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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>今日看點丨三星研發(fā)出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款A(yù)I芯片

今日看點丨三星研發(fā)出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款A(yù)I芯片

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2021-07-06 19:32:41

高價收購三星DDR3

三星ddr3 :DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15

高價收購三星字庫

回收三星字庫,全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購連接器,收購鉭電容,回收sd卡,收購tf卡?;厥展S庫存ic,大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12

三星3nmGAA技術(shù)介紹 #芯片設(shè)計

IC設(shè)計存儲技術(shù)芯片設(shè)計三星
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:19:09

XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46

亞信電子推出新款雙端口以太網(wǎng)控制芯片

亞信電子推出新款雙端口以太網(wǎng)控制芯片 亞信電子(ASIX Electronics)近日宣布將針對嵌入式網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用之Embedded Ethernet系列,新增二款以太網(wǎng)控制芯片:AX88742及AX88783,該組件內(nèi)建
2008-08-05 10:42:151229

NEC推出新款車載音響應(yīng)用系統(tǒng)芯片及軟件

NEC推出新款車載音響應(yīng)用系統(tǒng)芯片及軟件日前,NEC電子完成了新款車載音響用系統(tǒng)芯片μPD35502的開發(fā),并將于即日起開始發(fā)售樣片。新產(chǎn)品的主要特征包括:可以輕
2010-04-07 10:20:15910

百度首款AI芯片昆侖完成研發(fā) 將由三星代工生產(chǎn)

今日據(jù)外媒報道,百度和三星宣布,百度首款AI芯片昆侖已經(jīng)完成研發(fā),將由三星代工生產(chǎn)。該芯片使用的是三星14nm工藝技術(shù),封裝解決方案采用的是I-Cube TM。明年年初,昆侖芯片將實現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-12-18 10:55:201399

三星推出第三代HBM2存儲芯片,適用于高性能計算系統(tǒng)

日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片
2020-02-05 13:49:113202

三星新發(fā)布HBM2E存儲芯片,其代號Flashbolt

三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:453273

小米將推出新款自研芯片

據(jù)悉,此次小米推出新款澎湃自研芯片,很可能不是一款傳統(tǒng)意義上類似麒麟9000、驍龍888一樣大規(guī)模、集成式的SoC,這一代從官方“小芯片”的描述也能判斷。
2021-03-26 12:49:338479

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142070

新思科技推出業(yè)界首個完整HBM3 IP和驗證解決方案,加速多裸晶芯片設(shè)計

HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363130

什么是HBM3 為什么HBM很重要

“慢而寬”的內(nèi)存技術(shù),用于減少芯片外內(nèi)存中的信號傳輸延遲,但現(xiàn)在HBM3正變得越來越快,越來越寬。在某些情況下,甚至被用于L4緩存。 Arm首席研究工程師Alejandro Rico表示:“這些新功能將使每傳輸位的焦耳效率達(dá)到更高水平,而且更多設(shè)計可以使用
2021-11-01 14:30:506620

Meta自研RISC-V AI推理芯片

Meta取消了大規(guī)模推出內(nèi)部推理芯片的計劃,并開始著手開發(fā)能夠執(zhí)行訓(xùn)練和推理的芯片。
2023-05-20 10:03:251532

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39717

AI加速存儲芯片反轉(zhuǎn) HBM芯片崛起

HBM(High Bandwidth Memory)是一種創(chuàng)新的CPU/GPU內(nèi)存芯片,它通過堆疊多個DDR芯片并與GPU封裝在一起,實現(xiàn)了高容量和高位寬的DDR組合陣列。
2023-07-13 14:53:051131

三星計劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù);傳蘋果悄悄開發(fā)“Apple GPT” 或?qū)⑻魬?zhàn)OpenAI

熱點新聞 1、三星計劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道,英偉達(dá)正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱,這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:02420

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40547

美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存,其帶寬超過1.2TB/s,引腳速率超過9.2Gb/s,比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案
2023-08-01 15:38:21503

業(yè)界最快、容量最高的HBM?

來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進(jìn)的1β工藝節(jié)點實現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07617

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41556

三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5140573

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

? 中國北京,2023年12月7日—— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP
2023-12-07 11:01:13125

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達(dá) 9.6
2023-12-07 14:16:06343

Meta計劃今年部署自研定制芯片,以加速AI研發(fā)

Meta公司近日宣布計劃在今年內(nèi)為其數(shù)據(jù)中心部署一款自研定制芯片,以支持其人工智能(AI)的研發(fā)工作。這一舉措旨在提高MetaAI領(lǐng)域的競爭力,并加速其技術(shù)發(fā)展。
2024-02-03 10:48:23281

Meta將于今年在數(shù)據(jù)中心部署新款定制AI芯片

Meta近日宣布,計劃于2024年在其數(shù)據(jù)中心部署新款內(nèi)部定制的AI芯片。這款芯片將用于支持Meta的人工智能業(yè)務(wù),進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)處理和運算效率。
2024-02-04 10:17:32401

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00269

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21394

三星開創(chuàng)性研發(fā)出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達(dá)36

三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜(TC NCF)技術(shù),成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:45433

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51182

Meta擬將自研AI芯片交由三星代工

Meta正在積極拓展其AI技術(shù)領(lǐng)域,尋求與新的芯片代工伙伴合作。據(jù)外媒報道,Meta CEO扎克伯格在近期訪問韓國期間,與三星高層深入探討了AI芯片代工合作的可能性。此舉被看作是Meta為減少對臺積電依賴,進(jìn)一步推動自研AI芯片發(fā)展的重要一步。
2024-03-08 13:55:30182

Meta尋求與三星合作生產(chǎn)AI芯片

該媒體稱,扎克伯格在此次與尹錫悅的會談中,曾提到擔(dān)憂公司過度依賴臺積電代工,且臺積電因產(chǎn)能不足而存在一定程度上的不確定性,這可能對Meta未來的供應(yīng)鏈造成影響。據(jù)悉,Meta已經(jīng)向臺積電訂購兩款AI芯片。
2024-03-08 14:09:17165

三星效仿SK海力士,采用競爭對手主導(dǎo)的芯片封裝工藝

就此,知情人士指出,三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業(yè)分析機構(gòu)表示,考慮到AI行業(yè)對HBM3HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調(diào)整。
2024-03-13 13:35:19119

英偉達(dá)尋求從三星采購HBM芯片

英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM芯片。HBM作為人工智能(AI芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04344

三星電子HBM存儲技術(shù)進(jìn)展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達(dá)的替代,這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09128

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