安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

頂部冷卻簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本，實(shí)現(xiàn)小巧緊湊的電源方案
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2022年11月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng)新的頂部冷卻，幫助設(shè)計(jì)人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應(yīng)用，特別是電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。
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新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡(jiǎn)稱“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發(fā)熱，從而提高功率密度。新設(shè)計(jì)的可靠性更高從而增加整個(gè)系統(tǒng)的使用壽命。

安森美副總裁兼汽車電源方案總經(jīng)理Fabio Necco說：“冷卻是高功率設(shè)計(jì)的最大挑戰(zhàn)之一，成功解決這個(gè)問題對(duì)于減小尺寸和重量至關(guān)重要，這在現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)中也是關(guān)鍵的考慮因素。我們的新型Top Cool MOSFET不僅表現(xiàn)出卓越的電氣效率，而且消除了PCB中的熱路徑，從而顯著簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，減小尺寸并降低成本?！?br /> ?
這些器件提供高功率應(yīng)用所需的電氣效率，RDS(ON)值低至1mΩ。而且柵極電荷(Qg) 低 (65 nC)，從而降低高速開關(guān)應(yīng)用中的損耗。
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安森美利用其在封裝方面的深厚專知，提供業(yè)內(nèi)最高功率密度方案。首發(fā)的TCPAK57產(chǎn)品組合包括40V、60V和80V。這所有器件都能在175°C的結(jié)溫(Tj)下工作，并符合AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證和生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)。再加上其鷗翼式封裝，支持焊點(diǎn)檢查和實(shí)現(xiàn)卓越的板級(jí)可靠性，非常適合于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用。目標(biāo)應(yīng)用是高/中功率電機(jī)控制，如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和油泵。
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國(guó)際婦女節(jié)與安森美半導(dǎo)體

3月是女性歷史月。女性歷史月起源于1987年，旨在表彰所有女性對(duì)歷史和社會(huì)的寶貴貢獻(xiàn)。安森美半導(dǎo)體一直致力于更多樣化的工作環(huán)境，從而使我們的公司受益，并使我們能夠更加成功地滿足所有利益相關(guān)方（全球

2018-10-30 09:05:17

錐子手機(jī)發(fā)布會(huì)羅永浩提到的安森美半導(dǎo)體

　　2010　　2010技術(shù)合規(guī)獎(jiǎng) - Celestica (授予安森美半導(dǎo)體、SANYO能源(美國(guó))公司)　　2010年卓越供應(yīng)商獎(jiǎng) – ***集團(tuán)　　CM1624獲2010《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》創(chuàng)新獎(jiǎng)電源器材

2014-05-21 10:13:17

安森美ONSEMI 擴(kuò)充汽車驅(qū)動(dòng)器系列

安森美ONSEMI 擴(kuò)充汽車驅(qū)動(dòng)器系列安森美半導(dǎo)體，推出兩款為堅(jiān)固的汽車和工業(yè)應(yīng)用而特別設(shè)計(jì)的新型驅(qū)動(dòng)器。NCV7513是可編程六通道低端MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器，用于控制各種負(fù)載類型。NC

2010-02-06 10:41:39

全新高密度溝槽MOSFET（安森美）

全新高密度溝槽MOSFET（安森美） 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ

2009-11-02 09:16:32

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安森美半導(dǎo)體推出高能效LED照明應(yīng)用參考設(shè)計(jì)

安森美半導(dǎo)體推出高能效LED照明應(yīng)用參考設(shè)計(jì) 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出兩款新的GreenPoint®參考設(shè)計(jì)，加速及簡(jiǎn)化高能效發(fā)

2009-11-25 17:53:18

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安森美推出兩款全新GreenPoint參考設(shè)計(jì)

安森美推出兩款全新GreenPoint參考設(shè)計(jì) 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出兩款新的GreenPoint®參考設(shè)計(jì)，加速及簡(jiǎn)化高能效發(fā)光二極管(LED)照明應(yīng)用的開發(fā)。第一款

2009-11-26 17:53:43

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安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC

安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC 　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列

2010-01-13 11:32:40

548

安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列

安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列經(jīng)過100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰 2010年2月2日 – 應(yīng)用

2010-02-03 10:13:15

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安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/

安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測(cè)試的N溝道功率MOSF

2010-02-05 08:37:09

1770

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能

2010-02-23 10:06:56

831

安森美推出PFC可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器

安森美推出PFC可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供貨商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新的功率因數(shù)校正(PFC)可調(diào)光發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)

2010-02-26 10:32:50

643

安森美推出固定頻率電流模式控制器IC

安森美推出固定頻率電流模式控制器IC 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出NCP1237、NCP1238及NCP1288固定頻率電流模式控制器集成電路(IC)。這些新控制器針對(duì)膝上型/筆記本電腦

2010-03-01 08:34:14

1083

安森美推出低電流穩(wěn)壓器NCP508

安森美推出低電流穩(wěn)壓器NCP508 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出低電流穩(wěn)壓器NCP508，為創(chuàng)建低功率電壓軌提供高能效及經(jīng)濟(jì)的方案。這新穩(wěn)壓器提供配合低能耗、高空間

2010-04-02 11:53:16

759

安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON) 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件

2010-04-10 10:32:52

519

安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSF

安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。 NTMFS4897

2010-04-12 10:23:16

1107

安森美推出新的時(shí)鐘和數(shù)據(jù)多工器產(chǎn)品

安森美推出新的時(shí)鐘和數(shù)據(jù)多工器產(chǎn)品 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)進(jìn)一步擴(kuò)充多工器產(chǎn)品陣容，新推出NB6VQ572M、NB6LQ572、N

2010-04-27 10:27:23

661

安森美推出超小封裝低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器

安森美半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器，擴(kuò)充用于智慧型手機(jī)及其它可攜式電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容

2011-06-13 08:43:21

1170

安森美推出高能效電流監(jiān)控方案--電流鏡CAT2300

安森美半導(dǎo)體推出帶開關(guān)控制器的電流鏡CAT2300，將這器件與安森美半導(dǎo)體的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET? 功率MOSFET器件結(jié)合使用，能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案

2011-08-19 09:25:02

1382

安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界最小MOSFET

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)

2012-10-18 09:28:38

877

飛兆半導(dǎo)體推出Dual Cool封裝的MOSFET

飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，這種封裝屬于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列封裝，帶有頂側(cè)冷卻，適用的產(chǎn)品中包括40-100V中壓產(chǎn)品系列。硅技術(shù)的進(jìn)步結(jié)合Dual Cool技術(shù)，

2013-01-08 14:04:44

1109

安森美半導(dǎo)體的開關(guān)電池充電器榮獲《今日電子》之“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”

2013年9月12日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）今天宣布，公司針對(duì)智能手機(jī)、平板電腦及其它手持設(shè)備電源能效而優(yōu)化

2013-09-13 09:45:02

549

安森美半導(dǎo)體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），它們經(jīng)過設(shè)計(jì)及優(yōu)化，提供領(lǐng)先業(yè)界能效，優(yōu)于市場(chǎng)現(xiàn)有器件。

2014-05-21 11:36:44

909

安森美智能功率模塊獲Top10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)及技術(shù)突破獎(jiǎng)

2014年9月25日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）的STK57FU391A-E智能功率模塊（IPM）獲今日電子（EPC

2014-09-26 16:50:00

1072

安森美半導(dǎo)體推出新類的CCD圖像傳感器

2014年11月4日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）推出新類的電荷耦合器件（CCD）圖像傳感器技術(shù)，為工業(yè)市場(chǎng)的微光成像樹立新的基準(zhǔn)。

2014-11-04 11:34:24

1378

安森美在electronica 2014推出汽車照明應(yīng)用新器件

2014年11月11日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）推出兩款新器件，用于汽車照明系統(tǒng)。

2014-11-11 15:24:04

1113

Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS）推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88

2015-09-01 09:02:50

1242

安森美半導(dǎo)體推出AR0521 CMOS圖像傳感器專注于安防及監(jiān)控應(yīng)用成像產(chǎn)品

近日，推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出AR0521 CMOS圖像傳感器，這是安森美半導(dǎo)體首款基于2.2微米(m)背照式(BSI)像素技術(shù)平臺(tái)、專門針對(duì)安防和監(jiān)控應(yīng)用的成像產(chǎn)品。AR0521采用

2017-04-08 01:11:24

3863

安森美半導(dǎo)體展示在視覺IoT、無(wú)電池感測(cè)和采集能量大創(chuàng)新

、感測(cè)和系統(tǒng)開發(fā)等關(guān)鍵技術(shù)，突顯安森美半導(dǎo)體持續(xù)取得的進(jìn)步，及其致力于在這勢(shì)頭快速增長(zhǎng)且令人興奮的領(lǐng)域中推動(dòng)創(chuàng)新和采用的長(zhǎng)期承諾。

2018-05-15 16:03:00

752

安森美半導(dǎo)體推出首批使用近紅外+（NIR +）技術(shù)的CMOS圖像傳感器

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON) 推出首批采用近紅外+(NIR +)技術(shù)的CMOS 圖像傳感器，該技術(shù)有效地將高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)與增強(qiáng)的微光性能相結(jié)合，以使能高端安防與監(jiān)控相機(jī)。

2018-04-13 09:18:00

4978

安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款1/1.7英寸210萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)推出業(yè)界首款1/1.7英寸210萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器— AR0221，該傳感器采用了安森美半導(dǎo)體新開發(fā)的4.2 μm背照式(BSI)像素，為工業(yè)應(yīng)用提供領(lǐng)先同類的微光靈敏度。

2018-04-16 07:45:00

2146

安森美半導(dǎo)體推新型CMOS圖像傳感器首批采用近紅外+（NIR +）技術(shù)

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的 安森美 半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON) 推出首批采用近紅外+（NIR +）技術(shù)的CMOS 圖像傳感器，該技術(shù)有效地將高動(dòng)態(tài)范圍（HDR）與增強(qiáng)的微光性能相結(jié)合，以使能高端安防與監(jiān)控相機(jī)。

2018-04-19 15:29:01

3069

安森美半導(dǎo)體推出采用極緊湊、低厚度封裝的業(yè)界最小MOSFET

關(guān)鍵詞：MOSFET 優(yōu)化用于超便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品接口及電源管理應(yīng)用 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對(duì)優(yōu)化

2018-11-28 20:57:02

180

安森美電源解決方案

關(guān)鍵詞：安森美 , 電源基本介紹： 安森美不斷推出多種電源的解決方案。NCP1027是屬于安森美NPC10XX系列的產(chǎn)品。擁有 65 kHz脈寬調(diào)制(PWM)控制器集成700 V MOSFET

2019-02-08 07:32:01

378

emotion3D和安森美合作推出創(chuàng)新的駕乘監(jiān)控系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)

emotion3D首席執(zhí)行官（CEO） Florian Seitner說：“憑借安森美在圖像傳感器的專長(zhǎng)和豐富的汽車經(jīng)驗(yàn)，我們能構(gòu)建這創(chuàng)新的單攝像頭方案，符合歐洲NCAP和2019年通用安全條例（GSR）。

2022-01-05 14:18:20

658

安森美推出采用TOLL封裝的SiC MOSFET

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET

2022-05-11 11:29:33

2312

安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的新系列MOSFET器件

新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡(jiǎn)稱“PCB”）散熱。

2022-11-17 14:13:08

2932

新品發(fā)布 | 安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的 安森美(onsemi ，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng)新的頂部冷卻，幫助設(shè)計(jì)人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應(yīng)用，特別是

2022-11-22 19:05:10

462

Ameya360：安森美推出1700V EliteSiC MOSFET，提供高功率工業(yè)應(yīng)用

MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠、高能效的性能。 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET

2023-01-04 13:46:19

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安森美功放管怎么樣

安森美功放管怎么樣 安森美對(duì)管是美國(guó)的名牌優(yōu)質(zhì)大功率管。 安森美管是一種功率放大器，用來(lái)放大電流和電壓，從而增強(qiáng)信號(hào)的強(qiáng)度。它可以加強(qiáng)輸出電流和電壓，使信號(hào)發(fā)出更加強(qiáng)大的功率，從而使音響器件發(fā)出更好

2023-03-27 14:21:34

4022

安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國(guó)的？

安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國(guó)的？有人問小編安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國(guó)的？其實(shí)行業(yè)內(nèi)人士都知道美國(guó)公司安森美半導(dǎo)體實(shí)力很強(qiáng)悍，安森美是美國(guó)公司；并且在納斯達(dá)克上市。 安森美是哪國(guó)

2023-03-28 18:37:26

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安森美公司介紹與安森美官網(wǎng)鏈接分享

安森美公司介紹 安森美官網(wǎng) 安森美公司是1999年從摩托羅拉半導(dǎo)體部門分拆出來(lái)的，后來(lái)安森美半導(dǎo)體ON Semiconductor，在美國(guó)納斯達(dá)克上市；代號(hào)：ON；安森美半導(dǎo)體在北美、歐洲和亞太地區(qū)

2023-03-29 16:21:52

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安森美收購(gòu)了哪些公司安森美產(chǎn)品線優(yōu)勢(shì)有哪些

安森美收購(gòu)了哪些公司 安森美產(chǎn)品線優(yōu)勢(shì)有哪些 安森美On Semiconductor Corporation于1999年根據(jù)特拉華州法律注冊(cè)成立。該公司及其子公司從事節(jié)能電子驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新業(yè)務(wù)。公司

2023-03-29 17:54:28

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安森美和上能電氣推出基于EliteSiC公用事業(yè)級(jí)組串式逆變器

“安森美幫助我們解決了最具挑戰(zhàn)性的技術(shù)問題，如系統(tǒng)設(shè)計(jì)、仿真、熱分析和控制算法等。我們采用安森美高能效的EliteSiC產(chǎn)品，能夠根據(jù)客戶的特定需求開發(fā)并實(shí)施尖端前沿的可再生能源方案。此外，安森美的端到端SiC供應(yīng)鏈為我們的長(zhǎng)期發(fā)展提供了供貨保證?！?/div>

2023-05-16 15:24:45

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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析

MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位

2023-06-08 20:45:02

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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 動(dòng)態(tài)特性分析

2023-06-16 14:40:01

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安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析

之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供

2023-06-16 14:39:39

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攻克汽車熱管理挑戰(zhàn)，安森美Top Cool MOSFET榮獲“金輯獎(jiǎng)2023中國(guó)汽車新供應(yīng)鏈百?gòu)?qiáng)”

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們祝賀！ 安森美? (onsemi) ? Top Cool MOSFET 榮獲蓋世 2023金輯獎(jiǎng)·中國(guó)汽車新供應(yīng)鏈百?gòu)?qiáng)“熱管理領(lǐng)域”先進(jìn)技術(shù)獎(jiǎng) ！ “金輯獎(jiǎng)”由蓋世發(fā)起，旨在

2023-10-24 10:25:04

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獲安森美頒獎(jiǎng)，展現(xiàn)安富利新領(lǐng)域新價(jià)值

Advancement”獎(jiǎng)牌及榮譽(yù)證書。安富利與安森美在多個(gè)新興領(lǐng)域通力合作，共同推動(dòng)了這些領(lǐng)域的創(chuàng)新和發(fā)展，該獎(jiǎng)項(xiàng)不僅是對(duì)安富利出色成績(jī)和貢獻(xiàn)的肯定，也是對(duì)雙方合作成果的認(rèn)可。安富利資深產(chǎn)品線經(jīng)理

2023-12-27 17:10:02

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安森美2023年在工業(yè)領(lǐng)域的成就

前不久，我們分享了安森美(onsemi)2023年度精選汽車方案。在2023年，安森美還發(fā)布了多項(xiàng)全新工業(yè)產(chǎn)品和解決方案，使我們能夠不斷將創(chuàng)新和愿景付諸實(shí)踐。我們的持續(xù)創(chuàng)新也獲得了電力電子行業(yè)的認(rèn)可。今天將為大家盤點(diǎn)安森美2023年在工業(yè)領(lǐng)域所取得成就中的一些亮點(diǎn)。

2024-01-12 09:39:01

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安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

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