膜版、光刻掩膜版、掩模版等，是下游行業(yè)產(chǎn)品制造過程中的圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具，是承載圖形設(shè)計和工藝技術(shù)等知識產(chǎn)權(quán)信息的載體。掩膜版用于下游電子元器件
2019-12-10 17:18:10
300~500nmKrF：波長248.8nmArF：波長193nm衍射效應(yīng)對光刻圖案的影響左圖是理想的光強(qiáng)分布，由于光的衍射效應(yīng)，實際的光強(qiáng)分布如右圖所示。當(dāng)光的波長與mask的特征尺寸可比時，會產(chǎn)生明顯的衍射效應(yīng)。如上圖所示，透過mask的光相互疊加，使得不該受到光照的區(qū)域被曝光。
2014-09-26 10:35:02
,對準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。 非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠
2012-01-12 10:51:59
，之后經(jīng)過物鏡投射到曝光臺，這里放的就是8寸或者12英寸晶圓，上面涂抹了光刻膠，具有光敏感性，紫外光就會在晶圓上蝕刻出電路?！ 《す?b class="flag-6" style="color: red">器負(fù)責(zé)光源產(chǎn)生，而光源對制程工藝是決定性影響的，隨著半導(dǎo)體工業(yè)節(jié)點
2020-07-07 14:22:55
芯片制造流程其實是多道工序?qū)⒏鞣N特性的材料打磨成形，經(jīng)循環(huán)往復(fù)百次后，在晶圓上“刻”出各種電子特性的區(qū)域，最后形成數(shù)十億個晶體管并被組合成電子元件。那光刻，整個流程中的一個重要步驟，其實并沒有
2020-09-02 17:38:07
SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比
2018-07-12 11:57:08
（電子科技大學(xué) 微電子與固體電子學(xué)院，成都 610054）摘 要：光刻膠技術(shù)是曝光技術(shù)中重要的組成部分,高性能的曝光工具需要有與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。主要圍繞光刻
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
并可作永久隔層。 NR9-P 系列 負(fù)性光刻膠，具有高粘附性適用于電鍍及濕法蝕刻。 NR71-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于干法蝕刻中掩模應(yīng)用并能作為永久隔層。 NR21-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于厚度超過
2010-04-21 10:57:46
在本示例中，模擬了衰減相移掩模。該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。掩模的單元格如下圖所示：掩模的基板被具有兩個開口的吸收材料所覆蓋。在其中一個開口的下方，位于相移區(qū)域。 由于這個例子是所謂的一維
2021-10-22 09:20:17
感光膠，然后通過激光光刻或菲林拷貝制作掩模圖形。同傳統(tǒng)的菲林底版，玻璃干版和氧化鐵版相比，鉻板具有線條精細(xì)，邊緣銳利，刻蝕均勻，加工簡單，抗環(huán)境變化，硬度高抗劃傷，經(jīng)久耐用等許多優(yōu)點。由于LCD生產(chǎn)
2018-11-22 15:45:58
光刻膠的玻璃烘烤一段時間，以使光刻膠中的溶劑揮發(fā)，增加與玻璃表面的粘附性。E. 曝光：用紫外光（UV）通過預(yù)先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發(fā)生反應(yīng)，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模
2019-07-16 17:46:15
后，將負(fù)光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝2條件下進(jìn)行曝光。曝光結(jié)束后，選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮氣吹干。SU-8光刻膠的優(yōu)點：1
2018-07-04 14:42:34
，分別用針?biāo)⒑蜔o紡布研磨，火山灰，噴砂這些預(yù)處理。在研磨板之后進(jìn)行焊接掩模工藝。焊接橋測試膜用于在對準(zhǔn)期間進(jìn)行焊接曝光。開發(fā)和固化后的PCB根據(jù)不同的方法進(jìn)行比較和測試。1） 3M膠帶的拉伸試驗是在用
2019-08-20 16:29:49
各位大俠，我是一個labview的初學(xué)者，請教labview如何生成相位掩模，fd為分波后球面子波的曲率半徑，θ 為相移角
2017-01-09 09:37:01
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
（DUV系統(tǒng)的透鏡）將掩模版上設(shè)計好的電路圖案縮小并聚焦到晶圓上的光刻膠。如之前介紹的那樣，當(dāng)光線照射到光刻膠上時，會產(chǎn)生化學(xué)變化，將掩模版上的圖案印制到光刻膠涂層上。使曝光的圖案完全正確是一項棘手
2022-04-08 15:12:41
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對準(zhǔn)時,硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
可用性。圖1和圖2：B＆W 800系列可變高通對準(zhǔn)濾波器Vishay箔電阻器應(yīng)用團(tuán)隊提出了一項建議，以滿足電路中使用的每個電阻器的要求，以獲得正確的高通對準(zhǔn)，使用VSH類型，為其應(yīng)用提供比封裝S更高
2019-09-19 15:08:05
詳盡的聽力測試。VSH類型不僅提供最佳聲音，它們也是緊湊型設(shè)備，具有通孔可用性。圖1和圖2：B＆W 800系列可變高通對準(zhǔn)濾波器Vishay箔電阻器應(yīng)用團(tuán)隊提出了一項建議，以滿足電路中使用的每個電阻器
2019-04-02 16:23:12
更新所述基準(zhǔn)標(biāo)記的像素位置。兩掩模對準(zhǔn)傳感器間距與兩基板對準(zhǔn)傳感器間距相同。所述掩模對準(zhǔn)傳感器和基板對準(zhǔn)傳感器的排列方向相同，均與光刻機(jī)系統(tǒng)的掃描方向垂直，可以測出基板內(nèi)的高階形變。所述第一標(biāo)記和第二
2018-11-09 16:14:22
曝光：用紫外光（UV）通過預(yù)先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發(fā)生反應(yīng)，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模版在紫外燈下對光刻膠進(jìn)行選擇性曝光：（如圖所示）F． 顯影：用顯影液處理玻璃
2016-06-30 09:03:48
相機(jī)曝光模式有哪幾種種類？如何設(shè)置曝光模式？
2022-03-02 09:34:48
分鐘，去除光刻膠中的溶劑。 (3)曝光 將高壓水銀燈的g線(l=436 nm), i線(l=365nm)通過掩模照射在光刻膠上，使光刻膠獲得與掩模圖形同樣的感光圖形。根據(jù)曝光時掩模的光刻膠的位置關(guān)系
2019-08-16 11:11:34
掩膜圖案的關(guān)鍵步驟。 而其中，還涉及到的材料就是光刻膠，我們要知道電路設(shè)計圖首先通過激光寫在光掩模板上，然后光源通過掩模板照射到附有光刻膠的硅片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)效應(yīng)，再通過顯影
2020-07-07 11:36:10
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
Straightness是獲得XY線性（重復(fù)）精度（Linear Positioning）的關(guān)鍵，是后續(xù)實現(xiàn)六自由度的控制的基石，是多層曝光對準(zhǔn)精度的源頭。 SJ6000
2023-02-20 15:49:07
基于視頻共焦顯微鏡光刻對準(zhǔn)系統(tǒng)設(shè)計研究王魯賓，周金運，宋超（廣東工業(yè)大學(xué)物理與光電工程學(xué)院，廣東 廣州 510006）摘要：針對目前研究的激光投影光刻機(jī)的對準(zhǔn)需要
2009-12-17 14:47:42
14 掩模曝光劑量的精細(xì)控制工藝設(shè)計 胡廣榮 李文石(蘇州大學(xué) 電子信息學(xué)院 微電子學(xué)系，江蘇 蘇州 215021)摘要：本文從光學(xué)鄰近效應(yīng)的機(jī)理出發(fā), 基于區(qū)域劃分掩模特征線
2009-12-21 10:17:1120 GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07
英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者
2010-02-25 10:17:55966 
掩模ROM MCU,什么是掩模ROM MCU
掩膜ROM型產(chǎn)品單價便宜，卻有額外增加開發(fā)費用的風(fēng)險。掩膜ROM型產(chǎn)品的風(fēng)險因素主要有二。首先是掩膜
2010-03-26 11:07:043695 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體市場晶圓鍵合和光刻設(shè)備領(lǐng)先供應(yīng)商EV集團(tuán)(EVG)今日宣布推出IQ Aligner NT，旨針對大容量先進(jìn)封裝應(yīng)用推出的全新自動掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。IQ
2017-03-11 01:04:32970 光刻機(jī)的工作過程是這樣的：逐一曝光完硅片上所有的場（field），亦即分步，然后更換硅片，直至曝光完所有的硅片；當(dāng)對硅片進(jìn)行工藝處理結(jié)束后，更換掩模，接著在硅片上曝光第二層圖形，也就是進(jìn)行重復(fù)曝光
2018-01-18 11:40:4511196 
光刻機(jī)（Mask Aligner） 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
2018-04-10 09:49:17131483 
在半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備中，投資最大、也是最為關(guān)鍵的是光刻機(jī)，光刻機(jī)同時也是精度與難度最高、技術(shù)最為密集、進(jìn)步最快的一種系統(tǒng)性工程設(shè)備。光學(xué)光刻技術(shù)與其它光刻技術(shù)相比，具有生產(chǎn)率高、成本低、易實現(xiàn)高的對準(zhǔn)和套刻精度、掩模制作相對簡單、工藝條件容易掌握等優(yōu)點，一直是半導(dǎo)體芯片制造產(chǎn)業(yè)中的主流光刻技術(shù)。
2018-04-10 11:26:34205917 
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。最初的工序是用光來制作一個掩模版，然后在硅片表面均勻涂抹光刻膠，將掩模版上的圖形或者電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移復(fù)制到硅片上，然后通過光學(xué)刻蝕的方法在硅片上刻蝕出已經(jīng)“復(fù)制”到硅片上的內(nèi)容。
2018-05-03 15:06:1319445 
光刻技術(shù)是包含光刻機(jī)、掩模、光刻材料等一系列技術(shù)，涉及光、機(jī)、電、物理、化學(xué)、材料等多個研究方向。目前科學(xué)家正在探索更短波長的F2激光（波長為157納米）光刻技術(shù)。由于大量的光吸收，獲得用于光刻系統(tǒng)
2019-01-02 16:32:2323711 隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對于 7 納米及更小的高級節(jié)點，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:371712 
應(yīng)用厚的光刻膠，并使用階梯式掩模形成圖案（A thick photoresist is applied and patterned with the stair-step mask.）。 蝕刻和收縮
2019-08-28 14:17:503984 
光刻膠和任何污染物在接觸印刷過程中粘附在面罩上，從而延長了面罩的曝光壽命。 EVG正在為每個掩模對準(zhǔn)器提供技術(shù)許可。 據(jù)德國公司EVG稱，SCM掩模涂層大大延長了掩模清潔周期，但在使用過程中沒有明顯降低特征尺寸分辨率。被稱為電子視覺。這對
2020-02-14 11:06:261257 
作為芯片制造的核心設(shè)備之一，光刻機(jī)對芯片生產(chǎn)的工藝有著決定性影響。 據(jù)悉，光刻機(jī)按照用途可分為生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)、封裝芯片的光刻機(jī)以及用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。其中，生產(chǎn)芯片的High End
2020-06-15 08:05:54999 Aligner) 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。 光刻（Photolithography） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時復(fù)制到硅片上的過程。 一般的光刻工藝要經(jīng)
2020-08-28 14:39:0411746 
來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影
2020-09-15 14:00:1416535 光刻機(jī)又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備，光刻工藝決定了半導(dǎo)體線路的線寬，同時也決定了芯片的性能和功耗。
2020-09-30 16:17:135162 
光刻機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過光線的曝光印制到硅片上。
2020-10-09 11:29:369260 
光刻機(jī)又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備，光刻工藝決定了半導(dǎo)體線路的線寬，同時也決定了芯片的性能和功耗。
2020-10-10 17:17:071496 
光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238 光刻機(jī)（Mask Aligner） 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。
2020-10-16 10:33:39311070 
在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。 根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫
2020-11-11 10:14:2022384 體上，三分之二的調(diào)查參與者認(rèn)為這將產(chǎn)生積極的影響。前往EUV時，口罩的數(shù)量減少了。這是因為EUV將整個行業(yè)帶回單一模式。具有多個圖案的193nm浸入需要在高級節(jié)點處使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091096 膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等數(shù)十道工序才得以最終完成。 正因如此，集數(shù)學(xué)、光學(xué)、物理、化學(xué)等眾多學(xué)科技術(shù)于一身的光刻機(jī)，被稱之為半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠，占據(jù)晶圓廠設(shè)備投資總額的約25%。 在中美關(guān)系緊
2020-11-26 16:19:192472 光刻機(jī)（Mask Aligner） 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-28 14:17:152440 光刻機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-29 09:14:542095 ? 光刻對準(zhǔn)技術(shù)由最初的明場和暗場對準(zhǔn)發(fā)展到后來的干涉全息或外差干涉全息對準(zhǔn)、混合匹配、由粗略到精細(xì)對準(zhǔn)技術(shù)等。對準(zhǔn)精度也由原來的微米級提高到納米級，極大促進(jìn)了集成電路制造業(yè)的發(fā)展。目前的高精度光刻
2021-01-12 11:09:5326142 
光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963 極紫外光刻(EUVL)掩模壽命是要解決的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一，因為該技術(shù)正在為大批量制造做準(zhǔn)備。反射式多層掩模體系結(jié)構(gòu)對紫外線輻射高度敏感，容易受到表面氧化和污染。由于各種表面沉積過程造成的EUV標(biāo)線的污染
2021-12-17 15:22:42870 
光刻機(jī)的曝光方式主要有三種，分別是接觸式曝光、非接觸式曝光和投影式曝光。
2022-01-03 17:31:006982 光刻機(jī)又被稱為掩膜對準(zhǔn)曝光機(jī)，在芯片生產(chǎn)中用于光刻工藝，而光刻工藝又是生產(chǎn)流程中最關(guān)鍵的一步，所以光刻機(jī)又是芯片生產(chǎn)中不可缺少的設(shè)備，總得來說光刻機(jī)是用來制造芯片的。
2022-02-06 07:25:0029436 口罩的透明部分傳播，使其暴露光刻膠不溶于顯影劑溶液，從而使之直接將掩模圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。 在定義模式之后，需要采用蝕刻工藝選擇性地去除屏蔽部分基本層。光刻曝光的性能由三個參數(shù)決定: 分辨率、注冊和吞吐量
2022-03-09 13:36:164884 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。
2022-04-01 14:26:37610 
nm間距以下的特征。特別是，為了確保自對準(zhǔn)通孔(SAV)集成，需要更厚的TiN-HM，以解決由光刻-蝕刻-光刻-蝕刻(LELE)未對準(zhǔn)引起的通孔-金屬產(chǎn)量不足和TDDB問題。由于結(jié)構(gòu)的高縱橫比，如果不去除厚的TiN，則Cu填充工藝明顯更加困難。此外，使用TiN硬掩模時，在線蝕刻和金屬沉積之間可
2022-06-15 16:28:161851 
負(fù)性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一種天然的橡膠；溶劑是二甲苯；感光劑是一種經(jīng)過曝光后釋放出氮氣的光敏劑，產(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)。從而變得不溶于顯影液。負(fù)性光刻膠在曝光區(qū)由溶劑引起泡漲；曝光時光刻膠容易與氮氣反應(yīng)而抑制交聯(lián)。
2022-06-22 11:25:401153 從 2D 擴(kuò)展到異構(gòu)集成和 3D 封裝對于提高半導(dǎo)體器件性能變得越來越重要。近年來，先進(jìn)封裝技術(shù)的復(fù)雜性和可變性都在增加，以支持更廣泛的設(shè)備和應(yīng)用。在本文中，我們研究了傳統(tǒng)光刻方法在先進(jìn)封裝中的局限性，并評估了一種用于后端光刻的新型無掩模曝光。
2022-07-26 10:42:121098 根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:533169 
光刻圖形質(zhì)量的主要判據(jù)是圖形成像的對比度，移相掩模方法可使對比度得到改善，從而使得其分辨率比傳統(tǒng)方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分類方法可分為多種類型，其基本原理均為相鄰?fù)腹鈭D形透過的光振幅相位相反而產(chǎn)生相消干涉，振幅零點和（或）頻譜分布壓窄，從而改善對比度、分辦率和成像質(zhì)量。
2022-10-17 14:54:091490 光刻膠經(jīng)曝光后，其化學(xué)性質(zhì)會發(fā)生改變。更準(zhǔn)確地說，經(jīng)曝光后，光刻膠在顯影液中的溶解度發(fā)生了變化：曝光后溶解度上升的物質(zhì)稱作正性（Positive）光刻膠，反之則為負(fù)性（Negative）光刻膠。
2023-01-31 15:59:491222 光刻掩模版，別稱“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”，一般使用玻璃或者石英表面覆蓋帶有圖案的金屬圖形，實現(xiàn)對光線的遮擋或透過功能，是微電子光刻工藝中的一個工具或者板材。
2023-02-13 09:27:292086 光掩模可以被認(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng)，再到光掩模，再到對準(zhǔn)系統(tǒng)，再到晶圓載物臺，再到光刻膠化學(xué)成分，再到鍍膜機(jī)和顯影劑，再到計量學(xué)，再到單個晶圓。
2023-03-07 10:41:581134 光刻機(jī)是芯片智造的核心設(shè)備之一，也是當(dāng)下尤為復(fù)雜的精密儀器之一。正因為此，荷蘭光刻機(jī)智造商阿斯麥通研制的EUV光刻機(jī)才會“千金難求”。 很多人都對光刻機(jī)有所耳聞，但其實不同光刻機(jī)的用途并不
2023-04-06 08:56:49679 
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻膠層透過掩模被曝光在紫外線之下，變得可溶，掩模上印著預(yù)先設(shè)計好得電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會形成每一層電路圖形。這個原理和老式膠片曝光類似。
2023-04-20 11:50:141524 光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程
2023-04-25 09:55:131058 
根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331244 
晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
掃描儀(scanner)是一種在wafer上創(chuàng)建die images的機(jī)器。它首先通過刻線（有時稱為掩模）將光照射到涂有保護(hù)性光刻膠的wafer上，以刻上刻線圖案的圖像。
2023-05-06 09:51:385204 
光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 
之前的小講堂有介紹過，光刻過程就好比用照相機(jī)拍照，將掩模版上的芯片設(shè)計版圖曝光到晶圓上，從而制造出微小的電路結(jié)構(gòu)。ASML光刻機(jī)的鏡片組使用極其精密的加工手段制造，使得最終像差被控制在納米級別，才能穩(wěn)定地通過曝光印刷微電路。
2023-05-25 10:13:28497 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25421 
光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。
這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，包括掩模基底的低熱膨脹材料的開發(fā)、零缺陷襯底拋光、多層膜缺陷檢查、多層膜缺陷修復(fù)等。
2023-06-07 10:45:541012 
MODEL：XT-01-UVlitho-手動版一、產(chǎn)品簡介光刻技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，是集成電路最重要的加工工藝。光刻膠在紫外光的照射下發(fā)生化學(xué)變化，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程
2022-12-20 09:24:261211 
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-26 17:00:19766 
EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02399 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點和關(guān)鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589 
短波長透明光學(xué)元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對用入射場代替掩模開口上的場的基爾霍夫邊界條件造成了嚴(yán)重的限制，因為這種近似無法考慮光刻圖像
2023-08-25 17:21:43279 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 
隨著工藝節(jié)點不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費的資金成本從數(shù)十萬到上億，呈指數(shù)級增長，同時生產(chǎn)掩模版的時間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保證其設(shè)計有足夠高的品質(zhì)，重新優(yōu)化設(shè)計并再次制造一批掩模版將增加巨大的資金成本和時間成本。
2023-11-02 14:25:59284 
光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過優(yōu)化的光源，通過光刻機(jī)的照明系統(tǒng)，照射在掩模上。如果在實際光刻
2023-12-11 11:35:32288 
掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構(gòu)筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷電路板、微機(jī)電器件等用到光刻技術(shù)的領(lǐng)域也都能見到各種掩模的身影。
2024-01-18 10:25:22146 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 
與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50200 
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