近年來(lái)，“小型化”、“高功能化”、“設(shè)計(jì)靈活性”已經(jīng)成為半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。在此我們需要考慮的是半導(dǎo)體元器件的這些趨勢(shì)將對(duì)熱和熱設(shè)計(jì)產(chǎn)生怎樣的影響。
2020-12-11 14:33:37
3224 《電子電路分析與設(shè)計(jì)：半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用》主要內(nèi)容：電子學(xué)是研究電荷在空氣、真空和半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的一門(mén)科學(xué)（注意此處不包括電荷在金屬中的運(yùn)動(dòng)）。這一概念最早起源于20世紀(jì)早期，以便和電氣工程
2018-11-13 15:34:39
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。
2011-10-23 22:05:11
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車(chē)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
請(qǐng)問(wèn)半導(dǎo)體分立器件怎么分類(lèi)？
2011-10-26 10:29:14
大家有沒(méi)有用過(guò)半導(dǎo)體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對(duì)一個(gè)2.5W的熱負(fù)載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時(shí)熱負(fù)載所處的空間只降到30度，我采用的時(shí)泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類(lèi)（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場(chǎng)和功能的擴(kuò)展，消費(fèi)者對(duì)家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來(lái)越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競(jìng)技者
2019-06-21 07:45:46
1. 本征半導(dǎo)體及其特點(diǎn) 純凈的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。在熱“激發(fā)”條件下,本征半導(dǎo)體中的電子和空穴是成對(duì)產(chǎn)生的;當(dāng)電子和空穴相遇“復(fù)合”時(shí),也成對(duì)消失；電子和空穴都是載流子溫度越高,“電子—空穴
2021-05-24 08:05:48
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
接觸處形成位壘，因而這類(lèi)接觸具有單向?qū)щ娦浴＠肞N結(jié)的單向?qū)щ娦裕梢灾瞥删哂胁煌δ艿?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)外界前提（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常
2013-01-28 14:58:38
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬(wàn)倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2017-07-28 10:17:42
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬(wàn)倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2018-02-11 09:49:21
半導(dǎo)體芯片焊接方法芯片焊接(粘貼)方法及機(jī)理 芯片的焊接是指半導(dǎo)體芯片與載體（封裝殼體或基片）形成牢固的、傳導(dǎo)性或絕緣性連接的方法。焊接層除了為器件提供機(jī)械連接
2010-02-26 08:57:57
淺談熱釋電紅外線傳感器RE200B的應(yīng)用
2012-08-14 22:27:17
淺談熱釋電紅外線傳感器RE200B的應(yīng)用
2012-08-16 16:12:14
淺談熱釋電紅外線傳感器RE200B的應(yīng)用(免費(fèi)下載)
2012-08-20 22:34:43
（解剖）分析；先調(diào)查了解與失效有關(guān)的情況（應(yīng)用條件、失效現(xiàn)象等），后分析失效器件。三、失效分析常用技術(shù)在開(kāi)展失效分析時(shí)，一定是和相應(yīng)的技術(shù)手段和設(shè)備手段密不可分的。常用技術(shù)手段分為以下幾類(lèi)：1、電氣測(cè)試
2019-10-11 09:50:49
技術(shù)，同時(shí)介紹一些典型的案例。 1 熱分析技術(shù) 1.1 差示掃描量熱儀 (DSC) 差示掃描量熱法(Differential Scanning Calorimetry)是在程序控溫下，測(cè)量輸入到
2012-07-27 21:05:38
`大家現(xiàn)在看到的這個(gè)pard熱成像是已經(jīng)設(shè)計(jì)完好已經(jīng)在銷(xiāo)售的產(chǎn)品，然而這個(gè)完美的產(chǎn)品該什么樣求設(shè)計(jì)呢，大家想過(guò)沒(méi)有，下面就跟大家分享一些干貨吧!要想完好的設(shè)計(jì)出一款性能優(yōu)異的熱成像產(chǎn)品，就必須要先去
2017-08-03 12:12:35
許多半導(dǎo)體器件在脈沖功率條件下工作，器件的溫升與脈沖寬度及占空比有關(guān)，因此在許多場(chǎng)合下需要了解器件與施加功率時(shí)間相關(guān)的熱特性；除了與功率持續(xù)時(shí)間外，半導(dǎo)體器件的瞬態(tài)熱阻與器件材料的幾何尺寸、比熱容、熱擴(kuò)散系數(shù)有關(guān)，因此半導(dǎo)體器件的熱瞬態(tài)特性可以反映出器件內(nèi)部的很多特性
2019-05-31 07:36:41
熱釋電效應(yīng)是什么意思？熱釋電紅外傳感器是由哪些部分組成的？熱釋電人體紅外傳感器的特點(diǎn)及其技術(shù)參數(shù)有哪些呢？
2021-12-01 07:40:28
熱重分析儀的基本原理是將待測(cè)物置于一耐高溫的容器中，此容器被置于一具有可程式控制溫度的高溫爐中，而此待測(cè)物被懸掛在一個(gè)具有高靈敏度及精確度的天平上。
2019-10-14 09:12:09
AMD超威半導(dǎo)體一攬子熱招職位分享；請(qǐng)有意向者將簡(jiǎn)歷發(fā)送到 Cherry.Zhang@amd.comSr.MTS/SMTS Physical Design EngineerSignal
2017-02-15 15:03:49
、Dexposed，騰訊QQ空間的超級(jí)補(bǔ)丁技術(shù)和微信的Tinker。最近阿里百川推出的HotFix熱修復(fù)服務(wù)就基于AndFix技術(shù)，定位于線上緊急BUG的即時(shí)修復(fù)，所以AndFix技術(shù)這塊我們重點(diǎn)分析阿里百川
2017-04-29 09:47:02
變量和求解器，來(lái)做一些事情，包括將熱RC網(wǎng)絡(luò)擬合到實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，調(diào)整熱RC模型匹配表面加熱或體積加熱的半導(dǎo)體器件，使用這些模型分析多脈沖和其他復(fù)雜的功率循環(huán)溫度預(yù)測(cè)，創(chuàng)建單熱源系統(tǒng)和多熱源系統(tǒng)的節(jié)點(diǎn)元件熱
2018-10-12 08:58:38
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對(duì)光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過(guò)程中，熱性能變化對(duì)于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
變化，根據(jù)變化分析老化機(jī)理，從而改善產(chǎn)品散熱性能。 5．接觸熱阻的測(cè)量隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷成熟，熱界面材料的熱性能已經(jīng)成為制約高性能封裝產(chǎn)品的瓶頸。接觸熱阻的大小與材料、接觸質(zhì)量是息息相關(guān)的。常規(guī)
2015-07-29 16:05:13
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導(dǎo)電。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供，空穴由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。P型半導(dǎo)體也稱(chēng)為空穴型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體即空穴
2016-10-14 15:11:56
PADS 提供的獨(dú)特功能可以實(shí)現(xiàn)在早期對(duì)印刷電路板進(jìn)行熱分析。完成元件布局后，您就可以立即對(duì)完成布局、部分完成布線或全部完成布線的 PCB 設(shè)計(jì)進(jìn)行板級(jí)別熱問(wèn)題分析。利用溫度分布圖、梯度圖和過(guò)溫圖，您可以在設(shè)計(jì)流程的早期解決板和元器件過(guò)熱問(wèn)題。
2019-09-16 08:58:39
路徑?！ ≡贘ESD51-x系列標(biāo)準(zhǔn)中描述了應(yīng)該測(cè)量器件熱阻數(shù)字的方法和條件，正如人們可能期望的那樣，這些標(biāo)準(zhǔn)在描述應(yīng)該如何進(jìn)行測(cè)試時(shí)非常精確。因此，可以預(yù)期，對(duì)于希望對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行熱分析的設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，熱
2023-04-20 16:49:55
的應(yīng)用。 2 SPC技術(shù)概述 早期的半導(dǎo)體制造企業(yè)為保證產(chǎn)品質(zhì)量，基本上以工藝檢測(cè)和產(chǎn)品檢驗(yàn)為主要手段進(jìn)行產(chǎn)品的質(zhì)量監(jiān)控，很明顯這是一種事后檢測(cè)的方法，隨著各類(lèi)使用半導(dǎo)體元器件的電子產(chǎn)品的質(zhì)量需求的提高
2018-08-29 10:28:14
↑）T3Ster的測(cè)試結(jié)果可以直接導(dǎo)入到FloTHERM軟件進(jìn)行后期系統(tǒng)散熱分析。◆ 仿真模型的驗(yàn)證 （返回頂部↑）? 驗(yàn)證模型包括材料熱學(xué)性能的驗(yàn)證◆ 接觸熱阻的測(cè)量 （返回頂部↑）隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷
2013-01-08 15:29:44
TAITherm三維熱仿真分析工具的特點(diǎn)COTHERM 自動(dòng)控制耦合流程
2020-12-15 07:49:54
是由銅
導(dǎo)體和絕緣介質(zhì)材料組成，一般
熱為絕緣介質(zhì)材料不發(fā)熱。銅
導(dǎo)體圖形由于銅本身存在電阻，當(dāng)電流通過(guò)時(shí)就發(fā)熱。2、加快散熱在給定條件下，當(dāng)板級(jí)電路中元
器件溫度上升到超過(guò)可靠性保證溫度時(shí)，便要采取適當(dāng)?shù)纳?/div>
2014-12-17 15:31:35
的電子工程是一個(gè)嶄新的領(lǐng)域，主要研究真空管中的電荷運(yùn)動(dòng)。如今，電子學(xué)研究的內(nèi)容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學(xué)研究集成電路（IC）技術(shù)，它能夠在一塊半導(dǎo)體材料上制造包含數(shù)百萬(wàn)甚至更多個(gè)電路元件
2018-02-08 18:13:14
電子產(chǎn)品里面半導(dǎo)體器件是非常常見(jiàn)的，半導(dǎo)體器件的應(yīng)用是會(huì)產(chǎn)生熱量的，比如說(shuō)我們的手機(jī)芯片在玩游戲的時(shí)候發(fā)熱比較厲害，如果溫度高了手機(jī)可能會(huì)死機(jī)等，為了不讓手機(jī)死機(jī)，工程師們就只能解決功耗與扇熱
2021-09-08 08:42:59
在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國(guó)通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長(zhǎng)為
2019-02-26 17:04:37
簡(jiǎn)介這篇文章闡述了一種被飛思卡爾使用的高功率射頻功放的熱測(cè)量方法。半導(dǎo)體器件的可靠性和器件的使用溫度有很大的關(guān)系，因此，建立使用了高功率器件的系統(tǒng)的可靠性模型，這些高功率器件的精確的溫度特性非常關(guān)鍵。
2019-06-27 07:52:25
5.1 介紹 在前一章中考慮了不同的PCB和器件配置對(duì)熱行為的影響。通過(guò)對(duì)多種情況的分析和比較，可以得出許多關(guān)于提供LFPAK MOSFETs散熱片冷卻的最佳方式的結(jié)論?！ ≡诘?章中考
2023-04-21 15:19:53
1，半導(dǎo)體基礎(chǔ)2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結(jié)型器件4，場(chǎng)效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
阻使這些材料成為高溫和高功率密度轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)的理想選擇 ［4］?！ 榱顺浞掷眠@些技術(shù)，重要的是通過(guò)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗模型評(píng)估特定所需應(yīng)用的可用半導(dǎo)體器件。這是設(shè)計(jì)優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)大
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來(lái)，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
電路保護(hù)用于幾乎所有的電氣或電子設(shè)備,不僅保護(hù)設(shè)備,而且保護(hù)人、企業(yè)和聲譽(yù)。這些器件有針對(duì)性地保護(hù)敏感電子免受過(guò)流、過(guò)壓、靜電放電、浪涌和其他破壞性的故障所導(dǎo)致的失效。國(guó)內(nèi)電路保護(hù)專(zhuān)家優(yōu)恩半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)高規(guī)格、高性能電路保護(hù)元件，本文將介紹優(yōu)恩半導(dǎo)體電路保護(hù)器件的優(yōu)勢(shì)
2018-09-25 15:45:33
本人想對(duì)PCB板做一下熱分析，可以用ANSYS么？有什么軟件是比較常用的呢？
2017-11-15 18:31:49
;nbsp; (2)功耗2.3.1晶閘管的斷態(tài)特性(續(xù)）（1） p+n結(jié)的擊穿電壓雪崩擊穿電壓：碰撞電離的強(qiáng)弱程度通常用電離率來(lái)表示，有如下經(jīng)驗(yàn)公式：式中a、b、n 均為常數(shù)。 功率半導(dǎo)體器件
2008-08-16 11:30:48
;nbsp; 功率電子學(xué)是一門(mén)包含用功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行功率變換和控制的新技術(shù)，同時(shí)也是多項(xiàng)高技術(shù)
2008-08-03 17:05:29
我想用單片機(jī)開(kāi)發(fā)板做個(gè)熱療儀，開(kāi)發(fā)板是某寶上買(mǎi)的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過(guò)一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
。使用Ansys軟件進(jìn)行激光器熱分析可以做到模型建立便捷,施加載荷直觀,求解速度快,圖形顯示功能強(qiáng)大,可以應(yīng)用于各類(lèi)半導(dǎo)體激光器件的熱學(xué)特性分析?！娟P(guān)鍵詞】：半導(dǎo)體激光器;;Ansys有限元軟件;;熱分析
2010-05-04 08:04:50
】：半導(dǎo)體激光器電源;;冗余并聯(lián)技術(shù);;高可靠性;;恒流臂【DOI】：CNKI:SUN:CGJM.0.2010-01-015【正文快照】：半導(dǎo)體激光器(LD)是20世紀(jì)發(fā)展起來(lái)的一種新型固體光源,由于其具有
2010-05-04 08:05:06
ms。因此，使用8.3 ms時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的50%占空比曲線，就可以計(jì)算Psi值： 評(píng)估多裸片封裝內(nèi)的半導(dǎo)體裸片溫度，在單裸片器件適用技術(shù)基礎(chǔ)上，要求更多的分析技術(shù)。有必要獲得兩個(gè)裸片提供的直流及瞬態(tài)熱信息
2018-09-30 16:05:03
摘要：文中通過(guò)分析目前電子設(shè)備板級(jí)熱仿真建模技術(shù)存在的不足，基于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)共享技術(shù)，系統(tǒng)研究了PCB 板卡的疊層銅分布和熱過(guò)孔仿真建模對(duì)芯片溫度預(yù)測(cè)精度帶來(lái)的較大影響，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用給出了仿真優(yōu)化
2018-09-26 16:22:17
夜視技術(shù)中的微光成像和紅外熱成像技術(shù)有什么不同？
2021-06-03 07:08:26
進(jìn)行檢查。這工具包括一些提示，強(qiáng)調(diào)一些選擇會(huì)如何影響您的設(shè)計(jì)。結(jié)果表顯示了各推薦器件的評(píng)估板和設(shè)計(jì)資源的供貨情況。最后，安森美半導(dǎo)體現(xiàn)在提供Power Supply WebDesigner?仿真分析套件-前
2018-10-31 09:17:40
室外基站RRU的熱設(shè)計(jì)分析????{:soso_e102:}
2012-05-29 20:55:41
因特網(wǎng)接入業(yè)務(wù)的興起使人們對(duì)無(wú)線通信技術(shù)提出了更高的要求。體積小、重量輕、低功耗和低成本是無(wú)線通信終端發(fā)展的方向，射頻集成電路技術(shù)(RFIC)在其中扮演著關(guān)鍵角色。RFIC的出現(xiàn)和發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體器件、射頻電路分析方法，乃至接收機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)都提出了新的要求。
2019-07-05 06:53:04
常用半導(dǎo)體器件本章要求：一、理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，三極管的電流分配和 &
2009-09-30 18:12:20
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
，以及獨(dú)居老年人數(shù)量增加，這一點(diǎn)至關(guān)重要。熱成像技術(shù)在很多方面都有幫助，從簡(jiǎn)單的監(jiān)測(cè)溫度和運(yùn)動(dòng)的生命體征到復(fù)雜的行為分析。一個(gè)共同的和重要的主題，在老年人的護(hù)理是發(fā)現(xiàn)，甚至防止跌倒。盡管在起居室安裝攝像頭
2022-04-09 13:33:05
最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè)
2012-08-20 19:46:39
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
基于ADSL的熱網(wǎng)監(jiān)控系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？基于ADSL的熱網(wǎng)監(jiān)控系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)有哪些？熱網(wǎng)監(jiān)控系統(tǒng)控軟、硬件系統(tǒng)該如何去設(shè)計(jì)？
2021-05-31 06:10:58
、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來(lái)，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
電力半導(dǎo)體器件的分類(lèi)
2019-09-19 09:01:01
成功的電路設(shè)計(jì)包括正確的熱分析：在不同運(yùn)行條件下會(huì)產(chǎn)生多少熱量？是否會(huì)有組件超過(guò)額定值？通常，這個(gè)過(guò)程交由精通熱分析的熱/封裝工程師負(fù)責(zé)。雖然在專(zhuān)業(yè)技術(shù)方面大有優(yōu)勢(shì)，但流程不連續(xù)卻存在劣勢(shì)，這可
2018-10-17 11:43:12
紅外熱成像的原理是什么？紅外熱成像技術(shù)有什么作用？
2021-06-26 07:26:34
紅外熱成像組件測(cè)試分析系統(tǒng)
2012-08-03 23:35:22
連接器的熱可靠性分別三個(gè)方面：熱分析、熱設(shè)計(jì)和熱測(cè)試，又可統(tǒng)稱(chēng)為連接器的熱管理技術(shù)。在生產(chǎn)生活中，連接器熱管理的目的是為了針對(duì)連接器中的生熱及散熱問(wèn)題，通過(guò)合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和冷卻方式，使整個(gè)系統(tǒng)
2020-07-07 17:14:14
°C/W IGBT裸片的峰值溫度就會(huì)是： 二極管裸片峰值溫度就是： 結(jié)論 評(píng)估多裸片封裝內(nèi)的半導(dǎo)體裸片溫度，在單裸片組件適用技術(shù)基礎(chǔ)上，要求更多的分析技術(shù)。有必要獲得兩個(gè)裸片提供的直流及瞬時(shí)熱信息
2018-10-08 14:45:41
裸片封裝內(nèi)的半導(dǎo)體裸片溫度，在單裸片器件適用技術(shù)基礎(chǔ)上，要求更多的分析技術(shù)。有必要獲得兩個(gè)裸片提供的直流及瞬態(tài)熱信息，以計(jì)算裸片溫度。還有必要測(cè)量?jī)蓚€(gè)器件的功率耗散，分析完整半正弦波范圍抽的損耗。此
2014-08-19 15:40:52
怎樣通過(guò)ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
產(chǎn)品介紹: 差示掃描量熱儀是一種測(cè)量參比端與樣品端的熱流差與溫度參數(shù)關(guān)系的熱分析儀器，主要應(yīng)用于測(cè)量物質(zhì)加熱或冷卻過(guò)程中的各種特征參數(shù)：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、氧化誘導(dǎo)期OIT
2021-07-07 16:51:33
同步熱分析將熱重分析TG與差熱分析DTA或差示掃描量熱DSC結(jié)合為一體，在同一次測(cè)量中利用同一樣品可同步得到TG與DTA或DSC的信息。測(cè)量與研究材料的如下特性:DSC：熔融、結(jié)晶、相變、反應(yīng)溫度
2022-12-13 11:11:45
儀器介紹：DZ-STA200同步熱分析儀是一款同步熱分析將熱重分析TG與差熱分析DTA或差示掃描量熱DSC結(jié)合為一體，在同一次測(cè)量中利用同一樣品可同步得到TG與DTA或DSC的信息。儀器性能介紹
2023-02-02 15:19:41
詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體器件及電路的失效分析
2010-07-17 16:10:29
60 本內(nèi)容提供了半導(dǎo)體器件的分析與模擬
2011-12-15 15:59:5048 本文介紹了什么是功率半導(dǎo)體器件，對(duì)功率半導(dǎo)體器件分類(lèi)和功率半導(dǎo)體器件優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析，分析了功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)以及功率半導(dǎo)體器件的基本功能和用途。
2018-01-13 09:19:4317515 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來(lái)承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒(méi)有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21882 
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