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半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)跟蹤報告：ALD技術(shù)進(jìn)行薄膜沉積工藝優(yōu)勢
- 半導(dǎo)體器件(31456)
- 晶圓制造(23622)
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2023-08-28 11:19:30
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半導(dǎo)體工藝幾種工藝制程介紹
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
半導(dǎo)體工藝講座
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢是什么？
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體技術(shù)如何變革汽車設(shè)計產(chǎn)業(yè)的
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計產(chǎn)業(yè)的？
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半導(dǎo)體技術(shù)如何改進(jìn)電控天線SWaP-C
多個數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號的作用，降低攔截概率。正在席卷整個行業(yè)的相控天線設(shè)計為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點，以最終
2021-01-20 07:11:05
半導(dǎo)體薄膜厚度檢測設(shè)備設(shè)備出售
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:21:04
半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢
半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢是什么？在當(dāng)前科技日新月異、需求層出不窮的背景下，芯片廠商如何找準(zhǔn)自己的定位以不被時代淘汰？近日，EEWORLD記者有幸借助在硅谷舉辦的euroasia PRESS 拜訪Altera
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半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個主要步驟： 4簡敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
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半導(dǎo)體制程
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
半導(dǎo)體制造的難點匯總
以及降低成本。由于半導(dǎo)體制造的工藝性涉及多個行業(yè)，專門從事供應(yīng)的行業(yè)發(fā)展起來以提供硅片制造需要的化學(xué)材料和設(shè)備。眾多高技術(shù)公司于20世紀(jì)60年代成立：1968年，成立英特爾公司。1969年，成立AMD。20
2020-09-02 18:02:47
半導(dǎo)體廠商在家電變頻技術(shù)競爭
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場和功能的擴(kuò)展，消費者對家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競技者
2019-06-21 07:45:46
半導(dǎo)體發(fā)展的四個時代
等公司是這一歷史階段的先驅(qū)?，F(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實施和工藝技術(shù)。在這個階段，半導(dǎo)體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計限制，出現(xiàn)了一個更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計和構(gòu)建定制
2024-03-13 16:52:37
半導(dǎo)體塑封設(shè)備
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
半導(dǎo)體測試解決方案
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一，因為自動化測試設(shè)備(ATE)是一項重大的資本支出。那么，有沒有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競爭優(yōu)勢的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
半導(dǎo)體清洗設(shè)備
蘇州晶淼專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備，可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國內(nèi)專業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商，歡迎來電咨詢。電話：***，13771786452王經(jīng)理
2016-09-05 10:40:27
半導(dǎo)體濕法腐蝕設(shè)備
行業(yè)及高等院校、研究所等高科技領(lǐng)域的生產(chǎn)和研發(fā)。我們的每臺設(shè)備除標(biāo)準(zhǔn)化制作外，還可根據(jù)客戶的工藝需求和工作環(huán)境的具體要求，對設(shè)備進(jìn)行人性化、個性化設(shè)計。歡迎來電咨詢。電話：***，13771786452王經(jīng)理
2016-09-06 13:53:08
半導(dǎo)體生產(chǎn)行業(yè)檢測儀器遠(yuǎn)程在線式塵埃粒子計數(shù)器
的跨越，裝備產(chǎn)業(yè)將是重要環(huán)節(jié)，其中需要更多的創(chuàng)新，才能引領(lǐng)中國半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展，并推動我國芯片工藝制程和技術(shù)跨越式提升。3DFlash存儲器、人工智能芯片、MEMS/sensor芯片、GaN/SiC功率
2020-12-08 10:18:29
半導(dǎo)體電阻率測試方案解析
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測試方法有很多種，其中四探針法具有設(shè)備簡單、操作方便、測量精度高以及對樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
技術(shù)創(chuàng)新是半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展的源動力
來源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) www.ic.bit-bit.com原創(chuàng)摘要：2011年轉(zhuǎn)眼即逝，縱觀2011年，企業(yè)在半導(dǎo)體行業(yè)的市場有著怎么樣的發(fā)展呢？為適應(yīng)市場需求，半導(dǎo)體器件市場出現(xiàn)了哪些新的技術(shù)
2011-12-08 17:24:00
SPC在半導(dǎo)體在半導(dǎo)體晶圓廠的實際應(yīng)用
）輸人計算機(jī)的數(shù)據(jù)必須及時真實可靠，不得進(jìn)行人為篩選； （3）在數(shù)據(jù)波動比較大時，注意分析原材料、設(shè)備和環(huán)境等因素，避免盲目改變工藝條件，以免出現(xiàn)浪費。本文摘自《半導(dǎo)體技術(shù)》
2018-08-29 10:28:14
[轉(zhuǎn)帖]半導(dǎo)體技術(shù)
***********EMD代理美國SCI高精準(zhǔn)薄膜度量 系統(tǒng) 與 軟件分析 產(chǎn)品，美國SCI為世界薄膜度量系統(tǒng)和分析軟件行業(yè)的領(lǐng)軍者，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體，OLED/LCD
2008-12-30 18:47:30
《半導(dǎo)體行業(yè)2016年度報告》即將來襲|摩爾精英
`關(guān)注摩爾精英微信公眾號MooreRen獲取《半導(dǎo)體行業(yè)2016年度報告》，參與2016年半導(dǎo)體人薪資測評即有機(jī)會獲得華米手表、小米手環(huán)2、上千元紅包等新年賀禮！`
2016-12-14 16:39:59
《半導(dǎo)體行業(yè)2016年度薪資報告》來襲|摩爾精英
` 本帖最后由 MooreElite 于 2016-12-16 19:38 編輯
關(guān)注摩爾精英微信公眾號MooreRen獲取《半導(dǎo)體行業(yè)2016年度報告》，參與2016年半導(dǎo)體人薪資測評即有機(jī)會獲得華米手表、小米手環(huán)2、上千元紅包等新年賀禮！`
2016-12-16 16:17:28
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》IC制造工藝
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒有金屬時的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時，金屬層會下降到半導(dǎo)體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡介
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡介編號：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
【維信諾集團(tuán)】號外！號外！AMOLED熱門職位全面開放~~~
及以上學(xué)歷，物理、材料、化學(xué)、或半導(dǎo)體專業(yè)，至少1年工作經(jīng)驗，CET-4以上；1.熟悉薄膜制備的方法和表征手段，具有PECVD、ALD、噴墨打印或閃蒸發(fā)等相關(guān)薄膜沉積工作經(jīng)驗；2.熟悉真空設(shè)備相關(guān)
2017-02-08 17:23:27
為什么說移動終端發(fā)展引領(lǐng)了半導(dǎo)體工藝新方向？
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
仿真技術(shù)在半導(dǎo)體和集成電路生產(chǎn)流程優(yōu)化中的應(yīng)用
在產(chǎn)品工序的繁多，對設(shè)備的高利用率要求，和最特殊的是，“再進(jìn)入”（Re-entry）的流程特點，也就是產(chǎn)品在加工過程中要多次返回到同一設(shè)備進(jìn)行不同工序的加工。這種特殊的工藝流程特點決定了半導(dǎo)體集成電路
2009-08-20 18:35:32
低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢？
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
全球半導(dǎo)體產(chǎn)值再創(chuàng)新高，AOI設(shè)備需求熱度有望保持
國家/地區(qū)半導(dǎo)體市場的萎縮；另外，在技術(shù)更新?lián)Q代潮來臨之前，部分行業(yè)龍頭企業(yè)將提前布局領(lǐng)先技術(shù)。2016全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模比2015年將有小幅增長，尤其是半導(dǎo)體AOI設(shè)備。 圖2：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售（單位：億美元） 來源OFweek工控網(wǎng)
2016-02-16 11:33:37
關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備
想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
單片機(jī)晶圓制造工藝及設(shè)備詳解
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
國產(chǎn)設(shè)備如何立足半導(dǎo)體市場
。從產(chǎn)業(yè)政策方面講，國家對設(shè)備制造業(yè)的支持力度也不夠大，研發(fā)投入少得可憐。而且，國內(nèi)設(shè)備制造業(yè)與工藝生產(chǎn)相脫節(jié)，缺乏工藝方面的支撐，其研發(fā)周期相對較長。更為重要的是，長期以來，我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)落后
2008-08-16 23:05:04
常見的射頻半導(dǎo)體工藝，你知道幾種？
變化。SiGeBiCMOS工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新技術(shù)兼容，包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。不過硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41
提供半導(dǎo)體二手及翻新設(shè)備（前道和后道）
的設(shè)備?？晒?yīng)翻新半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括：光刻機(jī) 步進(jìn)光刻機(jī) 涂膠顯影 化學(xué)濕臺 沉積設(shè)備 劃片及磨片設(shè)備 電子束蒸發(fā) CVD沉積設(shè)備 刻蝕設(shè)備 離子注入機(jī) 顯微鏡 探針臺 薄膜測厚儀 表面檢測設(shè)備 鍵合機(jī)
2009-10-14 11:05:53
摩爾定律推動了整個半導(dǎo)體行業(yè)的變革
行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生，它不僅揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度，更在接下來的半個實際中，猶如一只無形大手般推動了整個半導(dǎo)體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50
有關(guān)半導(dǎo)體工藝的問題
circuit technique ）（百度百科）電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34
有需要半導(dǎo)體設(shè)備的嗎
蘇州晶淼有限公司專業(yè)制作半導(dǎo)體設(shè)備、LED清洗腐蝕設(shè)備、硅片清洗、酸洗設(shè)備等王經(jīng)理***/13771786452
2016-07-20 11:58:26
標(biāo)題:群“芯”閃耀的半導(dǎo)體行業(yè)
的產(chǎn)品附加值保證了產(chǎn)業(yè)利潤仍大幅提升，盈利能力也大大增強(qiáng)。另外，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集中度很低，上市公司大多是各個細(xì)分行業(yè)的龍頭，但行業(yè)代表性并不高。由于在技術(shù)和規(guī)模上的優(yōu)勢，其利潤率水平也要高于行業(yè)平均水平
2008-09-23 15:43:09
淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)
美元增長到2022年25億美元1。此外，隨著通信行業(yè)對器件性能的要求逐漸提高，GaN、GaAs等化合物半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，傳統(tǒng)硅工藝器件逐漸被取代，預(yù)計到2025年，化合物半導(dǎo)體將占據(jù)射頻器件市場份額的80%以上。
2019-06-13 04:20:24
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司招賢納士
刻蝕工藝以滿足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合，進(jìn)行半導(dǎo)體工藝流程分析 任職要求： 1、大學(xué)本科學(xué)歷（含）以上 2、掌握半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論，制品及器件技術(shù)，熟悉設(shè)備 、工藝 、 制造等相關(guān)內(nèi)容
2016-10-26 17:05:04
請問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價位??？
請問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價位啊？
2023-06-16 11:12:27
赴新加坡半導(dǎo)體工程師
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:10:18
赴新加坡半導(dǎo)體工程師
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:15:49
半導(dǎo)體設(shè)備治具清洗爐-新工藝
半導(dǎo)體設(shè)備用治具的清洗爐（Vacuum Bake Cleaner）●該設(shè)備用于去除附著在 MOCVD 托盤和零部件上的沉積物（GaN、AlN 等）。采用潔凈氣體的干式清洗法，因此不需要濕法后道處
2022-01-14 14:21:00
半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558
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ALD技術(shù)半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域發(fā)展及應(yīng)用
由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展
2018-02-13 03:16:0025903
25903泛林集團(tuán)宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 （ALD） 工藝
泛林集團(tuán)宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 （ALD） 工藝，標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS? 產(chǎn)品系列又添新成員。通過業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢（LFW） ALD 工藝，ALTUS Max
2018-05-24 17:19:002398
2398全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模至2025年有望達(dá)到340億美元
沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個非常重要的技術(shù)，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設(shè)中，晶圓廠80%的投資用于購買設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一，占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:106019
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淺談ALD在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的應(yīng)用
說明：若有考慮不周，歡迎留言指正。 原子層沉積在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的應(yīng)用 隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷提高，晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小，溝槽及其側(cè)壁的鍍膜技術(shù)面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，物理氣相沉積（PVD
2021-04-17 09:43:2116607
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第三代半導(dǎo)體熱潮“帶貨”沉積設(shè)備需求，供應(yīng)鏈與服務(wù)本地化成關(guān)鍵考量
業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD屬于CVD的一種，屬于當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。
2021-09-03 11:12:421149
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原子層沉積（ALD）工藝助力實現(xiàn)PowderMEMS技術(shù)平臺
Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項新研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)，用于在晶圓級上從多種材料中創(chuàng)建三維微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)基于通過原子層沉積（ALD）工藝在空腔中將微米級粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:232011
2011如何解決主要的 ALD 和 ALE 半導(dǎo)體工藝挑戰(zhàn)
在高精密的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，一些重要的流體系統(tǒng)組件質(zhì)量是成本門檻。例如，在原子層沉積 (ALD) 和原子層蝕刻 (ALE) 工藝中，—隨著工藝節(jié)點變得越來越小而日益難以維持—，系統(tǒng)中使用的任何組件均應(yīng)
2022-09-02 13:19:011996
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面向微納器件制造的微導(dǎo)ALD和PEALD技術(shù)
，致力于先進(jìn)微、納米級薄膜沉積技術(shù)和設(shè)備的研究與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為光伏、集成電路、柔性電子等半導(dǎo)體與泛半導(dǎo)體行業(yè)提供高端裝備與技術(shù)解決方案。 隨著對微處理器和存儲器的計算速度和功率需求的持續(xù)增加，同時又降低其功耗
2022-09-26 18:06:131228
1228「芯品動態(tài)」盛美新型熱ALD立式爐設(shè)備滿足高端半導(dǎo)體生產(chǎn)需求
盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司對其300mm Ultra Fn立式爐干法工藝平臺進(jìn)行了功能擴(kuò)展，研發(fā)出新型Ultra Fn A立式爐設(shè)備。該設(shè)備的熱原子層沉積（ALD）功能豐富了盛美上海立式爐系列設(shè)備的應(yīng)用。首臺Ultra Fn A立式爐設(shè)備已于9月底運往中國一家先進(jìn)的邏輯制造商。
2022-11-01 09:18:151466
1466原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）
由于 ALD 技術(shù)逐層生長薄膜的特點，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性和一致性，同時可以較好她控制其制備薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu)，因此被廣泛地應(yīng)用在微電子領(lǐng)域。
2022-11-07 10:43:165138
5138Beneq和LZH合作開發(fā)空間ALD系統(tǒng)，可快速在復(fù)雜光學(xué)元件上鍍膜
Hannover（簡稱：LZH）合作開發(fā)了一種新的空間ALD系統(tǒng)，該系統(tǒng)實現(xiàn)“以前所未有的速度在復(fù)雜形狀的光學(xué)元件上涂覆薄膜層”。 Beneq的ALD系統(tǒng)（稱為C2R）可實現(xiàn)高達(dá)200 rpm的速度，沉積速率高達(dá)1 μm/h。LZH指出，ALD是一種自限性和各向同性工藝，每個周期產(chǎn)生大約1埃的層厚度。這
2022-12-22 16:30:242866
2866晶圓制造的三大核心之薄膜沉積的原子層沉積（ALD）技術(shù)
ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:052442
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中微公司推出12英寸薄膜沉積設(shè)備Preforma Uniflex? CW
近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）設(shè)備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設(shè)備多年、在半導(dǎo)體薄膜沉積領(lǐng)域取得的新突破，也是實現(xiàn)公司業(yè)務(wù)多元化增長的新動能。
2023-05-17 17:08:41831
831基于PVD 薄膜沉積工藝
。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:511751
1751與傳統(tǒng)濺射或熱蒸發(fā)技術(shù)相比，離子束輔助沉積有哪些優(yōu)勢？
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22986
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原子層ALD沉積介紹
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:212038
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韞茂科技獲數(shù)億元融資，加快薄膜沉積設(shè)備量產(chǎn)
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺形態(tài)的納米級薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03540
540半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵技術(shù)ALD：這家公司是龍頭！
在半導(dǎo)體制造過程中，每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點多，操作復(fù)雜。
2023-06-28 16:54:061260
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半導(dǎo)體前端工藝：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵（上）
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404
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半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝
在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830
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詳解半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因為，壓強(qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:401214
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ALD是什么？半導(dǎo)體制造的基本流程
在半導(dǎo)體制造過程中，每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552902
2902
半導(dǎo)體前端工藝：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370
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ALD技術(shù)工藝原理、優(yōu)勢及應(yīng)用
面對真空鍍膜多元的應(yīng)用市場，鍍膜技術(shù)的發(fā)展也從傳統(tǒng)的蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)技術(shù)，相繼發(fā)展出PECVD、ALD原子層沉積技術(shù)、磁控濺射技術(shù)等等，技術(shù)地位日益凸顯。本報告嘉賓來自國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)無錫
2023-10-18 11:33:442992
2992
行業(yè)專題報告_半導(dǎo)體檢測設(shè)備行業(yè)專題報告.zip
行業(yè)專題報告_半導(dǎo)體檢測設(shè)備行業(yè)專題報告
2023-01-13 09:07:46
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4半導(dǎo)體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵
半導(dǎo)體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵
2023-11-27 16:48:42217
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半導(dǎo)體制造之薄膜工藝講解
薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18997
997一文詳解金屬薄膜沉積工藝及金屬化
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因為需要重新填充原來多晶硅柵極的地方，因此對薄膜的臺階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659
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化學(xué)氣相沉積與物理氣相沉積的差異
在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽能電池的具體問題進(jìn)行針對性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312
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半導(dǎo)體零部件行業(yè)深度報告
半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路的制造和封測環(huán)節(jié)，可細(xì)分為晶圓制造設(shè)備(前道設(shè)備）和封裝、測試設(shè)備（后道設(shè)備)。其中，前道設(shè)備主要有光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、離子注入機(jī)、CMP設(shè)備、清洗機(jī)、前道檢測設(shè)備和氧化退火設(shè)備，后道設(shè)備主要分為測試設(shè)備和封裝設(shè)備。
2023-12-27 10:57:48281
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