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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>納微半導(dǎo)體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC

納微半導(dǎo)體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC

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什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
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2022-12-30 17:05:47437

何謂碳化硅

碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始,了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392345

???b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體國產(chǎn)碳化硅外延片正式投產(chǎn)

???b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體(蘇州)有限公司宣布碳化硅外延片投產(chǎn)。據(jù)悉,該產(chǎn)品通過了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技(上海)有限公司和寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室的雙重檢測,具備媲美國際大廠碳化硅外延片的品質(zhì),解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題,為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個新紀錄。
2023-01-13 10:54:281006

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

什么是碳化硅(SiC)?

碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420962

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?

對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,屬于第三代半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度高達3.0eV,相比第一代半導(dǎo)體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637

半導(dǎo)體行業(yè)碳化硅有哪些應(yīng)用呢?

碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了
2023-02-07 17:35:461631

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長,這種技術(shù)可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448

碳化硅如何成為半導(dǎo)體行業(yè)的福音

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計師和制造商正在尋找改進和更智能
2023-02-20 15:51:550

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

晶圓(前端工藝)。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試(后段工藝)就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC: 更堅固、更快速、溫控頂尖的“實力派”碳化硅功率器件

)和碳化硅(SiC) ,二者憑借著優(yōu)異的物理性能,逐步搶占傳統(tǒng)的硅器件所統(tǒng)治的市場。 預(yù)計到2026年,二者將會形成每年200億美元的市場份額。 憑借 領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs 的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以 雙擎驅(qū)動 的姿態(tài)在
2023-02-24 14:21:06577

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進。
2023-02-27 09:09:35261

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712

意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬顆碳化硅器件

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930

什么是碳化硅半導(dǎo)體

硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個例子。鍺(Ge)是另一種純半導(dǎo)體,用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、硅鍺 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我們稍后將回到最后一項。
2023-05-24 11:26:141681

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182

?228億涌入國內(nèi)碳化硅賽道

三安光電近日宣布,將與國際功率半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達139億

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724

碳化硅晶圓對半導(dǎo)體的作用

 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域,碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

半導(dǎo)體下行 碳化硅熱度卻愈演愈烈

半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。
2023-08-17 14:27:151085

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049049

碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)里有什么作用呢?

碳化硅又稱金剛砂,是以石英砂、石油焦、木屑、食鹽等為原料,經(jīng)電阻爐高溫冶煉而成。事實上,碳化硅在很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。其特點是:化學(xué)性能穩(wěn)定,導(dǎo)熱系數(shù)高,熱膨脹系數(shù)小,耐磨性好,硬度高(莫氏硬度等級
2023-09-22 15:11:04306

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進展,多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

公司之一, GeneSiC 為政府機構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?, 重點關(guān)注性能和穩(wěn)健性, 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù),額定值高達 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年, 納微半導(dǎo)體收購GeneSiC半導(dǎo)體, 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導(dǎo)體公司
2023-10-25 16:32:01609

汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵

目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設(shè)期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資,要2025年才會釋放產(chǎn)能,預(yù)計2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664

奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車型

前段時間,奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423

三菱電機與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

2023年11月,日本三菱電機、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451

安世半導(dǎo)體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413

基本半導(dǎo)體:功率半導(dǎo)體碳化硅時代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18331

碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點

碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點: 更高的熱導(dǎo)率:碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:52231

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314

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