采用其28納米工藝制程的 Qualcomm?驍龍?410處理器已成功應(yīng)用于主流智能手機(jī)，這是28納米核心芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的重要一步，開啟了先進(jìn)手機(jī)芯片制造落地中國的新紀(jì)元。
2015-08-11 07:54:46
2718 旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動(dòng)整個(gè)圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個(gè)晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。
2023-06-06 10:43:441185 
阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
2023-06-09 11:31:083889 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴，但它可獨(dú)立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深，雖然也會(huì)給襯底引入大量的點(diǎn)缺陷和擴(kuò)展缺陷。
2023-12-22 09:41:21703 
手機(jī)上實(shí)現(xiàn)了5G信令及數(shù)據(jù)調(diào)試?！币患遗琶麌鴥?nèi)前四的國產(chǎn)手機(jī)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人如是說。手機(jī)廠商目前是5G商用布局中最為激進(jìn)的陣營(yíng)。8月28日，OPPO利用了一部改用了高通驍龍X505G調(diào)制解調(diào)器的R15手機(jī)
2018-09-18 18:51:04
認(rèn)識(shí)中國電子論壇好些日子了，開始理解不深，通過最近幾天查找資料，發(fā)現(xiàn)就中國電子論壇的最多，最好。{:22:}
2015-04-04 17:50:59
離子注入工藝資料~還不錯(cuò)哦~
2012-08-01 10:58:59
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面，當(dāng)離子進(jìn)入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進(jìn)內(nèi)部，并在其射程前后和側(cè)面激發(fā)出一個(gè)尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續(xù)下去，大約在10-11s內(nèi)，材料中將建立一個(gè)有數(shù)百個(gè)間隙原子和空位的區(qū)域。
2019-10-30 09:10:53
研發(fā)實(shí)力得到進(jìn)一步夯實(shí)，正伺機(jī)而動(dòng)等待崛起之機(jī)。GF退出后，高端芯片將出現(xiàn)一定的市場(chǎng)缺口，這將成為中國芯爭(zhēng)搶市場(chǎng)份額的好時(shí)機(jī)。日前，7納米的中國芯制造捷報(bào)頻頻。***才宣布 14 納米FinFET
2018-09-05 14:38:53
“英特爾精尖制造日”活動(dòng)今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D
2017-09-22 11:08:53
3.5萬片。***資金的注入將減輕中芯國際因先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)充帶來的投資壓力。臺(tái)積電本周宣布斷供華為，引發(fā)外界對(duì)...
2021-07-23 08:40:02
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等。離子注入機(jī)由離子源、離子引入和質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔組成，可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位
2018-09-03 09:31:49
的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗機(jī)、化學(xué)研磨設(shè)備等。以上是今日Enroo關(guān)于晶圓制造工藝及半導(dǎo)體設(shè)備的相關(guān)分享。
2018-10-15 15:11:22
一半，而性能提高兩倍。通過選擇一個(gè)高性能低功耗的工藝技術(shù)，一個(gè)覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴(kuò)展的架構(gòu)，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價(jià)值， 為客戶提供具備 ASIC 級(jí)功能
2019-08-09 07:27:00
的工藝流程的示意圖。我們可以從圖中看到，在凸起的表面會(huì)生成保護(hù)層5，并通過保護(hù)層5對(duì)未被凸起部覆蓋的JFET層進(jìn)行離子注入，進(jìn)而能得到體區(qū)域6?！ ≡礃O區(qū)域的P+區(qū)域9與N+區(qū)域8相鄰，在注入N型離子時(shí)，可以
2020-07-07 11:42:42
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項(xiàng)監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
光刻機(jī)完成的。而臺(tái)積電沒有使用EUV光刻機(jī)的７納米工藝要到今年底才能量產(chǎn)，英特爾會(huì)更晚些。使用EUV光刻機(jī)未來可升級(jí)到更先進(jìn)的5納米制程。這樣看來，中國的ＩＣ制程技術(shù)比世界最先進(jìn)水平落后兩代以上，時(shí)間上
2018-06-13 14:40:57
式的SC9830也有望于年底上市。聯(lián)芯科技也推出了4GLTE芯片LC1860，采用28nm工藝，完整覆蓋TD-LTE、LTEFDD、TD-SCDMA、WCDMA和GGE等五種模式和13個(gè)頻段。中國不僅是全球最大
2015-01-13 15:48:21
`超經(jīng)典復(fù)旦大學(xué)微電子工藝教案包含：離子注入、晶體生長(zhǎng)、實(shí)驗(yàn)室凈化與硅片清洗、 光刻、氧化、工藝集成、未來趨勢(shì)與挑戰(zhàn)等。錯(cuò)過便不再擁有研究生畢業(yè)繼續(xù)送資料——超經(jīng)典復(fù)旦大學(xué)微電子工藝教案[hide][/hide]`
2011-12-15 15:23:57
離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。2.工作原理聚焦離子束(ed Ion
2020-02-05 15:13:29
生產(chǎn)。如果臺(tái)積電真的能夠完全按照這一時(shí)間展開工作的話，那么就將使該公司徹底走在了芯片制造領(lǐng)域的最前端?！ ∧壳?，業(yè)內(nèi)設(shè)備制造廠商大多剛剛開始擁抱14納米芯片工藝，蘋果最新的iPhone 6s系列就是
2016-01-25 09:38:11
請(qǐng)問各位大俠，離子注入時(shí)有遇到做V-CURVE時(shí)，出現(xiàn)倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優(yōu)美;梁毅;【來源】：《濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術(shù)摻雜制作光電集成器件時(shí),離子注入半導(dǎo)體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測(cè)量，得到氮離
2009-02-28 09:38:29
25 M5525100－1/UM型大角度離子注入機(jī):M5525100－1/UM 型大角度離子注入機(jī)可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212 高通攜手TSMC，繼續(xù)28納米工藝上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）與其專業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴－TSMC前不久日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品
外電引用分析師資訊指出，聯(lián)電大客戶賽靈思（Xilinx）3月可能宣布與臺(tái)積電展開28納米制程合作；臺(tái)積電28納米已確定取得富
2010-01-19 15:59:551058 賽靈思宣布采用 28 納米工藝加速平臺(tái)開發(fā)
全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，為推進(jìn)可編程勢(shì)在必行之必然趨勢(shì)，正對(duì)系統(tǒng)工
2010-02-23 11:16:21382 近期，高通公司宣布將推出首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8960并宣布此芯片組將于2011財(cái)年開始出樣?；?b class="flag-6" style="color: red">28納米工藝的該芯片組采用新的CPU內(nèi)核為特征，主要針對(duì)高端
2010-11-24 09:19:571471 微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，一款經(jīng)過驗(yàn)證的支持Common Platform™聯(lián)盟32/28納米低功耗工藝技術(shù)的層次化RTL-to-GDSII參考流程正式面市。
2011-01-26 09:44:09894 離子注入技術(shù)又是近30年來在國際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性高新技術(shù)。
2011-05-22 12:13:574275 
本文詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的特點(diǎn)及性能，以及離子注入技術(shù)的英文全稱。
2011-05-22 12:13:294861 
簡(jiǎn)述了離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)及典型應(yīng)用，并簡(jiǎn)要分析了該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。
2011-05-22 12:10:3110636 
詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的工作原理和離子注入系統(tǒng)原理圖。
2011-05-22 12:24:1618742 
離子注入的特點(diǎn),與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點(diǎn)。
2011-05-22 12:27:084337 離子注入設(shè)備和方法:最簡(jiǎn)單的離子注入機(jī)（圖2）應(yīng)包括一個(gè)產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即將特定的雜質(zhì)原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導(dǎo)體晶體內(nèi)改變其導(dǎo)電特性并最終
2011-05-22 12:34:0083 半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)． 注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行 離子注入的優(yōu)點(diǎn) 注入雜質(zhì)不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統(tǒng)介紹了金屬表面改性用離子注入的機(jī)理和特點(diǎn)。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對(duì)改性層效果的影響，綜述了該技術(shù)在提高強(qiáng)度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數(shù)
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點(diǎn)是加工溫度低，易做淺結(jié)，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動(dòng)化。由于采用了離子注入技術(shù)，大大地推動(dòng)了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在調(diào)情 發(fā)表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發(fā)燒友網(wǎng) 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導(dǎo)體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結(jié)深的
2011-05-22 13:00:000 離子束注入技術(shù)概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級(jí)的離子
2011-05-22 13:00:550 離子注入生物誘變是不同于傳統(tǒng)輻射生物學(xué)的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實(shí)驗(yàn)中, 真空室真空度及其穩(wěn)定性影響著生物樣品的存活狀態(tài); 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據(jù)直升機(jī)傳動(dòng)系統(tǒng)干運(yùn)轉(zhuǎn)能力的要求,用銷盤試驗(yàn)機(jī)測(cè)定了Mo離子注入量及潤(rùn)滑條件對(duì)齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數(shù)和磨損量的影響I結(jié)果表明FMo離子注入對(duì)摩擦因數(shù)影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發(fā)燒友為大家整理的離子注入技術(shù)專題有離子注入技術(shù)基本知識(shí)、離子注入技術(shù)論文及離子注入技術(shù)培訓(xùn)學(xué)習(xí)資料。離子注入技術(shù)就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049 中芯國際是全球芯片代工行業(yè)中的四大廠商之一。然而，目前，中芯國際投入量產(chǎn)的最先進(jìn)的制程工藝是28納米PolySiON工藝。并且，中芯國際仍需對(duì)高端的28納米HKMG工藝繼續(xù)深入探究。 中芯國際是全球
2017-04-26 10:05:11712 
本文詳細(xì)介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 近日，中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成，標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成，具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件，下個(gè)月產(chǎn)線將正式啟動(dòng)試流片。
2018-01-15 09:50:096732 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 近日有消息顯示，萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機(jī)已搬進(jìn)杭州灣潔凈室，目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶工藝要求，進(jìn)行離子注入晶圓驗(yàn)證。
2019-12-31 10:04:085297 近日，從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊，公司研發(fā)的12英寸中束流離子注入機(jī)順利發(fā)往某集成電路大產(chǎn)線，這臺(tái)由客戶直接采購的設(shè)備如期交付，標(biāo)志著公司國產(chǎn)離子注入機(jī)市場(chǎng)化進(jìn)程再上新臺(tái)階。
2020-06-23 10:20:284019 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，中國知名電子企業(yè)中國電子科技集團(tuán)有限公司近日取得重大技術(shù)突破，其自主研發(fā)的高能離子注入機(jī)已成功實(shí)現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速，其性能達(dá)國際主流先進(jìn)水平。
2020-06-28 11:36:023688 創(chuàng)始人陳炯博士畢業(yè)于美國哥倫比亞大學(xué)應(yīng)用物理博士學(xué)位，曾是全球知名離子注入機(jī)企業(yè)AIBT的創(chuàng)始人之一，帶領(lǐng)美國團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)了兩代大束流離子注入機(jī)，打入先進(jìn)28nm關(guān)鍵制程集成電路制造廠商。
2020-09-28 13:53:341843 離子注入機(jī)是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314 
介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個(gè)朋友提到的日本日新的離子注入設(shè)備。日本日新是全球3大離子注入設(shè)備商之一。 1973年的時(shí)候，該公司就開始做離子注入的工藝設(shè)備。 目前的主要業(yè)務(wù)設(shè)備如上表。詳細(xì)的可以
2020-11-20 10:03:276458 離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段，具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢(shì)。列表對(duì)比 摻雜原子被動(dòng)打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進(jìn)去的，不是一個(gè)熱平衡下的過程，雜質(zhì)一般也不出在晶格點(diǎn)陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:305208 
目前，離子注入機(jī)行業(yè)主要由美國廠商壟斷，應(yīng)用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）合計(jì)占據(jù)全球 85%-90%的市場(chǎng)，存在較高競(jìng)爭(zhēng)壁壘，也是解決芯片國產(chǎn)化設(shè)備卡脖子的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2020-12-04 10:21:293635 很多人都知道，離子注入機(jī)是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備，而中國電子科技集團(tuán)有限公司旗下裝備子集團(tuán)就是在離子注入機(jī)方面取得了重大突破，其成功實(shí)現(xiàn)了離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化，包括中束流、大束流、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機(jī)，工藝段覆蓋至28nm，累計(jì)形成了413項(xiàng)核心發(fā)明專利。
2021-04-17 08:14:194126 晶圓代工龍頭臺(tái)積電22日決定將斥資約800億元新臺(tái)幣，把在南京廠建置28納米制程，目標(biāo)在2023年中前達(dá)到4萬片月產(chǎn)能。外界也關(guān)心，臺(tái)積電正式啟動(dòng)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，為何會(huì)選擇28納米制程，究竟公司
2021-04-26 10:56:072389 本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對(duì)離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導(dǎo)體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
非常繁瑣，從原材料開始，要經(jīng)過很多道復(fù)雜的工序才能得到最終可使用的芯片。大致流程如下。 1.加法工藝 1.1摻雜（擴(kuò)散、離子注入） 對(duì)應(yīng)設(shè)備：擴(kuò)散爐、離子注入機(jī)、退火爐 1.2薄膜（氧化、化學(xué)氣相淀積、濺射、外延） 對(duì)應(yīng)設(shè)備：
2022-09-29 10:04:081169 與通過傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝進(jìn)行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-10-31 09:06:015608 通常，用射頻電源產(chǎn)生高濃度等離子體電離摻雜氣體，而用偏置電源加速離子去“轟擊”圓片表面。最常用的 PLAD 摻雜氣體為 B2H6，用于硼摻雜。對(duì)于需要非常高劑量的圓片摻雜的產(chǎn)品，由于離子注入機(jī)需要“點(diǎn)”式掃描注入，即使在最高的離子束流下，工藝實(shí)施時(shí)間仍然較長(zhǎng)，產(chǎn)出效率低。
2022-11-01 10:14:003046 通常，退火工藝是與其他工藝（如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等）結(jié)合在一起的，最常見的就是離子注入后的熱退火。離子注入會(huì)撞擊襯底原子，使其脫離原本的晶格結(jié)構(gòu)，而對(duì)襯底晶格造成損傷。
2022-11-02 10:03:5215055 加熱擴(kuò)散的物理原理眾所皆知，工藝工具相當(dāng)簡(jiǎn)單且不昂貴，然而擴(kuò)散過程有一些主要的限制。
2023-05-04 09:25:52503 
離子注入過程提供了比擴(kuò)散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過程中無法獨(dú)立控制，因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注入可以獨(dú)立控制摻雜濃度和結(jié)深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:331545 
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2023-05-12 16:00:084597 
高電流的硅或錯(cuò)離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu)，并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:131960 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統(tǒng)，然而一個(gè)射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:171357 
集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長(zhǎng)（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:121132 
當(dāng)質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后，離子將進(jìn)入后段加速區(qū)域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi)，離子束電流利用可調(diào)整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317 
6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 
6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)
2021-12-31 14:13:05466 對(duì)于許多仍在使用旋轉(zhuǎn)輪的離子注入設(shè)備，大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面，這如同一個(gè)高速導(dǎo)彈與建筑物的墻壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:19412 來源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據(jù)中國電子科技集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中國電科”）官方消息，該集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“電科裝備”）已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米
2023-07-03 09:16:46651 摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時(shí)間的乘積決定。四點(diǎn)探針是離子注入監(jiān)測(cè)中最常使用的測(cè)量工具，可以測(cè)量
2023-07-07 09:51:172240 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183035 
在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 
在晶硅太陽能電池的生產(chǎn)過程中，離子注入是一項(xiàng)非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率，實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效?！该滥芄夥棺鳛橐患揖哂斜姸鄼z測(cè)電池和組件性能設(shè)備的光伏企業(yè)，擁有的美能傅里葉紅外光
2023-08-29 08:35:56376 
本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對(duì)溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:002367 
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電，必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
受美國對(duì)高端設(shè)備出口限制影響，中國大陸轉(zhuǎn)向成熟制程（28納米及以上）領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2027年在此類制程上產(chǎn)能達(dá)到39%。
2023-12-15 14:56:35337 離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對(duì)離子的注入過程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測(cè)材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，凱世通長(zhǎng)期專注于該行業(yè)，產(chǎn)品已應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、功率等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。他們所生產(chǎn)的低能大束流離子注入機(jī)和高能離子注入機(jī)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化突破，無論是工藝覆蓋面，還是良品率，甚至產(chǎn)能，都處于業(yè)界領(lǐng)先位置
2023-12-25 10:40:31398 半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種，原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入，這三種方式分別過程如何，有何區(qū)別呢？
2024-01-05 18:21:111111 
隧道效應(yīng)，又稱溝道效應(yīng)，對(duì)晶圓進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個(gè)晶向平行時(shí)，其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42419 
對(duì)器件設(shè)計(jì)工程師來講，離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù)，什么樣的濃度對(duì)應(yīng)什么樣的方阻，器件仿真參數(shù)輸入的是濃度，通過DSIMS測(cè)出來的也是濃度和深度的關(guān)系。
2024-01-26 13:37:02581 
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。
2024-02-23 10:47:13181 
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