今日看點(diǎn)丨華為正式發(fā)布智界 S7 汽車(chē)，售價(jià) 24.98 萬(wàn)起；國(guó)內(nèi)首家，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

1. 郭明錤：明年華為P70系列出貨量可望大增230% 至1300~1500萬(wàn)部
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11月28日，天風(fēng)國(guó)際證券分析師郭明錤在報(bào)告中指出，華為預(yù)計(jì)2024年上半年推出新款旗艦機(jī)型P70系列，若當(dāng)前強(qiáng)勁的手機(jī)庫(kù)存回補(bǔ)需求可持續(xù)到2024年上半年，則P70系列出貨量在2024年可望強(qiáng)勁同比增長(zhǎng)約230%，至1300~1500萬(wàn)部。
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郭明錤稱(chēng)華為P70系列包括P70、P70 Pro與Pro Art。大立光與舜宇光學(xué)為P70系列的高端鏡頭供應(yīng)商（前者供貨比重略高），可望在淡季顯著受益于P70系列出貨量顯著增長(zhǎng)。P70系列的相機(jī)規(guī)格最大賣(mài)點(diǎn)在于：采用長(zhǎng)焦?jié)撏R，P70為5P鏡頭（1/3.6英寸），P70 Pro與P70 Art均為6P鏡頭（1/2.5英寸）；P70 Art廣角相機(jī)采用高規(guī)1/1英寸CIS與1G6P玻塑混合鏡頭，1G6P鏡頭因采用模鑄玻璃故單價(jià)約為7P的4~5倍。
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2. 為抓住臺(tái)積電建廠(chǎng)商機(jī)，日本電子材料將建探針卡廠(chǎng)，目標(biāo)擴(kuò)產(chǎn)至3倍
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為抓住臺(tái)積電設(shè)廠(chǎng)商機(jī)，日本電子材料（Japan Electronic Materials）將在熊本縣增設(shè)新廠(chǎng)房，增產(chǎn)半導(dǎo)體檢查用零件探針卡，目標(biāo)10年后將產(chǎn)能擴(kuò)增至3倍。
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綜合報(bào)導(dǎo)，JEM將投資約40億日元，在熊本縣菊池市的現(xiàn)有工廠(chǎng)內(nèi)增設(shè)新廠(chǎng)房，階段性提高半導(dǎo)體檢查用零件探針卡產(chǎn)能，目標(biāo)在10年后擴(kuò)產(chǎn)至3倍。因臺(tái)積電在熊本縣菊陽(yáng)町設(shè)廠(chǎng)、吸引相關(guān)產(chǎn)業(yè)持續(xù)匯聚，帶動(dòng)相關(guān)半導(dǎo)體需求預(yù)估將擴(kuò)大，因此JEM將在菊池市現(xiàn)有廠(chǎng)區(qū)內(nèi)約1.1萬(wàn)平方公尺的停車(chē)場(chǎng)用地興建新廠(chǎng)房，預(yù)計(jì)將在2023年12月動(dòng)工。
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3. 華為正式發(fā)布智界 S7 汽車(chē)，售價(jià) 24.98 萬(wàn)起
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智界 S7 于昨日下午正式發(fā)布，該車(chē)已于 11 月 9 日開(kāi)啟預(yù)售，預(yù)定量已突破 2 萬(wàn)臺(tái)，提供智界 S7 Pro、智界 S7 Max、智界 S7 Max+、智界 S7 Max RS 四款車(chē)型，售價(jià)分別為 24.98 萬(wàn)、28.98 萬(wàn)、31.98 萬(wàn)、34.98 萬(wàn)。首銷(xiāo)期即刻下定，可享受價(jià)值 55000 元的權(quán)益，首銷(xiāo)期于 2023 年 12 月 31 日截止。
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智界 S7 采用前雙叉臂、后五連桿的空氣懸架、CDC 可變阻尼減震器、空氣懸掛。該車(chē)采用華為“巨鯨”800V 高壓平臺(tái)，CLTC 綜合續(xù)航里程達(dá) 855km。只需充電 5 分鐘，即可行駛 215 公里；充電 15 分鐘，可行駛 430 公里。動(dòng)力方面，智界 S7 四驅(qū)版的前電機(jī)功率為 150kW，后電機(jī)功率為 215kW，0-100km / h 加速時(shí)間僅需 3.3 秒。
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4. 國(guó)內(nèi)首家，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出多款 LPDDR5產(chǎn)品
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11月28日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產(chǎn)品。
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據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)顯示，LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了強(qiáng)大的RAS功能，通過(guò)內(nèi)置糾錯(cuò)碼（On-die ECC）等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò)，減少系統(tǒng)故障，確保數(shù)據(jù)安全，增強(qiáng)穩(wěn)定性。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片預(yù)計(jì)也將賦能更多移動(dòng)設(shè)備，滿(mǎn)足數(shù)字時(shí)代日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。
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5. 韓國(guó)SKMP開(kāi)發(fā)出高厚度KrF光刻膠，可助力3D NAND閃存制造
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韓國(guó)SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購(gòu)當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù)，收購(gòu)后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開(kāi)發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過(guò)了SK海力士的性能驗(yàn)證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開(kāi)發(fā)。
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據(jù)悉，SKMP開(kāi)發(fā)的新型KrF光刻膠厚度為14~15微米，與東進(jìn)半導(dǎo)體（DONGJIN SEMICHEM）向三星供應(yīng)的產(chǎn)品類(lèi)似，而日本JSR公司的類(lèi)似產(chǎn)品厚度僅為10微米。光刻膠的厚度對(duì)于提高3D NAND閃存工藝處理效率有較大幫助，但是更高的厚度也意味著技術(shù)難度更高，因?yàn)榛瘜W(xué)材料的粘性可能導(dǎo)致涂層表面不平整，這也是東進(jìn)半導(dǎo)體目前仍是三星這類(lèi)產(chǎn)品唯一供應(yīng)商的原因。
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6. 華為車(chē)BU員工加入新合資公司可獲N+1補(bǔ)償及4個(gè)月簽字費(fèi)
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11月26日，華為與長(zhǎng)安發(fā)布公告稱(chēng)，雙方已簽署了《投資合作備忘錄》。根據(jù)備忘錄，華為擬將智能汽車(chē)解決方案業(yè)務(wù)的核心技術(shù)和資源整合至新公司，長(zhǎng)安汽車(chē)及關(guān)聯(lián)方將有意投資該公司，并與華為共同支持該公司的未來(lái)發(fā)展。
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據(jù)報(bào)道，華為車(chē)BU員工轉(zhuǎn)向與長(zhǎng)安汽車(chē)的合資公司后，可以獲得華為提供的N+1補(bǔ)償，員工同時(shí)可以保留華為內(nèi)部股票，享有華為分紅。員工簽約新公司后，可以再獲得4個(gè)月簽字費(fèi)。對(duì)于合作一事，長(zhǎng)安汽車(chē)方面表示，目前雙方具體合作事項(xiàng)仍然在洽談中，預(yù)計(jì)6個(gè)月內(nèi)完成，華為擬成立的新公司僅提供解決方案等技術(shù)支持，不造車(chē)。
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