除了阻抗，還有其他問(wèn)題，即EUV光掩模基礎(chǔ)設(shè)施。光掩模是給定IC設(shè)計(jì)的主模板。面膜開(kāi)發(fā)之后，它被運(yùn)到制造廠。將掩模放置在光刻工具中。該工具通過(guò)掩模投射光，這又掩模在晶片上的圖像。
2017-09-29 09:09:17
12238 本Inseto知識(shí)庫(kù)文檔介紹了光刻中使用的掩模對(duì)準(zhǔn)器曝光模式。
2022-07-21 16:57:311649 
掩模版（Photomask）又稱光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等，是光刻工藝中關(guān)鍵部件之一，是下游行業(yè)產(chǎn)品制造過(guò)程中的圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具
2023-12-25 11:41:135424 
`集成電路（IC）光掩模，又稱光罩、掩膜版、光刻掩膜版、掩模版等，是下游行業(yè)產(chǎn)品制造過(guò)程中的圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體。掩膜版用于下游電子元器件
2019-12-10 17:18:10
被顯影液溶解，獲得的圖形與掩模版圖形互補(bǔ)。負(fù)性抗蝕劑的附著力強(qiáng)、靈敏度高、顯影條件要求不嚴(yán)，適于低集成度的器件的生產(chǎn)。 半導(dǎo)體器件和集成電路對(duì)光刻曝光技術(shù)提出了越來(lái)越高的要求，在單位面積上要求完善傳遞
2012-01-12 10:51:59
本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 編輯
先分享光刻的參考資料。============================2014-10-17========光刻分類
2014-09-26 10:35:02
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來(lái)制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運(yùn)用
2018-07-12 11:57:08
提高，才能符合集成工藝制程的要求 [3]。以下幾點(diǎn)為光刻膠制造中的關(guān)鍵技術(shù)：配方技術(shù)、超潔凈技術(shù)、超微量分析技術(shù)及應(yīng)用檢測(cè)能力。 制程特性要求有：涂布均勻性、靈敏度、分辨率及制程寬容度。2 光刻膠的反應(yīng)
2018-08-23 11:56:31
并可作永久隔層。 NR9-P 系列 負(fù)性光刻膠，具有高粘附性適用于電鍍及濕法蝕刻。 NR71-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于干法蝕刻中掩模應(yīng)用并能作為永久隔層。 NR21-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于厚度超過(guò)
2010-04-21 10:57:46
在本示例中，模擬了衰減相移掩模。該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。掩模的單元格如下圖所示：掩模的基板被具有兩個(gè)開(kāi)口的吸收材料所覆蓋。在其中一個(gè)開(kāi)口的下方，位于相移區(qū)域。 由于這個(gè)例子是所謂的一維
2021-10-22 09:20:17
`LCD段碼屏鉻版掩模版:此產(chǎn)品主要應(yīng)用于STN段碼屏產(chǎn)品鉻版掩模版一直是在IC生產(chǎn)中大量使用的光掩模版。鉻板的結(jié)構(gòu)為在精密光學(xué)玻璃的表面面使用磁控濺射真空鍍膜的方式鍍鉻和氧化鉻。在鉻層的表面涂敷
2018-11-22 15:45:58
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來(lái)制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。光刻
2018-07-04 14:42:34
之間的粘附性，并且可以有效地去除銅表面上的松散氧化物層。焊料掩模結(jié)果分析：圖2顯示了不同預(yù)處理和顯影后拋光CCL的焊接掩模的影響。圖。圖3是焊接固化后CCL焊橋的效果。圖。圖4是固化后的焊橋的截面圖。無(wú)
2019-08-20 16:29:49
各位大俠，我是一個(gè)labview的初學(xué)者，請(qǐng)教labview如何生成相位掩模，fd為分波后球面子波的曲率半徑，θ 為相移角
2017-01-09 09:37:01
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過(guò)程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對(duì)光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
就可能在掩膜版上造成損傷,這樣在今后所有利用這塊掩膜版進(jìn)行暴光的硅片上都會(huì)出現(xiàn)這個(gè)缺陷.因此,采用接觸式光刻很難得到?jīng)]有缺陷的超大規(guī)模集成電路芯片,所以接觸式光刻技術(shù)一般只適用于中小規(guī)模集成電路。
2012-01-12 10:56:23
按照這個(gè)教程使用 分析儀http://www.doc88.com/p-7079923775019.html但是我輸入dir vtreg后端口不全，沒(méi)有GPIO的端口，無(wú)法添加到示波器中，請(qǐng)問(wèn)大家知道是什么原因嗎？
2018-09-14 09:28:17
、納米薄膜等方面相關(guān)業(yè)務(wù)。1、激光直寫(最小精度:0.6μm) 適用范圍從干版，鉻版到無(wú)掩模光刻；2、光刻復(fù)制及微納結(jié)構(gòu)刻蝕傳遞；3、納米結(jié)構(gòu)薄膜；4、圖案微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制作。 業(yè)務(wù)聯(lián)系人：張工 電話：１３５５００２１２３５
2016-06-23 16:14:13
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無(wú)線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟： 4簡(jiǎn)敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)（以下簡(jiǎn)稱國(guó)科大）微電子學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院，國(guó)科大微電子學(xué)院開(kāi)設(shè)的《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程是國(guó)內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程，而開(kāi)設(shè)課程
2021-10-14 09:58:07
應(yīng)用于EMI及ESD的新型片式元器件有哪些？
2021-05-31 06:06:13
、納米薄膜等方面相關(guān)業(yè)務(wù)。1、激光直寫(最小精度:0.6μm) 適用范圍從干版，鉻版到無(wú)掩模光刻；2、光刻復(fù)制及微納結(jié)構(gòu)刻蝕傳遞；3、納米結(jié)構(gòu)薄膜；4、圖案微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制作?！I(yè)務(wù)聯(lián)系人：張工 電話：１３５５００２１２ 3 5.
2017-05-09 10:54:39
設(shè)計(jì)（自動(dòng)布局布線-APR）?！ ?shù)字IC后端設(shè)計(jì)是指將前端設(shè)計(jì)產(chǎn)生的門級(jí)網(wǎng)表通過(guò)EDA設(shè)計(jì)工具進(jìn)行布局布線和進(jìn)行物理驗(yàn)證并最終產(chǎn)生供制造用的GDSII數(shù)據(jù)的過(guò)程。其主要工作職責(zé)有：芯片物理結(jié)構(gòu)分析、邏輯分析、建立
2020-12-29 11:53:01
汽車應(yīng)用中的新型傳感技術(shù)有哪些？
2021-05-13 06:50:05
(etching) 經(jīng)過(guò)上述工序后，以復(fù)制到光刻膠上的集成電路的圖形作為掩模，對(duì)下層的材料進(jìn)行腐蝕。腐蝕技術(shù)是利用化學(xué)腐蝕法把材料的某一部分去除的技術(shù)。腐蝕技術(shù)分為兩大類：濕法腐蝕—進(jìn)行腐蝕的化學(xué)物質(zhì)是溶液；干法
2019-08-16 11:11:34
技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域，使掩模板上的電路圖轉(zhuǎn)移到光刻膠上，最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。 而光刻根據(jù)所采用正膠與負(fù)膠之分，劃分為正性光刻和負(fù)性光刻兩種基本工藝。 在正性光刻中，正
2020-07-07 11:36:10
首臺(tái)商用激光器用于工業(yè)市場(chǎng)，其中包括LED激光刻劃用的激光器。 總體來(lái)講，激光用于LED的刻劃優(yōu)勢(shì)是明確的，不過(guò)也面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn)，比如不同材料、厚度、不同案例的刻劃速度等帶來(lái)的差異。為此光譜-物理提供多個(gè)
2011-12-01 11:48:46
151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國(guó)際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
提要：本文討論了光學(xué)光刻中的離軸照明技術(shù)。主要從改善光刻分辨率、增大焦深、提高空間像對(duì)比度等方面對(duì)離軸照明與傳統(tǒng)照明作了比較，并用 仿真軟件進(jìn)行了模擬分析。研
2010-11-11 15:45:02
0 據(jù)Pixelligent Technologies LLC表示，該公司開(kāi)發(fā)出一種據(jù)稱可提高現(xiàn)有光刻設(shè)備分辨率的納米晶（nanocrystalline）材料，使光學(xué)光刻（Optical lithography）可擴(kuò)展至32納米以下。
2009-06-07 18:31:181475 英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無(wú)掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者
2010-02-25 10:17:55966 
掩模ROM MCU,什么是掩模ROM MCU
掩膜ROM型產(chǎn)品單價(jià)便宜，卻有額外增加開(kāi)發(fā)費(fèi)用的風(fēng)險(xiǎn)。掩膜ROM型產(chǎn)品的風(fēng)險(xiǎn)因素主要有二。首先是掩膜
2010-03-26 11:07:043695 本文提到MEMS技術(shù)中所應(yīng)有的光刻技術(shù)，幫助讀者了解光刻技術(shù)的原理，應(yīng)用。
2016-04-28 11:35:320 刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
2018-01-09 13:37:2316784 
光刻機(jī)（Mask Aligner） 又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
2018-04-10 09:49:17131483 
在半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備中，投資最大、也是最為關(guān)鍵的是光刻機(jī)，光刻機(jī)同時(shí)也是精度與難度最高、技術(shù)最為密集、進(jìn)步最快的一種系統(tǒng)性工程設(shè)備。光學(xué)光刻技術(shù)與其它光刻技術(shù)相比，具有生產(chǎn)率高、成本低、易實(shí)現(xiàn)高的對(duì)準(zhǔn)和套刻精度、掩模制作相對(duì)簡(jiǎn)單、工藝條件容易掌握等優(yōu)點(diǎn)，一直是半導(dǎo)體芯片制造產(chǎn)業(yè)中的主流光刻技術(shù)。
2018-04-10 11:26:34205917 
光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得
2018-04-17 16:07:4133630 一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。最初的工序是用光來(lái)制作一個(gè)掩模版，然后在硅片表面均勻涂抹光刻膠，將掩模版上的圖形或者電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移復(fù)制到硅片上，然后通過(guò)光學(xué)刻蝕的方法在硅片上刻蝕出已經(jīng)“復(fù)制”到硅片上的內(nèi)容。
2018-05-03 15:06:1319445 
光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得
2018-06-27 15:43:5011776 光刻技術(shù)是包含光刻機(jī)、掩模、光刻材料等一系列技術(shù)，涉及光、機(jī)、電、物理、化學(xué)、材料等多個(gè)研究方向。目前科學(xué)家正在探索更短波長(zhǎng)的F2激光（波長(zhǎng)為157納米）光刻技術(shù)。由于大量的光吸收，獲得用于光刻系統(tǒng)
2019-01-02 16:32:2323711 浸沒(méi)式掃描光刻機(jī)包含一套透鏡系統(tǒng)，用于使光束穿過(guò)光掩模或“中間掩模”聚焦到半導(dǎo)體晶圓上。它還含有一組密封元件，可在物鏡和半導(dǎo)體襯底之間封入一定體積的液體，由于液體的光線折射率高于空氣，因此可以獲得更高的光學(xué)分辨率和更小的特征尺寸。
2019-05-08 15:27:342703 隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:371712 
應(yīng)用厚的光刻膠，并使用階梯式掩模形成圖案（A thick photoresist is applied and patterned with the stair-step mask.）。 蝕刻和收縮
2019-08-28 14:17:503984 
MUNICH - Karl Suss KG GmbH＆amp;公司今天宣布與硅谷的Image Technology公司合作，開(kāi)發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)化9英寸掩模，用于大批量晶圓凸點(diǎn)和晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的生產(chǎn)?？傮w目標(biāo)是降低晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的掩模成本。
2019-08-13 10:48:592262 據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道，來(lái)自中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所等單位的研究人員，開(kāi)發(fā)了一種新型飛秒激光等離子激元光刻技術(shù)(FPL)。
2020-05-14 11:24:152918 作為芯片制造的核心設(shè)備之一，光刻機(jī)對(duì)芯片生產(chǎn)的工藝有著決定性影響。 據(jù)悉，光刻機(jī)按照用途可分為生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)、封裝芯片的光刻機(jī)以及用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。其中，生產(chǎn)芯片的High End
2020-06-15 08:05:54999 作為光刻工藝中最重要設(shè)備之一，光刻機(jī)一次次革命性的突破，使大模集成電路制造技術(shù)飛速向前發(fā)展。了解提高光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)以及了解下一代光刻技術(shù)的發(fā)展情況是十分重要的。 光刻機(jī) 光刻機(jī)（Mask
2020-08-28 14:39:0411746 
光刻機(jī)又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過(guò)光線的曝光印制到硅片上。光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備，光刻工藝決定了半導(dǎo)體線路的線寬，同時(shí)也決定了芯片的性能和功耗。
2020-09-30 16:17:135162 
光刻機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過(guò)光線的曝光印制到硅片上。
2020-10-09 11:29:369260 
光刻機(jī)（Mask Aligner） 又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。
2020-10-16 10:33:39311070 
幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。 光刻技術(shù)的基本原理 光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感
2020-11-11 10:14:2022384 體上，三分之二的調(diào)查參與者認(rèn)為這將產(chǎn)生積極的影響。前往EUV時(shí)，口罩的數(shù)量減少了。這是因?yàn)镋UV將整個(gè)行業(yè)帶回單一模式。具有多個(gè)圖案的193nm浸入需要在高級(jí)節(jié)點(diǎn)處使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091096 近兩年來(lái)，芯片制造成為了半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的焦點(diǎn)。芯片制造離不開(kāi)光刻機(jī)，而光刻技術(shù)則是光刻機(jī)發(fā)展的重要推動(dòng)力。在過(guò)去數(shù)十載的發(fā)展中，光刻技術(shù)也衍生了多個(gè)分支，除了光刻機(jī)外，還包括光源、光學(xué)元件、光刻膠等材料設(shè)備，也形成了極高的技術(shù)壁壘和錯(cuò)綜復(fù)雜的產(chǎn)業(yè)版圖。
2020-11-27 16:03:3618800 的通訊作者、中科院研究員、博士生導(dǎo)師劉前公開(kāi)回應(yīng)稱，這是一個(gè)誤讀，這一技術(shù)與極紫外光刻技術(shù)是兩回事。 按照劉前的說(shuō)法，如果超高精度激光光刻加工技術(shù)能夠用于高精度掩模版的制造，則有望提高我國(guó)掩模版的制造水平，對(duì)現(xiàn)有光刻機(jī)的芯片
2020-12-02 11:57:005481 光刻機(jī)（Mask Aligner） 又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-28 14:17:152440 光刻機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-29 09:14:542095 光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過(guò)光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963 “厚膜光刻”工藝是一種通過(guò)厚膜金屬化技術(shù)（簡(jiǎn)稱“厚膜技術(shù)”）與光刻技術(shù)相結(jié)合，達(dá)到高精度、低成本、高效率、高靈活性，并已開(kāi)始成熟商用化的新型微納量產(chǎn)制造技術(shù)。
2022-01-17 16:51:091400 
待加工基片上。其被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 一言以蔽之，光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
4562和希普利電鍍光刻膠ED2100。討論了諸如蝕刻硬掩模、微模、用于金屬互連和光塑性模制的嚴(yán)重形貌涂層的應(yīng)用，并且給出了這些抗蝕劑目前在電信和微流體市場(chǎng)中使用的新穎實(shí)例。特別是，展示了用于多種MST原型的光塑性負(fù)性抗蝕劑EPON SU-8的多功能性。討論了微波合成技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2022-03-04 15:05:20669 
光刻是在掩模中轉(zhuǎn)移幾何形狀圖案的過(guò)程，是覆蓋在表面的一層薄薄的輻射敏感材料(稱為抗輻射劑) ，也是一種半導(dǎo)體晶片。 圖5.1簡(jiǎn)要說(shuō)明了光刻用于集成電路制造的工藝。 如圖5.1(b)所示，輻射為通過(guò)
2022-03-09 13:36:164884 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。
2022-04-01 14:26:37610 
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)
2022-05-07 15:11:11621 
介紹 TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已廣泛用于BEOL圖案化，以避免等離子體灰化過(guò)程中的超低k (ULK)損傷。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，新的集成方案必須被用于利用193 nm浸沒(méi)光刻來(lái)圖案化80
2022-06-15 16:28:161851 
光刻機(jī)的原理是接近或接觸光刻，通過(guò)無(wú)限接近，將圖案復(fù)制到掩模上。直寫光刻是將光束聚焦到一個(gè)點(diǎn)上，通過(guò)移動(dòng)工作臺(tái)或透鏡掃描實(shí)現(xiàn)任意圖形處理。投影光刻是集成電路的主流光刻技術(shù)，具有效率高、無(wú)損傷等優(yōu)點(diǎn)。 EUV光刻機(jī)有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工
2022-07-10 15:28:1015099 根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:533169 
光刻圖形質(zhì)量的主要判據(jù)是圖形成像的對(duì)比度，移相掩模方法可使對(duì)比度得到改善，從而使得其分辨率比傳統(tǒng)方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分類方法可分為多種類型，其基本原理均為相鄰?fù)腹鈭D形透過(guò)的光振幅相位相反而產(chǎn)生相消干涉，振幅零點(diǎn)和（或）頻譜分布?jí)赫瑥亩纳茖?duì)比度、分辦率和成像質(zhì)量。
2022-10-17 14:54:091490 Technology，RET)的延伸，其關(guān)鍵技術(shù)主要包括光學(xué)成像物理仿真、光學(xué)鄰近效應(yīng)校正 (Optical Proximity Correction,OPC)、光源-掩模協(xié)同優(yōu)化 (Source-Mask Optimization， SMO） 等。三種計(jì)算光刻技術(shù)的對(duì)比見(jiàn)表。
2022-10-26 15:46:222274 在微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）工藝中，沉積金屬作為掩模是目前較為常用的方法。金屬掩模的制備一般采用濺射與電鍍結(jié)合的方式，在襯底上先濺射用于電鍍工藝所沉積金屬的種子層，然后采用電鍍的方式生長(zhǎng)金屬掩模。
2022-11-25 10:13:031204 光刻掩模版，別稱“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”，一般使用玻璃或者石英表面覆蓋帶有圖案的金屬圖形，實(shí)現(xiàn)對(duì)光線的遮擋或透過(guò)功能，是微電子光刻工藝中的一個(gè)工具或者板材。
2023-02-13 09:27:292086 光掩模可以被認(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過(guò)晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 一樣。像上文提及的EUV光刻機(jī)則是用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)，此外還有封裝芯片的光刻機(jī)以及用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。 近幾年，我國(guó)本土企業(yè)在光刻機(jī)的研制方面正一步一個(gè)腳印地穩(wěn)步前進(jìn)，拿上海微電子裝備股份有限公司來(lái)說(shuō)，近幾年，其先
2023-04-06 08:56:49679 
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過(guò)程
2023-04-25 09:55:131058 
根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331244 
在整個(gè)芯片制造過(guò)程中，幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開(kāi)光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù)，占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033 晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
筆者最開(kāi)始學(xué)的后端技術(shù)是 python 的 Django 框架，由于很久沒(méi)有使用過(guò) python 語(yǔ)法，便想著了解一些 nodejs 的后端技術(shù)。下面將最近的收獲總結(jié)一下。
2023-05-05 16:41:25703 掃描儀(scanner)是一種在wafer上創(chuàng)建die images的機(jī)器。它首先通過(guò)刻線（有時(shí)稱為掩模）將光照射到涂有保護(hù)性光刻膠的wafer上，以刻上刻線圖案的圖像。
2023-05-06 09:51:385204 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25421 
光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。
這些需求帶來(lái)的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，包括掩模基底的低熱膨脹材料的開(kāi)發(fā)、零缺陷襯底拋光、多層膜缺陷檢查、多層膜缺陷修復(fù)等。
2023-06-07 10:45:541012 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過(guò)程中，光源發(fā)射的紫外線通過(guò)掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細(xì)圖案。 長(zhǎng)期以來(lái)
2023-07-05 10:11:241026 
半導(dǎo)體制作工藝可分為前端和后端：前端主要是晶圓制作和光刻（在晶圓上繪制電路）；后端主要是芯片的封裝。
2023-07-24 15:46:05905 
三十年來(lái)，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的，這些機(jī)器將可變?cè)拗圃?45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩模寫入器提供了設(shè)計(jì)的靈活性。現(xiàn)在，幾乎 100% 的掩模都是使用多光束技術(shù)制作的，為高數(shù)值孔徑系統(tǒng)上更復(fù)雜、更高效的設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的機(jī)會(huì)。
2023-08-01 11:21:26289 
EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02399 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589 
短波長(zhǎng)透明光學(xué)元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長(zhǎng)，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長(zhǎng)尺度收縮。這對(duì)用入射場(chǎng)代替掩模開(kāi)口上的場(chǎng)的基爾霍夫邊界條件造成了嚴(yán)重的限制，因?yàn)檫@種近似無(wú)法考慮光刻圖像
2023-08-25 17:21:43279 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 
光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長(zhǎng)是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 
隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費(fèi)的資金成本從數(shù)十萬(wàn)到上億，呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，同時(shí)生產(chǎn)掩模版的時(shí)間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保證其設(shè)計(jì)有足夠高的品質(zhì)，重新優(yōu)化設(shè)計(jì)并再次制造一批掩模版將增加巨大的資金成本和時(shí)間成本。
2023-11-02 14:25:59284 
光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光源，通過(guò)光刻機(jī)的照明系統(tǒng)，照射在掩模上。如果在實(shí)際光刻
2023-12-11 11:35:32288 
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構(gòu)筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷電路板、微機(jī)電器件等用到光刻技術(shù)的領(lǐng)域也都能見(jiàn)到各種掩模的身影。
2024-01-18 10:25:22146 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 在曝光過(guò)程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會(huì)引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 
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圖?2：用于高級(jí)封裝應(yīng)用的各種后端光刻方法。
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