***(lithography)又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等,是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù),把掩膜版上的精細(xì)圖形通過(guò)光線的曝光印制到硅片上。
DMD無(wú)掩膜光刻技術(shù)是從傳統(tǒng)光學(xué)光刻技術(shù)衍生出的一種新技術(shù),因?yàn)槠淦毓獬上竦姆绞脚c傳統(tǒng)投影光刻基本相似,區(qū)別在于使用數(shù)字DMD代替?zhèn)鹘y(tǒng)的掩膜,其主要原理是通過(guò)計(jì)算機(jī)將所需的光刻圖案通過(guò)軟件輸入到DMD芯片中,并根據(jù)圖像中的黑白像素的分布來(lái)改變DMD芯片微鏡的轉(zhuǎn)角,并通過(guò)準(zhǔn)直光源照射到DMD芯片上形成與所需圖形一致的光圖像投射到基片表面,并通過(guò)控制樣品臺(tái)的移動(dòng)實(shí)現(xiàn)大面積的微結(jié)構(gòu)制備。設(shè)備原理圖圖下圖所示。相對(duì)于傳統(tǒng)的光刻設(shè)備,DMD無(wú)掩膜***無(wú)需掩膜,節(jié)約了生產(chǎn)成本和周期并可以根據(jù)自己的需求靈活設(shè)計(jì)掩膜。
光刻是指利用光學(xué)復(fù)制的方法把圖形印制在光敏記錄材料上,然后通過(guò)刻蝕的方法將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上來(lái)制作電子電路的技術(shù)。其中光刻系統(tǒng)被稱為***,帶有圖形的石英板稱為掩膜,光敏記錄材料被稱為光刻膠或抗蝕劑。具體光刻流程如下圖所示:
光刻技術(shù)是集成電路制造、印刷電路板制造以及微機(jī)電元件制造等微納加工領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,集成電路的需求出現(xiàn)了井噴式的增長(zhǎng)。使的對(duì)掩膜的需求急劇增加,目前制作掩膜的主要技術(shù)是電子束直寫(xiě),但該制作效率非常低下,并且成本也不容小覷,在這種背景下人們把目光轉(zhuǎn)移到了無(wú)掩膜光刻技術(shù)。
備受關(guān)注的無(wú)掩膜光刻技術(shù)大概可以分為兩類:1)帶電粒子無(wú)掩膜光刻;例如電子束直寫(xiě)和離子束光刻技術(shù)等。2)光學(xué)無(wú)掩膜技術(shù);例如DMD無(wú)掩膜光刻技術(shù)、激光直寫(xiě)、干涉光刻技術(shù)、衍射光學(xué)元件光刻技術(shù)等。
其中DMD無(wú)掩膜光刻技術(shù)是從傳統(tǒng)光學(xué)光刻技術(shù)衍生出的一種新技術(shù),因?yàn)槠淦毓獬上竦姆绞脚c傳統(tǒng)投影光刻基本相似,區(qū)別在于使用數(shù)字DMD代替?zhèn)鹘y(tǒng)的掩膜,其主要原理是通過(guò)計(jì)算機(jī)將所需的光刻圖案通過(guò)軟件輸入到DMD芯片中,并根據(jù)圖像中的黑白像素的分布來(lái)改變DMD芯片微鏡的轉(zhuǎn)角,并通過(guò)準(zhǔn)直光源照射到DMD芯片上形成與所需圖形一致的光圖像投射到基片表面,并通過(guò)控制樣品臺(tái)的移動(dòng)實(shí)現(xiàn)大面積的微結(jié)構(gòu)制備。設(shè)備原理圖圖下圖所示。相對(duì)于傳統(tǒng)的光刻設(shè)備,DMD無(wú)掩膜***無(wú)需掩膜,節(jié)約了生產(chǎn)成本和周期并可以根據(jù)自己的需求靈活設(shè)計(jì)掩膜。相對(duì)于激光直寫(xiě)設(shè)備,DMD芯片上的每一個(gè)微鏡都可以等效看成一束獨(dú)立光源,其曝光的過(guò)程相當(dāng)于多光束多點(diǎn)同時(shí)曝光可極大提高生產(chǎn)效率特別是對(duì)于結(jié)構(gòu)繁瑣的圖形。
掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。常用的***是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻,所以叫?Mask Alignment System。
***原理是通過(guò)一系列的光源能量、形狀控制手段,將光束透射過(guò)畫(huà)著線路圖的掩模,經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差,將線路圖成比例縮小后映射到硅片上,不同***的成像比例不同。然后使用化學(xué)方法顯影,得到刻在硅片上的電路圖(即芯片)。
掩膜光刻一般根據(jù)操作的簡(jiǎn)便屬于手動(dòng)機(jī),指的是對(duì)準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式,是通過(guò)手調(diào)旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來(lái)完成對(duì)準(zhǔn),對(duì)準(zhǔn)精度可想而知不高了。
***性能指標(biāo):
***的主要性能指標(biāo)有:支持基片的尺寸范圍,分辨率、對(duì)準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長(zhǎng)、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。
分辨率是對(duì)光刻工藝加工可以達(dá)到的最細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對(duì)準(zhǔn)精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫(xiě)式。
曝光光源波長(zhǎng)分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域,光源有汞燈,準(zhǔn)分子激光器等。
***的作用:
***是微電子整備的空頭,其具有技術(shù)難度最高、單臺(tái)成本最大、決定集成密度等特點(diǎn)。
***工作原理:
***通過(guò)一系列的光源能量、形狀控制手段,將光束透射過(guò)畫(huà)著線路圖的掩模,經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差,將線路圖成比例縮小后映射到硅片上,不同***的成像比例不同,有5:1,也有4:1。然后使用化學(xué)方法顯影,得到刻在硅片上的電路圖。
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過(guò)一次光刻的芯片可以繼續(xù)涂膠、曝光。越復(fù)雜的芯片,線路圖的層數(shù)越多,也需要更精密的曝光控制過(guò)程?,F(xiàn)在先進(jìn)的芯片有30多層。
上圖是一張***的簡(jiǎn)易工作原理圖。下面,簡(jiǎn)單介紹一下圖中各設(shè)備的作用。
測(cè)量臺(tái)、曝光臺(tái):承載硅片的工作臺(tái),也就是本次所說(shuō)的雙工作臺(tái)。
光束矯正器:矯正光束入射方向,讓激光束盡量平行。
能量控制器:控制最終照射到硅片上的能量,曝光不足或過(guò)足都會(huì)嚴(yán)重影響成像質(zhì)量。
光束形狀設(shè)置:設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀,不同的光束狀態(tài)有不同的光學(xué)特性。
遮光器:在不需要曝光的時(shí)候,阻止光束照射到硅片。
能量探測(cè)器:檢測(cè)光束最終入射能量是否符合曝光要求,并反饋給能量控制器進(jìn)行調(diào)整。
掩模版:一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計(jì)圖的玻璃板,貴的要數(shù)十萬(wàn)美元。
掩膜臺(tái):承載掩模版運(yùn)動(dòng)的設(shè)備,運(yùn)動(dòng)控制精度是nm級(jí)的。
物鏡:物鏡由20多塊鏡片組成,主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小,再被激光映射的硅片上,并且物鏡還要補(bǔ)償各種光學(xué)誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計(jì)難度大,精度的要求高。
硅片:用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸,尺寸越大,產(chǎn)率越高。題外話,由于硅片是圓的,所以需要在硅片上剪一個(gè)缺口來(lái)確認(rèn)硅片的坐標(biāo)系,根據(jù)缺口的形狀不同分為兩種,分別叫flat、notch。
內(nèi)部封閉框架、減振器:將工作臺(tái)與外部環(huán)境隔離,保持水平,減少外界振動(dòng)干擾,并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。
掩膜版
光刻掩模版,別稱“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”,一般使用玻璃或者石英表面覆蓋帶有圖案的金屬圖形,實(shí)現(xiàn)對(duì)光線的遮擋或透過(guò)功能,是微電子光刻工藝中的一個(gè)工具或者板材。我們利用光罩可以實(shí)現(xiàn)微電子工藝中的圖形傳遞。光刻掩模版的加工技術(shù)主要有兩種:其一為激光直寫(xiě)技術(shù);其二為電子束直寫(xiě)部分,兩種技術(shù)區(qū)別在于光源不同,實(shí)現(xiàn)的精度有所區(qū)別。
掩模版是光刻工藝不可缺少的部件。掩模上承載有設(shè)計(jì)圖形,光線透過(guò)它,把設(shè)計(jì)圖形透射在光刻膠上,掩膜版的功能類似于傳統(tǒng)照相機(jī)的“底片”。我們可以通過(guò)把圖形做在掩模版上通過(guò)下一步曝光工藝(下期講解)轉(zhuǎn)移到我們的基底上,基底上有對(duì)應(yīng)的相關(guān)圖形了,但是通過(guò)曝光基底上還沒(méi)有刻上圖形,只是光刻膠有了相關(guān)圖形,就像這樣:
光刻膠的是一種對(duì)光敏感的材料,通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化。有可能會(huì)變?nèi)菀兹芙庖部赡茏兊貌蝗菀?,這時(shí)候再通過(guò)顯影液,不穩(wěn)定的部分將會(huì)被處理掉,剩下的就是我們想要的圖形。
掩模版都有哪些種類?
普通版 :一般使用蘇打玻璃或者石英,常見(jiàn)2寸到10寸,線寬一般在1um以上,主要用戶接觸式曝光機(jī),轉(zhuǎn)移圖形與版圖尺寸為1:1,實(shí)現(xiàn)同比例的圖形轉(zhuǎn)移。
Stepper版:一般使用石英版,常見(jiàn)為5寸和6寸版,線寬一般在500nm以上,主要用于Stepper曝光機(jī)臺(tái),轉(zhuǎn)移圖形與版圖尺寸實(shí)際比例一般是4:1或者5:1,實(shí)現(xiàn)將版圖圖形縮小4~5倍之后投射于目的片上。
納米壓印版:一般用石英版,刻蝕其表面的金屬形成溝槽和透光不透光的組合,尺寸一般需要5寸及以上,采用電子束直寫(xiě)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)表面nm圖形的轉(zhuǎn)移,一般線寬在200~800nm左右,借助掩模版對(duì)光刻膠的壓力、同時(shí)輔助紫外曝光,最終實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖形的轉(zhuǎn)移。
金屬掩模版:一把采用不銹鋼,在不銹鋼表面通過(guò)激光加工的方式,實(shí)現(xiàn)表面鏤空的圖形設(shè)計(jì),最小線寬一般要20um,能夠用于電子束蒸發(fā)、磁控濺射中,用于電極圖形的轉(zhuǎn)移。
如何制作一塊版?
制作版的流程其實(shí)也是一套維納加工的流程,我們可以通過(guò)常用的設(shè)計(jì)軟件CAD、EDA等設(shè)計(jì)出我們的圖形,通過(guò)光刻、顯影、刻蝕處理,大概過(guò)程如下:
應(yīng)用范圍:
編輯:黃飛
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評(píng)論
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