一文解析光刻機(jī)的工作原理

光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車間中車床的作用。光刻是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù)，在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開光刻的技術(shù)。

光刻機(jī)的工作原理：

利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。

簡單點(diǎn)來說，光刻機(jī)就是放大的單反，光刻機(jī)就是將光罩上的設(shè)計(jì)好集成電路圖形通過光線的曝光印到光感材料上，形成圖形。

鏡頭：

鏡頭是光刻機(jī)最核心的部分，采用的不是一般的鏡頭，可以達(dá)到高2米直徑1米，甚至更大。光刻機(jī)的整個(gè)曝光光學(xué)系統(tǒng)，由數(shù)十塊鍋底大的鏡片串聯(lián)組成，其光學(xué)零件精度控制在幾個(gè)納米以內(nèi)，目前光刻機(jī)鏡頭最強(qiáng)大的是老牌光學(xué)儀器公司德國蔡司，ASML用的就是他家的鏡頭。

光源：

光源是光刻機(jī)核心之一，光刻機(jī)的工藝能力首先取決于其光源的波長。下表是各類光刻機(jī)光源的具體參數(shù)：

最早光刻機(jī)的光源是采用汞燈產(chǎn)生的紫外光源(UV:UltravioletLight)，從g-line一直發(fā)展到i-line，波長縮小到365nm，實(shí)際對應(yīng)的分辨率大約在200nm以上。

隨后，業(yè)界采用了準(zhǔn)分子激光的深紫外光源(DUV:DeepUltravioletLight)。將波長進(jìn)一步縮小到ArF的193nm。不過原本接下來打算采用的157nm的F2準(zhǔn)分子激光上遇到了一系列技術(shù)障礙以后，ArF加浸入技術(shù)(ImmersionTechnology)成為了主流。

所謂浸入技術(shù)，就是讓鏡頭和硅片之間的空間浸泡于液體之中。由于液體的折射率大于1，使得激光的實(shí)際波長會(huì)大幅度縮小。目前主流采用的純凈水的折射率為1.44，所以ArF加浸入技術(shù)實(shí)際等效的波長為193nm/1.44=134nm。從而實(shí)現(xiàn)更高的分辨率。F2準(zhǔn)分子激光之所以沒有得以發(fā)展的一個(gè)重大原因是，157nm波長的光線不能穿透純凈水，無法和浸入技術(shù)結(jié)合。所以，準(zhǔn)分子激光光源只發(fā)展到了ArF。

這之后，業(yè)界開始采用極紫外光源(EUV:ExtremeUltravioletLight)來進(jìn)一步提供更短波長的光源。目前主要采用的辦法是將準(zhǔn)分子激光照射在錫等靶材上，激發(fā)出13.5nm的光子，作為光刻機(jī)光源。目前，各大Foundry廠在7nm以下的最高端工藝上都會(huì)采用EUV光刻機(jī)，其中三星在7nm節(jié)點(diǎn)上就已經(jīng)采用了。而目前只有荷蘭ASML一家能夠提供可供量產(chǎn)用的EUV光刻機(jī)。　

分辨率：

光刻機(jī)的分辨率(Resolution)表示光刻機(jī)能清晰投影最小圖像的能力，是光刻機(jī)最重要的技術(shù)指標(biāo)之一，決定了光刻機(jī)能夠被應(yīng)用于的工藝節(jié)點(diǎn)水平。但必須注意的是，雖然分辨率和光源波長有著密切關(guān)系，但兩者并非是完全對應(yīng)。具體而言二者關(guān)系公式是：

公式中R代表分辨率；λ代表光源波長；k1是工藝相關(guān)參數(shù)，一般多在0.25到0.4之間；NA(NumericalAperture)被稱作數(shù)值孔徑，是光學(xué)鏡頭的一個(gè)重要指標(biāo)，一般光刻機(jī)設(shè)備都會(huì)明確標(biāo)注該指標(biāo)的數(shù)值。

所以我們在研究和了解光刻機(jī)性能的時(shí)候，一定要確認(rèn)該值。在光源波長不變的情況下，NA的大小直接決定和光刻機(jī)的實(shí)際分辨率，也等于決定了光刻機(jī)能夠達(dá)到的最高的工藝節(jié)點(diǎn)。

關(guān)于這個(gè)參數(shù)的具體含義和詳細(xì)解釋，有興趣的朋友可以參考維基百科。

套刻精度：

套刻精度(OverlayAccuracy)的基本含義時(shí)指前后兩道光刻工序之間彼此圖形的對準(zhǔn)精度(3σ)，如果對準(zhǔn)的偏差過大，就會(huì)直接影響產(chǎn)品的良率。對于高階的光刻機(jī)，一般設(shè)備供應(yīng)商就套刻精度會(huì)提供兩個(gè)數(shù)值，一種是單機(jī)自身的兩次套刻誤差，另一種是兩臺設(shè)備（不同設(shè)備）間的套刻誤差。

套刻精度其實(shí)是光刻機(jī)的另一個(gè)非常重要的技術(shù)指標(biāo)，不過有時(shí)非專業(yè)人士在研究學(xué)習(xí)光刻機(jī)性能時(shí)會(huì)容易忽略。我們在后面的各大供應(yīng)商產(chǎn)品詳細(xì)列表里，特意加上了這個(gè)指標(biāo)。　

工藝節(jié)點(diǎn)：

工藝節(jié)點(diǎn)(nodes)是反映集成電路技術(shù)工藝水平最直接的參數(shù)。目前主流的節(jié)點(diǎn)為0.35um、0.25um、0.18um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、16/14nm、10nm、7nm等。傳統(tǒng)上(在28nm節(jié)點(diǎn)以前)，節(jié)點(diǎn)的數(shù)值一般指MOS管柵極的最小長度(gatelength)，也有用第二層金屬層(M2)走線的最小間距(pitch)作為節(jié)點(diǎn)指標(biāo)的。

節(jié)點(diǎn)的尺寸數(shù)值基本上和晶體管的長寬成正比關(guān)系，每一個(gè)節(jié)點(diǎn)基本上是前一個(gè)節(jié)點(diǎn)的0.7倍。這樣以來，由于0.7X0.7=0.49，所以每一代工藝節(jié)點(diǎn)上晶體管的面積都比上一代小大約一半，也就是說單位面積上的晶體管數(shù)量翻了一番。這也是著名的摩爾定律(Moore'sLaw)的基礎(chǔ)所在。一般而言，大約18~24個(gè)月，工藝節(jié)點(diǎn)就會(huì)發(fā)展一代。

但是到了28nm之后的工藝，節(jié)點(diǎn)的數(shù)值變得有些混亂。一些Foundry廠可能是出于商業(yè)宣傳的考量，故意用一些圖形的特征尺寸(FeatureSize)來表示工藝節(jié)點(diǎn)，他們往往用最致密周期圖形的半間距長度來作為工藝節(jié)點(diǎn)的數(shù)值。這樣一來，雖然工藝節(jié)點(diǎn)的發(fā)展依然是按照0.7倍的規(guī)律前進(jìn)，但實(shí)際上晶體管的面積以及電性能的提升則遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于節(jié)點(diǎn)數(shù)值變化。更為麻煩的是，不同F(xiàn)oundry的工藝節(jié)點(diǎn)換算方法不一，這便導(dǎo)致了很多理解上的混亂。根據(jù)英特爾的數(shù)據(jù)，他們20nm工藝的實(shí)際性能就已經(jīng)相當(dāng)于三星的14nm和臺積電的16nm工藝了。

上圖為英特爾公布的10nm節(jié)點(diǎn)詳細(xì)工藝參數(shù)對比。由圖可以明顯看到，同樣10nm工藝節(jié)點(diǎn)上，英特爾的晶體管密度大約是三星和臺積電的兩倍。

在65nm工藝及以前，工藝節(jié)點(diǎn)的數(shù)值幾乎和光刻機(jī)的最高分辨率是一致的。由于鏡頭NA的指標(biāo)沒有太大的變化，所以工藝節(jié)點(diǎn)的水平主要由光源的波長所決定。ArF193nm的波長可以實(shí)現(xiàn)的最高工藝節(jié)點(diǎn)就是65nm。

而到了65nm以后，由于光源波長難于進(jìn)一步突破，業(yè)界采用了浸入式技術(shù)，將等效的光源波長縮小到了134nm。不僅如此，在液體中鏡頭的NA參數(shù)也有了較大的突破。根據(jù)ASML產(chǎn)品數(shù)據(jù)信息，采用浸入技術(shù)之后，NA值由0.50–0.93發(fā)展到了0.85–1.35，從而進(jìn)一步提高了分辨率。同時(shí)，在相移掩模(Phase-ShiftMask)和OPC(OpticalProximityCorrection)等技術(shù)的協(xié)同助力之下，在光刻設(shè)備的光源不變的條件下，業(yè)界將工藝節(jié)點(diǎn)一直推進(jìn)到了28nm。

而到了28nm以后，由于單次曝光的圖形間距已經(jīng)無法進(jìn)一步提升，所以業(yè)界開始廣泛采用MultiplePatterning的技術(shù)來提高圖形密度，也就是利用多次曝光和刻蝕的辦法來產(chǎn)生更致密圖形。

值得特別注意的是，MultiplePatterning技術(shù)的引入導(dǎo)致了掩模(Mask)和生產(chǎn)工序的增加，直接導(dǎo)致了成本的劇烈上升，同時(shí)給良率管理也帶來一定的麻煩。同時(shí)由于前述的原因，節(jié)點(diǎn)的提升并沒有帶來芯片性能成比例的增加，所以目前只有那些對芯片性能和功耗有著極端要求的產(chǎn)品才會(huì)采用這些高階工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)。于是，28nm便成為了工藝節(jié)點(diǎn)的一個(gè)重要的分水嶺，它和下一代工藝之間在性價(jià)比上有著巨大的差別。大量不需要特別高性能，而對成本敏感的產(chǎn)品(比如IOT領(lǐng)域的芯片)會(huì)長期對28nm工藝有著需求。所以28nm節(jié)點(diǎn)會(huì)成為一個(gè)所謂的長節(jié)點(diǎn)，在未來比較長的一段時(shí)間里都會(huì)被廣泛應(yīng)用，其淘汰的時(shí)間也會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于其它工藝節(jié)點(diǎn)。

各個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)和工藝及光刻機(jī)光源類型的關(guān)系圖

根據(jù)業(yè)界的實(shí)際情況，英特爾和臺積電一直到7nm工藝節(jié)點(diǎn)都依然使用浸入式ArF的光刻設(shè)備。但是對于下一代的工藝，則必須采用EUV光源的設(shè)備了。目前全球只有ASML一家能夠提供波長為13.5nm的EUV光刻設(shè)備。毫無疑問，未來5nm和3nm的工藝，必然是EUV一家的天下。事實(shí)上，三星在7nm節(jié)點(diǎn)上便已經(jīng)采用了EUV光刻設(shè)備，而中芯國際最近也訂購了一臺EUV用于7nm工藝的研發(fā)。

在售的部分光刻機(jī)的列表及相關(guān)參數(shù)

目前光刻設(shè)備按照曝光方式分為Stepper和Scanner兩種。Stepper是傳統(tǒng)地一次性將整個(gè)區(qū)域進(jìn)行曝光；而Scanner是鏡頭沿Y方向的一個(gè)細(xì)長空間曝光，硅片和掩模同時(shí)沿X方向移動(dòng)經(jīng)過曝光區(qū)動(dòng)態(tài)完成整個(gè)區(qū)域的曝光。和Stepper相比，Scanner不僅圖像畸變小、一致性高，而且曝光速度也更快。所以目前主流光刻機(jī)都是Scanner，只有部分老式設(shè)備依舊是Stepper。上表中如果沒有特別注明，都是屬于Scanner類型。

編輯：黃飛

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