總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:20
20788 業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級聯(lián)型（cascade）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
）。另一方面，功率GaN的技術(shù)路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強(qiáng)型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強(qiáng)型GaN FET是單芯片常關(guān)器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關(guān)器件（共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的特性是什么？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的優(yōu)點(diǎn)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的產(chǎn)品參數(shù)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的注意事項(xiàng)有哪些？
2021-06-29 09:05:41
`《白皮書》由北京未來芯片技術(shù)高精尖創(chuàng)新中心邀請斯坦福大學(xué)、清華大學(xué)、香港科技大學(xué)、***新竹清華大學(xué)及北京半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，新思科技等在內(nèi)的領(lǐng)域頂尖研究者和產(chǎn)業(yè)界資深專家，包括10余位IEEE
2018-12-13 16:40:38
5G射頻測試技術(shù)白皮書詳解
2021-01-13 06:33:58
適配器解決方案能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更多功能。與e-mode等其他氮化鎵解決方案相比，我們的常閉型SuperGaN?場效應(yīng)晶體管(FET)設(shè)計(jì)簡便并具有類似標(biāo)準(zhǔn)硅的驅(qū)動(dòng)性能，同時(shí)能以極小的空間占用提供更高
2021-08-12 10:55:49
請問各位大神，能不能列舉出增強(qiáng)型51有3個(gè)定時(shí)器以上，PDIP40封裝的，另外能附帶技術(shù)手冊嗎
2012-10-23 21:11:49
增強(qiáng)型NFC技術(shù)如何讓移動(dòng)設(shè)備可靠地仿真非接觸式卡片？
2021-05-21 06:56:39
中BSP315P的接法確可以導(dǎo)通（不符合預(yù)期），而BSP317P不能導(dǎo)通（符合預(yù)期）。這是為什么呢？？2、圖中增強(qiáng)型PMOS管 中的Tc ，Tj是什么意思呢？3、像圖中的這兩種PMOS管的D,S極能對調(diào)用嗎？？？以上請各位大俠幫忙指導(dǎo)。謝謝！
2017-11-22 10:01:58
文中，將回顧這三種方法，并分享直列式電機(jī)電流感應(yīng)使用增強(qiáng)型脈沖寬度調(diào)制（PWM）抑制的五大優(yōu)勢?！ ∪鐖D1所示，基本上有三種不同的方法來測量三相電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的電流：低側(cè)、直流鏈路和直列測量。圖1所示
2016-12-09 17:22:03
能否介紹增強(qiáng)型Howland電流源、EHCS 實(shí)現(xiàn)過程、復(fù)合放大器技術(shù)應(yīng)用？
2019-01-25 18:13:07
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。）
?
尋找理想開關(guān)
任何電源管理系統(tǒng)的核心
2019-03-14 06:45:11
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個(gè)家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網(wǎng)獲得電力的設(shè)備（從智能手機(jī)充電器到數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
在一段時(shí)間內(nèi)不會(huì)在所有應(yīng)用中取代硅。 原因如下：
第一個(gè)需要克服的障礙是 GaN 晶體管的耗盡特性。 有源功率和邏輯電路需要常開和常關(guān)類型的晶體管。 雖然可以生產(chǎn)常關(guān)型 GaN 晶體管，但它們要么依賴于典型
2023-08-21 17:06:18
白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中，我們討論了最新一代超低抖動(dòng)三次泛音晶體振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應(yīng)用提供穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)鐘信號
2023-09-13 09:51:52
通道的電導(dǎo)率會(huì)降低。最終可以通過在柵極端施加+ve電壓來控制漏極電流。要激活這種耗盡型 MOSFET，柵極電壓必須為0V，并且漏極電流值要大，以便晶體管處于有源區(qū)。因此，再次打開這個(gè)MOSFET，+ve
2022-09-13 08:00:00
本帖最后由 zya538 于 2012-12-21 18:46 編輯
Altera文檔資料：白皮書
2012-12-21 18:10:06
BFD技術(shù)白皮書 華為BFD(雙向轉(zhuǎn)發(fā)檢測)是一套用來實(shí)現(xiàn)快速檢測的國際標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，提供一種輕負(fù)荷、持續(xù)時(shí)間短的檢測。與以往的其他“HELLO”檢測機(jī)制相比，具有許多獨(dú)到的優(yōu)勢。華為公司已經(jīng)在高端網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了BFD技術(shù)，并將提供整套解決方案。 [hide][/hide]
2009-12-12 10:12:22
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
關(guān)鍵詞： FTTH FTTB FTTx EPON 技術(shù) 白皮書摘 要：本文獻(xiàn)是關(guān)于EPON技術(shù)的介紹說明型文檔，目的在于說明EPON是一個(gè)什么技術(shù)、解決了什么問題。對EPON中的技術(shù)細(xì)節(jié)進(jìn)行簡單描述，可以幫助你了解EPON這種接入技術(shù)的特點(diǎn)。
2013-07-13 23:08:50
11月4-6日，華為開發(fā)者大會(huì)2022（HDC）在東莞松山湖舉辦，會(huì)上重磅首發(fā)《鴻蒙生態(tài)應(yīng)用開發(fā)白皮書》?。ㄒ韵潞喎Q《白皮書》）
該書全面闡釋了鴻蒙生態(tài)下應(yīng)用開發(fā)核心理念、關(guān)鍵能力以及創(chuàng)新體驗(yàn)，為
2022-11-11 11:59:43
IPTV服務(wù)質(zhì)量白皮書
2019-10-14 14:11:22
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
分為增強(qiáng)型和耗盡型，這兩種電子元器件工作原理略有不同，增強(qiáng)型管在柵極（G）加上正向電壓時(shí)漏極（D）和源極（S）才能導(dǎo)通，而耗盡型即使柵極（G）沒加正電壓，漏極（D）和源極（S）也是導(dǎo)通的。其實(shí)到這場效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44
MiniGUI技術(shù)白皮書 Tech WhitePaper1 MiniGUI 簡介
2009-03-28 12:23:32
Multisim10.0元件庫沒P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強(qiáng)型FET，耗盡型沒P的啊
2012-11-03 10:45:54
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個(gè)通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
一般說明PW2202是硅N溝增強(qiáng)型vdmosfet，采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了傳導(dǎo)損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于系統(tǒng)的各種功率開關(guān)電路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（開）
2020-12-11 16:37:57
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
RF WCDMA基準(zhǔn)比較測試白皮書，不看肯定后悔
2021-05-08 09:08:07
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
ZigBee白皮書
2012-08-20 09:50:41
本帖最后由 laterain 于 2012-6-11 10:43 編輯
‘社區(qū)化’發(fā)的在線教程不太好閱讀，于是乎我便把這本書的pdf文檔找來了。Download:[PDF]地面數(shù)字電視傳輸技術(shù)白皮書[PDF]數(shù)字電視傳輸技術(shù)
2012-06-11 10:40:42
Q1為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管 該電路實(shí)際動(dòng)作：當(dāng)接通220V交流電，開關(guān)S為斷開時(shí)，Q1導(dǎo)通，燈亮；當(dāng)開關(guān)S閉合時(shí)，Q1截止，燈滅。問題：即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04
i.MX 7ULP白皮書
2022-12-13 06:00:14
jAVA語言環(huán)境白皮書The Java Language Environment (A White Paper)1. Introduction to Java
2008-10-14 17:35:36
測、可穿戴電子產(chǎn)品等，都必須采用效能較好的MCU來達(dá)成。 為了幫助工程師朋友們更好地設(shè)計(jì)產(chǎn)品，電子發(fā)燒友在此特地制作了《超經(jīng)典的MCU開發(fā)指南與電路圖集》白皮書，以供大家進(jìn)行參考設(shè)計(jì)。
2018-10-08 16:17:09
【PPT】ASIC安全管理技術(shù)白皮書 附件下載：
2011-02-24 11:32:04
【經(jīng)典】智能電網(wǎng)白皮書資料匯編 工作、電路設(shè)計(jì)、方案設(shè)計(jì)等實(shí)戰(zhàn)中很多時(shí)候遇到的問題在網(wǎng)上找不到好的解決辦法，主要是因?yàn)楣ぷ髦薪佑|的各個(gè)產(chǎn)品、電子元器件都是各大公司的產(chǎn)品，而這些公司產(chǎn)品、適合技術(shù)
2010-12-23 20:15:33
中國移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)白皮書
2014-02-21 14:00:59
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
）。因此，硅注入毫無疑問對ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利。 工作晶體管 為了測試這種方法，我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術(shù)應(yīng)用到了真正的氮化鎵晶體管上，其設(shè)計(jì)如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
ESD增強(qiáng)型器件的特點(diǎn)是什么？如何對ESD增強(qiáng)型器件進(jìn)行仿真分析？
2021-05-12 06:45:03
精選白皮書——《PCB設(shè)計(jì)秘籍》分類解答PCB設(shè)計(jì)過程中的設(shè)計(jì)技巧及常見問題，包含：1、高度ADC PCB布局布線規(guī)則及技巧2、電路散熱技巧3、開關(guān)穩(wěn)壓器的接地處理4、高溫環(huán)境下的封裝考慮因素5、最大程度提高PCB對電源變化抗擾度……
2021-12-24 16:31:04
導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管?！ 螛O型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管為例說明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成。 圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型
2019-05-08 09:26:37
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的?！ 鲂?yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
基于互聯(lián)網(wǎng)IPv6協(xié)議白皮書
2014-02-20 17:30:34
；最大瞬態(tài)隔離電壓，VOITM；及最大重復(fù)峰值隔離電壓，VIORM（參見白皮書“高壓增強(qiáng)型隔離：定義與測試方法”中的解釋）。
2019-08-01 07:38:09
。場效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
數(shù)字上/下變頻器：VersaCOMM?白皮書
2019-07-08 09:33:14
，因而遇到的這些問題并非那些打從資料、技術(shù)方案所能解決的，所以自己就養(yǎng)成了搜集各大公司智能電網(wǎng)的白皮書的習(xí)慣。 下面各大公司2010年最新的智能電網(wǎng)的白皮書資料，在這里分享出來，有需要的童鞋可以去看
2010-12-23 21:08:58
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
白皮書的總體情況該白皮書總結(jié)了歐盟5GPPP的16個(gè)項(xiàng)目在過去一年中的研發(fā)成果（涉及從5G物理層架構(gòu)到總體架構(gòu)、5G邏輯與功能架構(gòu)、5G網(wǎng)絡(luò)管理、5G軟件網(wǎng)絡(luò)與技術(shù)等各個(gè)領(lǐng)域）及共同點(diǎn)、趨勢，并提出為
2019-07-11 06:24:04
最近研究了一些物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的白皮書，分享給各位電友
2021-03-30 14:48:23
。在這次活動(dòng)中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強(qiáng)氮化鎵(ICeGaN)技術(shù)，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術(shù)基于增強(qiáng)型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導(dǎo)通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
，將回顧這三種方法，并分享直列式電機(jī)電流感應(yīng)使用增強(qiáng)型脈沖寬度調(diào)制（PWM）抑制的五大優(yōu)勢。如圖1所示，基本上有三種不同的方法來測量三相電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的電流：低側(cè)、直流鏈路和直列測量。圖1所示的是傳統(tǒng)
2018-10-15 09:52:41
本帖最后由 niezidong 于 2017-8-23 20:43 編輯
簡儀科技最近搞的開源平臺(tái)跟NI是針鋒相對啊。近期的宣傳都帶火藥味，還出了一本白皮書。見附件。這白皮書就差直接說搞LabVIEW沒前途了。各位對此有何高見？
2017-08-11 15:55:46
評估高可用性機(jī)制（白皮書）
2019-10-10 09:09:26
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:41 編輯
請用一句話通俗易懂的話解釋下增強(qiáng)型捕獲 eCAP的功能，謝謝
2018-06-13 02:08:55
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
，因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法，精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對簡單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性，甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 編輯
高手進(jìn)來看看這個(gè)電路圖是不是畫錯(cuò)了MOS管 圖上畫的是耗盡型，可是我查到的是增強(qiáng)型圖上型號是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
VPLS技術(shù)白皮書
VPLS技術(shù)白皮書摘 要：VPLS技術(shù)是在現(xiàn)有的廣域網(wǎng)上提供虛擬以太網(wǎng)服務(wù)的技術(shù)，通過成員關(guān)系發(fā)現(xiàn)，PW建立與維護(hù)，
2010-03-15 14:49:16
23 增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432338 什么是耗盡型MOS晶體管
據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。耗盡型是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝
2010-03-05 15:35:3118687 EPON技術(shù)白皮書
2017-01-14 14:34:4038 EIPS技術(shù)白皮書(20100531)
2016-12-29 19:32:210 CPP技術(shù)白皮書V1.0
2017-09-05 14:36:1312 N溝道增強(qiáng)型網(wǎng)絡(luò)場效晶體管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2017-09-09 07:55:340 MiniGUI 技術(shù)白皮書
2017-10-27 15:11:0932 GaN場效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強(qiáng)型（e-mode）、共源共柵型（cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的柵極驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)要求。
2022-03-31 09:32:131281 
新品首發(fā)丨芯導(dǎo)科技推出直驅(qū)型的E-Mode 氮化鎵功率IC — PDG7115
2022-12-30 14:52:03225 
PRISEMI芯導(dǎo)科技推出直驅(qū)型的E-Mode 氮化鎵功率IC — PDG7115
2023-01-06 10:56:46324 
業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級聯(lián)型（cascade）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商。
2023-05-10 11:23:31820 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15385 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 高通SnapdragonSound技術(shù)白皮書
2022-05-18 14:48:1410
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