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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>功率SiC器件和GaN器件市場預測

功率SiC器件和GaN器件市場預測

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2022-07-29 14:09:53807

SiC功率器件和模塊!

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2022-11-22 09:59:261373

氮化鎵(GaN)器件基礎技術問題分享

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2019-07-05 11:56:2833343

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全球范圍內(nèi)5G技術的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年,GaNSiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元,預計2021年至2027年的復合年增長率
2021-05-21 14:57:182257

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GaNSiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
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最新SiC市場預測:2030年8英寸滲透率達5成;中國汽車OEM SiC 6成本土供應

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日,著名咨詢公司麥肯錫發(fā)表了一份SiC市場的分析報告,其中電動汽車市場以及SiC市場的最新預測數(shù)據(jù)值得我們關注。 電動汽車以及SiC市場預測 ? 麥肯錫從2018
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
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GaN基微波半導體器件材料的特性

材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因,介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài),對GaN 調制摻雜場效應晶體管(MODFETs)的工作原理以及特性進行了具體分析,并同其他微波器件進行了比較,展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00

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2019-06-26 06:14:34

SiC GaN有什么功能?

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52

SiC MOSFET的器件演變與技術優(yōu)勢

一樣,商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中,并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。  碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12

SiC SBD的器件結構和特征

1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-03-14 06:20:14

SiC/GaN功率開關有什么優(yōu)勢

新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現(xiàn)更緊
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SiC/GaN功率轉換器已在各種創(chuàng)新市場和應用領域攻城略地

) !important]推動SiC/GaN功率開關普及的主要應用有太陽能光伏逆變器、電動汽車充電器和儲能轉換器。這里利用了超快的小型高效功率開關的附加價值,為市場帶來了超高開關頻率和超過99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

電導率調制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

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,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件的封裝技術研究

  具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與Si相比,它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04

SiC功率器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

前面對SiC的物理特性和SiC功率器件的特征進行了介紹。SiC功率器件具有優(yōu)于Si功率器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23

SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?

與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35

功率器件

元件。?雖然是新半導體,但在要求高品質和高可靠性的車載設備市場已擁有豐碩的實際應用業(yè)績。< 相關產(chǎn)品信息 >SiC功率器件SiC-SBDSiC-MOSFET「全SiC功率模塊
2018-11-29 14:39:47

【直播邀請】羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用

本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯 親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率器件的領先企業(yè),自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率器件
2018-07-27 17:20:31

一文詳解下一代功率器件寬禁帶技術

,從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16

中國功率器件市場發(fā)展現(xiàn)狀

中國功率器件市場發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應用的產(chǎn)品包括
2009-09-23 19:36:41

了解一下SiC器件的未來需求

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2021-09-15 07:42:00

什么是基于SiCGaN功率半導體器件

元件來適應略微增加的開關頻率,但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗[2]。因此,開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?! 』?SiCGaN功率半導體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

的材料特性,各自都有各自的優(yōu)點和不成熟處,因此在應用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識是:SiC適合高于1200V的高電壓大功率應用;GaN器件更適合于40-1200V的高頻應用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11

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報名 | 寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55

有效實施更長距離電動汽車用SiC功率器件

雖然電動和混合動力電動汽車(EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45

未找到GaN器件

您好,有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件,因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時,它只顯示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬,我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31

未來發(fā)展導向之Sic功率器件

`①未來發(fā)展導向之Sic功率器件功率器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
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Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場(比如電機驅動逆變器市場)采用新技術的速度較慢,而另一些市場(比如太陽能
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PEC-電力電子帶你看SiCGaN技術與發(fā)展展望

據(jù)權威媒體分析,SiCGaN器件將大舉進入電力電子市場,預計到2020年,SiCGaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiCGaN的技術創(chuàng)新上。
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安華高科技公司(Avago Technologies)推出了四款光電耦合器新產(chǎn)品,主要用于使用 SiC(碳化硅)和 GaN(氮化鎵)制造的功率半導體器件等的門極驅動。新產(chǎn)品的最大特點是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:001

第三代半導體材料盛行,GaNSiC如何撬動新型功率器件

1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529

針對惡劣環(huán)境應用的SiC功率器件

引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優(yōu)越材料
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基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
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GaNSiC器件將成為功率轉換應用中的新型解決方案

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是時候采用氮化鎵功率器件設計DC/DC轉換器了

很多工程師提問關于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaNSiC都是寬帶隙半導體,因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率GaN的一個額外優(yōu)點是可以在器件表面產(chǎn)生二維電子氣(2DEG)。
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行業(yè) | 全SiC模塊正在加速,SiC功率器件走向繁榮

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SiC器件市場有望快速增長

了巨大的GaN射頻器件市場需求。2019年,GaN射頻市場約為6.42億美元。亞化咨詢預計,到2025年GaN射頻器件市場將超過30億美元。
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2021-05-03 16:18:0010175

SiC功率器件模塊應用筆記

的 3 倍,而且在器件制造時可以在較寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制,所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC,現(xiàn)在 4inch~6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957

SiC器件頻繁在高功率工業(yè)驅動中應用

前言 近年來,電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。 WBG功率器件已經(jīng)對從普通
2021-08-13 15:22:002206

國產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達國際一流水平,組建歐洲銷售團隊“出海

日前,SiC & GaN功率器件設計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。
2021-09-09 09:39:171065

功率器件SiCGaN的電壓變化率與電流變化率

/dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料,其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅動特性。為了加深大家對高速功率半導體器件的理解,今天我們以SiCGaN為例來聊一下這個話題,看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477

GaNSiC功率器件的基礎知識

在基本半導體特性(帶隙、臨界電場和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?!癝i 的帶隙略高于一個電子伏特,臨界電子場為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748

集成汽車 GaN 功率器件

意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術及其自身獨特的設計和封裝專業(yè)知識
2022-08-03 10:44:57641

GaN扼殺的硅、分立功率器件

。與此同時,一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩(wěn)步前進,該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍,比當今市場上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍(圖1)。 圖 1:一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代(紫色圓點)和
2022-08-04 11:17:55587

GaN功率器件在工業(yè)電機控制領域的應用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業(yè)電機控制應用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231530

優(yōu)化SiC功率器件的三個步驟

鎵 (GaN) 等技術所需的最高開關速度和系統(tǒng)尺寸限制而設計。架構的演進滿足了新的效率水平和時序性能的穩(wěn)定性,從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導體的基于 SiC 技術的功率器件為參考點。
2022-08-10 15:22:11813

詳解GaNSiC器件測試的理想探頭

DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是GaNSiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121

SiC功率器件的發(fā)展及技術挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術,特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289

SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望!

碳化硅(SiC功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?;仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀!

近年來,SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善,已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020

SiCGaN功率電子器件的優(yōu)勢和應用

  隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規(guī)半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命,這有助于推動寬帶隙半導體的市場
2023-02-05 14:25:15677

SiC功率器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

SiC功率器件具有優(yōu)于Si功率器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應用到功率器件上,實現(xiàn)以往Si功率器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448

使用多個電流探頭研究SiCGaN功率半導體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個電流探頭研究SiCGaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:18350

Yole:SiC 器件將占領 30% 的功率器件市場

根據(jù)市場分析機構 Yole 預測,在未來 5 年內(nèi),SiC 功率器件將很快占據(jù)整個功率器件市場的 30%,SiC 行業(yè)(從襯底到模塊,包括器件)的增長率非常高。在Yole看來,到 2027 年,該行
2023-02-20 17:05:161106

SiC功率器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

前面對SiC的物理特性和SiC功率器件的特征進行了介紹。SiC功率器件具有優(yōu)于Si功率器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346

未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元

全球SiC器件產(chǎn)能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預測,未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元,并可能在2030年代初達到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556

GaN功率器件應用可靠性增長研究

GaN功率器件是雷達T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074

GaNSiC功率器件的特點 GaNSiC的技術挑戰(zhàn)

 SiCGaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

一文看懂SiC功率器件

范圍內(nèi)控制必要的p型、n型,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145

功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴大

調查結果顯示,SiCGaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件,市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24365

低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優(yōu)勢

GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發(fā)和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25660

分析 丨GaN功率器件格局持續(xù)變化,重點關注這兩家廠商

年,GaN器件將達到整個功率半導體市場的2.7%,市場規(guī)模僅為20.36億美元。 圖注:GaN市場預測(芯查查制表,數(shù)據(jù)來源:Yole)作為第三代半導體材料,GaN被看好是因為其具有比硅更佳的電氣特性,另一個關鍵點是成本在逐步降低,市場趨勢表明,GaN器件將在成本上與MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211630

長電科技高可靠性車載SiC功率器件封裝設計

長電科技在功率器件封裝領域積累了數(shù)十年的技術經(jīng)驗,具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398

三菱電機將投資Coherent的SiC業(yè)務 發(fā)展SiC功率器件業(yè)務

業(yè)務分拆成立新公司,并將投資5億美元(約750億日元1)。Coherent一直是三菱電機的SiC襯底供應商,此次投資旨在通過加強與Coherent的縱向合作,擴大其SiC功率器件業(yè)務。 電動汽車市場正在
2023-10-18 19:17:17368

低成本垂直GaN功率器件研究

隨著半導體技術的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107

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