增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護,為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:261988 納微半導(dǎo)體今天正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片,已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發(fā)布的K50冠軍版電競手機所標(biāo)配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:021264 芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片,帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:32723 達(dá)130.5%。且VR/AR的消費持續(xù)增長,預(yù)計2020年達(dá)到1433億美元。其中,硬件、軟件和相關(guān)服務(wù)這三駕馬車?yán)瓌恿薞R/AR的全球消費額。盡管當(dāng)前的VR/AR還受到各種技術(shù)的制約,內(nèi)容相對匱乏,VR/AR生態(tài)圈還需要進(jìn)一步開放與完善。但不可否認(rèn),2017年的VR將會重新定義我們未來的生活!`
2017-03-14 14:48:09
`中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著前所未有的發(fā)展機遇,只有抓住這個時間窗口才能重新定義全球市場格局。本博覽會歡迎你的到來,共同發(fā)展,展示領(lǐng)先技術(shù),提升品牌影響力,擴大用戶市場。 時間:2019.5.8-10
2018-12-23 19:30:28
`中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著前所未有的發(fā)展機遇,只有抓住這個時間窗口才能重新定義全球市場格局。本博覽會歡迎你的到來,共同發(fā)展,展示領(lǐng)先技術(shù),提升品牌影響力,擴大用戶市場。 時間:2019.5.8-10地點:重慶國博中心網(wǎng)站:www.gsiecq.com組委會聯(lián)系方式:***(李先生)`
2018-11-12 08:30:14
`中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著前所未有的發(fā)展機遇,只有抓住這個時間窗口才能重新定義全球市場格局。本博覽會歡迎你的到來,共同發(fā)展,展示領(lǐng)先技術(shù),提升品牌影響力,擴大用戶市場。`
2018-09-17 08:23:21
`同期舉行(全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)新論壇等,由行業(yè)專家學(xué)者及***大力支持主辦),2019全球電子生產(chǎn)設(shè)備(重慶)展覽會、2019全球觸摸屏與液晶顯示器(重慶)展覽會,歡迎你們的了解,加入!`
2018-09-19 08:11:15
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計和成本效率。5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o線基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-08-16 07:57:10
,這一成果標(biāo)志著該校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。(圖片來源:西安郵電大學(xué)官網(wǎng))近年來,我國在氧化鎵的制備上連續(xù)取得突破性進(jìn)展,從去年的2英寸到6英寸,再到最新的8英寸,氧化鎵制備技術(shù)越來越
2023-03-15 11:09:59
的發(fā)展能有效刺激AOI設(shè)備的使用。 全球半導(dǎo)體產(chǎn)值微幅增長,中國大陸地區(qū)領(lǐng)漲 2015年全球經(jīng)濟形勢嚴(yán)峻,美元加息陰云不散,中國經(jīng)濟增速下滑,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卻在逆勢中強勢增長。2015年全球半導(dǎo)體
2016-02-16 11:33:37
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
多個數(shù)據(jù)流,并以超低的成本,延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號的作用,降低攔截概率。正在席卷整個行業(yè)的相控天線設(shè)計為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點,以最終
2021-01-20 07:11:05
`強烈推薦!??!好東西分享?。?!各位兄弟:最近發(fā)現(xiàn)一個好地方!全球半導(dǎo)體最新信息輕松關(guān)注,手機微信,輕輕一掃!{:12:}`
2013-12-23 16:52:07
演講者表示一些擔(dān)憂,認(rèn)為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上,但是制造商們?nèi)匀鄙偌で?不肯繼續(xù)大幅的投資,以及不太愿意重新擴大招慕員工??峙赂蟮膿?dān)心來自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來,以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22
2010-02-26 14:52:33
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
的是用于藍(lán)光播放器的光盤激光頭)。
在光子學(xué)之外,雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù),但直到2004年左右,第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
;這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的選擇?! ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會,使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能,被譽為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點,應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用,氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢,是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時,GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品,這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多:半導(dǎo)體器件可靠性更高,氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多,即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同,我們可以將成本做到很低,在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代,需要的器件越來越多,價格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity預(yù)計,到2025年,電動汽車解決方案中每臺汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
,更是一舉打破直播史上IoT發(fā)布會收視記錄,華麗麗完成直播史and VR直播史上的第一場超過56W人圍觀的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布會,(PS: 4小時直播平均 14-18GB的流量峰值)……沒想到啊沒想到,宅
2016-09-22 15:13:18
半導(dǎo)體設(shè)計制造產(chǎn)業(yè)、推動制造業(yè)升級的恐懼。從政治經(jīng)濟的角度看,中美貿(mào)易戰(zhàn)會是一個長期的過程,它對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈帶來的重大影響是:中國本土半導(dǎo)體公司通過購并、合資方式快速獲取國外尖端技術(shù)和專利的通路
2018-08-30 16:02:33
的設(shè)計和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計,如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件,即一個能將最小能量的數(shù)字信號,轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
%。[color=rgb(51, 51, 51) !important]目前,氮化鎵已經(jīng)擁有了足夠廣闊的應(yīng)用空間。作為第三代半導(dǎo)體新技術(shù),也是全球各國爭相角逐的市場,并且市面上已經(jīng)形成了多股氮化鎵代表勢力
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
美國國防威脅減除局(DTRA)11月28日發(fā)布了一份信息征詢書(NTS139926578),尋求先進(jìn)抗輻射高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù),以支持“先進(jìn)高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)與加固”項目。DTRA將向
2012-12-04 19:52:12
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車半導(dǎo)體技術(shù)的一個全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個公認(rèn)的佼佼者。此外,公司的廣泛電源方案組合,包括模塊和碳化硅(SiC)/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
、努比亞、魅族在內(nèi)的六款氮化鎵快充充電器。加上華為在P40手機發(fā)布會上,也發(fā)布了一款65W 1A1C氮化鎵快充充電器,成為第七家入局氮化鎵快充的手機廠商。從各大知名手機品牌的布局來看,氮化鎵快充普及趨勢
2021-04-16 09:33:21
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密,不對外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
,其中第一梯隊有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè),也是躋身氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊的國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
:2019全球電子生產(chǎn)設(shè)備博覽會(重慶)2019全球觸摸屏與顯示產(chǎn)業(yè)博覽會(重慶)同期活動論壇: 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)新論壇半導(dǎo)體與互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇半導(dǎo)體與智慧汽車技術(shù)發(fā)展論壇半導(dǎo)體與光通訊技術(shù)發(fā)展論壇
2018-11-20 09:23:55
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù),可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么,為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢?
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
半導(dǎo)體行業(yè)高管近期紛紛表態(tài),由于商家?guī)齑嬲霈F(xiàn)下降跡象,半導(dǎo)體行業(yè)或?qū)⒂瓉韽?fù)蘇的第一縷曙光。ARM CEO伊斯特說,他預(yù)計智能手機在2012年將有顯著的增長,但也承認(rèn)半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇將受到經(jīng)濟形勢
2012-01-15 10:07:58
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
開發(fā)者與我們共同探索新的可能。我們誠摯邀請您參加“科大訊飛AI·飛無界 新品發(fā)布會”,與全球人工智能領(lǐng)域?qū)W者、企業(yè)家、創(chuàng)業(yè)團隊一起,關(guān)注、體驗、揭秘科大訊飛AIUI的全新升級。 從機器為中心的人
2018-05-14 21:16:36
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體,如果不妥,請聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
英國一家游戲網(wǎng)站PocketGamer今日放出一條令人為之一振的消息:蘋果正在準(zhǔn)備一場發(fā)布會,iPhone 5似乎要比預(yù)期提前到來。 PocketGamer聲稱,他們收到內(nèi)部消息,10月5日將會
2011-09-18 23:27:39
的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外,還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體等。 半導(dǎo)體的分類,按照其制造技術(shù)可以分為:集成電路器件,分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類
2016-11-27 22:34:51
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
,因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法,精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對簡單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性,甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
Jackson先生于2002年11月獲選為安森美半導(dǎo)體董事會成員,并被任命為公司總裁兼首席執(zhí)行官(CEO)。Jackson先生具備30多年的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗。(更多) Donald A. Colvin (高云
2014-05-21 10:13:17
會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說,當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時,其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料,它的發(fā)熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
配件最暢銷的賣家!據(jù)統(tǒng)計,Anker暢銷180多個國家,平均每三秒鐘就有一名新用戶選擇Anker,也成為真正意義上的全球移動充電品牌。 無獨有偶,Anker發(fā)布新款移動電源——Anker 槍炮玫瑰移動電源。 此款移動電源,接連斬獲IF、紅點兩項設(shè)計大獎,紅與黑的配色設(shè)計
2018-03-26 16:47:005167 開篇一條好消息,1小時售罄,預(yù)售秒光的,Anker GaN充電器,今日再次開啟預(yù)售!
2019-03-29 11:14:394639 據(jù)悉,Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市,價格為 54.99 美元(369 RMB)。
2019-04-28 14:17:213797 SuperMini和ANKER PowerCore 10000 PD Redux都兼容了不少設(shè)備,它們各有優(yōu)劣,各位不妨一窺究竟。 (因為ANKER的產(chǎn)品名太長,下文簡稱Redux。) 外觀 ▲先看包裝
2019-10-18 07:34:24679 10月24日下午消息,Anker安克創(chuàng)新在紐約舉辦2019年新品發(fā)布會,發(fā)布了多款充電周邊產(chǎn)品。
2019-10-24 17:15:504153 本屆CES 2020我們看到了Anker品牌的亮相,作為氮化鎵充電器最早上市的品牌,Anker帶來多款全新的氮化鎵充電器品亮相國際展臺。
2020-01-13 14:16:351271 根據(jù)Anker官方的消息,Anker拉車線3代現(xiàn)已正式開售,Type-C to Lightning 0.9米售價148元。
2020-03-03 14:29:282291 重新定義ADC在無線領(lǐng)域的角色
2021-05-26 16:23:081 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169,這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片,可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:311706 ,近期小米旗下最新發(fā)布的 RedmiBook Pro筆記本電腦系列標(biāo)配 100W 氮化鎵快充已采用搭載納微下一代 GaNSense? 技術(shù)的新一代智能 GaNFast? 氮化鎵功率芯片。 ? ? 全球
2022-07-01 14:39:401410 “全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產(chǎn)品,包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座,屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列,進(jìn)一步滿足消費者多樣化的充電需求。
2022-07-27 16:21:04939 重新定義零售體驗——RF技術(shù)的四大機遇
2022-12-26 10:16:19692 Anker PowerConf C200專為個人工作空間而設(shè)計,能夠以每秒30幀的速度拍攝2K視頻。Anker提供可調(diào)節(jié)的視野(65°、78°或95°)、AI噪聲消除和雙立體聲麥克風(fēng),可捕捉每個音節(jié)的細(xì)微差別。
2023-02-07 11:55:18877 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實時、智能的傳感和保護電路,
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性,同時增加了
2023-02-22 13:48:053 麥科信高壓差分探頭MDP系列是一款基于光隔離探頭技術(shù)重新定義的高壓差分探頭。它采用先進(jìn)的設(shè)計理念和工藝技術(shù),具備超低底噪、優(yōu)秀的幅頻特性和業(yè)內(nèi)更高的共模抑制比,可輕松應(yīng)對各種高頻高壓信號測試。
2024-01-18 15:06:31150
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