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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>今日看點(diǎn)丨小米“無按鍵”旗艦手機(jī)被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

今日看點(diǎn)丨小米“無按鍵”旗艦手機(jī)被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

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高價(jià)回收海力士內(nèi)存,長期收購海力士內(nèi)存

,鎂光,南亞,爾必達(dá),華邦,三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,飛索 Spansion芯片,展訊SPREADTRUM,愛特梅爾ATMEL,英特爾intel等系列芯片...長期專業(yè)回收手機(jī)指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
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閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
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SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條展示,采用1znm內(nèi)存制造工藝制造

根據(jù)消息報(bào)道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條,速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:133993

SK海力士展示單條64GB DDR5內(nèi)存 頻率最高可達(dá)6400MHz

CES 2020展會(huì)上,存儲(chǔ)大廠SK海力士拿出了不少有趣的產(chǎn)品,包括DDR5內(nèi)存、LPDDR5內(nèi)存、4D NAND SSD固態(tài)盤。
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全球低功耗DDR5 DRAM芯片交付 將率先搭載于小米10智能手機(jī)

Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已交付全球量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米 10
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大多DRAM廠商DDR5相應(yīng)產(chǎn)品發(fā)售,DDR5能成為市場的主流嗎

目前,DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球量產(chǎn)化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:432868

SK海力士DDR5內(nèi)存細(xì)節(jié)公布 內(nèi)存頻率最高可達(dá)8400MHz且單條內(nèi)存最大可到128GB

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 10:17:213866

SK海力士DDR5內(nèi)存可到128GB

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:482832

SK海力士公布DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),單條內(nèi)存最大可到128GB

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 17:05:545532

SK海力士正式宣布年底前量產(chǎn)并提供業(yè)界頻率達(dá)到8400MHz的DDR5存儲(chǔ)器

韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士在2020的CES上曾經(jīng)展出過64GB的DDR5-4800存儲(chǔ)器,其頻寬和容量均比現(xiàn)在的DDR4高出不少,因此備受業(yè)界的期待。如今,SK海力士正式宣布,將在年底前量產(chǎn)并提
2020-04-07 14:34:27853

內(nèi)存條ddr4和顯卡ddr5

今年,小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存,此后,這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端,DDR5內(nèi)存還是需要等待的,英特爾和AMD的下一消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品中
2020-07-30 15:27:122681

全球64GB DDR5 RAM:未來將成為個(gè)人電腦實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)

SK Hynix 韓國芯片制造商SK Hynix日前發(fā)布了全球64GB DDR5 RAM模塊,這標(biāo)志著與自2013以來主導(dǎo)PC內(nèi)存的DDR4 DIMMs相比又邁出了一大步。DDR5
2020-10-20 14:01:293814

新一DRAM將面臨哪些挑戰(zhàn)?

10月6日,全球DDR5 DRAM正式由SK海力士推出。這款次世代的存儲(chǔ)器將數(shù)據(jù)傳輸速率提升到4,800 ~ 5,600Mbps,比前一DDR4增加了1.8倍。最大5,600Mbps的傳輸速率
2020-12-14 11:33:122751

SK海力士已開始安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM

據(jù)etnews報(bào)道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:202263

SK海力士開始量產(chǎn)DDR5移動(dòng)內(nèi)存

SK海力士今天宣布,已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動(dòng)版內(nèi)存,存儲(chǔ)密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:542689

制造商SK海力士新建工廠的規(guī)劃獲得韓國政府批準(zhǔn)

達(dá)到 415 萬平方米,計(jì)劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片,定于 2021 第四季度開工,2025 建成投產(chǎn)。這一大型工廠將包含四個(gè)晶圓加工廠,每個(gè)月產(chǎn)量為 80 萬片。 IT之家此前報(bào)道,SK 海力士近日表示,將在未來 10 年內(nèi)開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片,以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:492278

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142170

SK首次提供24Gb DDR5樣品 美光推出全新20PCI SSD

  SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四10納米級(jí)(1a)技術(shù),相較第二10納米級(jí)(1y)DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb,從而改善了生產(chǎn)效率,其速度提升高達(dá)33%。
2022-03-29 17:20:521660

SK海力士和Solidigm共同開發(fā)新SSD ,希捷與群聯(lián)擴(kuò)充企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品

SK海力士和Solidigm 今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級(jí)SSD(eSSD)產(chǎn)品-P5530。
2022-04-07 15:35:276705

SK海力士研發(fā)全球業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存

SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915447

SK海力士開發(fā)出業(yè)界最快的服務(wù)器內(nèi)存模組MCR DIMM

202212月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司', www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:311614

三星12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動(dòng)下一計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 202212月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出采用12納米
2022-12-21 11:08:29683

三星電子12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54873

SK海力士第四10納米級(jí)DDR5服務(wù)器DRAM全球獲英特爾認(rèn)證

處理器(代號(hào)為Sapphire Rapids)兼容認(rèn)證。 全球獲英特爾認(rèn)證SK海力士第四10納米級(jí)DDR5服務(wù)器DRAM_1 全球獲英特爾認(rèn)
2023-01-12 21:32:26920

SK海力士推出全球最快移動(dòng)DRAM——LPDDR5T

SK海力士在去年11月推出的移動(dòng)DRAM LPDDR5X*,將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%,運(yùn)行速度高達(dá)9.6Gbps(Gb/s)。公司為了強(qiáng)調(diào)其超高速度特性,命名時(shí)在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo(渦輪增壓)”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:331355

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022財(cái)報(bào)難看

壓制,消費(fèi)電子市場更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內(nèi)存芯片。對(duì)于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機(jī)的需求低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片需求減少;疊加芯片價(jià)格大幅下滑導(dǎo)致。 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨著嚴(yán)重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:122930

SK海力士發(fā)布全球321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47933

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場上的獨(dú)一二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:49834

Meta、英偉達(dá)相繼拜訪SK海力士,要求額外供應(yīng)DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務(wù)器dram。據(jù)悉,對(duì)ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33679

三星電子和SK海力士計(jì)劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量

 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5開發(fā)出10nm級(jí)5(1b)DDR5,供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計(jì),由于DDR5需求高漲,拉動(dòng)產(chǎn)品平均銷售單價(jià),SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈,公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16274

SK海力士全球最高速LPDDR5T移動(dòng)DRAM與高通完成性能驗(yàn)證

完成與高通最新移動(dòng)處理器的兼容性驗(yàn)證,正式開始向客戶提供產(chǎn)品 "將通過加強(qiáng)與高通的合作,實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)發(fā)展為AI時(shí)代的核心應(yīng)用。" 韓國首爾202310月25日?/美通社/ -- SK海力士25日
2023-10-25 18:17:54931

SK海力士三季度虧損97億元,SK海力士確認(rèn)反對(duì)西數(shù)與鎧俠合并

SK海力士稱,由于高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品的市場需求增加,公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動(dòng)DRAM等,銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比,營業(yè)收入增長了24%,營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28551

SK海力士全面推進(jìn)全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

據(jù)sk海力士透露,LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機(jī)性能的存儲(chǔ)產(chǎn)品中速度最快的產(chǎn)品。公司方面強(qiáng)調(diào)說,將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品適用范圍,引領(lǐng)移動(dòng)dram領(lǐng)域的升級(jí)。
2023-11-13 10:32:311007

瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)”

SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。從DDR4世跨越到DDR5,瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等異構(gòu)計(jì)算飛速發(fā)展,CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起,吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:37803

SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進(jìn)中國半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)

無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25231

SK海力士持續(xù)投資無錫的原因

無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:05620

AI需求激增,三星與SK海力士計(jì)劃增產(chǎn)高價(jià)值DRAM

趨勢,半導(dǎo)體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量,以加速向更先進(jìn)的10納米第四(1a)和第五(1b)版本的過渡。
2024-03-06 10:49:49531

剛剛!SK海力士出局!

在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一HBM3E。 SK海力士和三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:08415

SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計(jì)2026投產(chǎn)

自 HBM3E(第五 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07456

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲,以及對(duì)今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預(yù)測。
2024-05-06 10:52:02454

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025

SK海力士宣布,計(jì)劃于2025下半年推出首采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計(jì)HBM4內(nèi)存要等到2026才會(huì)問世。
2024-05-06 15:10:21296

SK海力士推出新一移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破,他們成功發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:30440

漲價(jià)20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價(jià)格飆漲,最高漲幅達(dá)二成,且下半年報(bào)價(jià)還會(huì)再上揚(yáng)。
2024-05-14 10:31:58265

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是,目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm(第六代10+nm級(jí))制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報(bào)道,三星電子與SK海力士預(yù)計(jì)今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c nm DRAM的量產(chǎn),而美光則需等到明年。新一顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進(jìn)步。
2024-05-14 14:56:27326

三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:21405

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐,計(jì)劃在其第6(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:58532

TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品

近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨(dú)家向三星電子和SK海力士提供了6以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:34523

SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場需求

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下,SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露,該公司正積極擴(kuò)大其第51b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模,以應(yīng)對(duì)當(dāng)前市場對(duì)HBM(高帶寬內(nèi)存)及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:50444

SK海力士擴(kuò)產(chǎn)1b DRAM,引領(lǐng)存儲(chǔ)行業(yè)新熱潮

在6月17日傳來的最新消息中,全球知名的半導(dǎo)體制造商SK海力士正積極布局,大力擴(kuò)展其第51b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應(yīng)對(duì)日益增長的高帶寬內(nèi)存(HBM)和DDR5 DRAM的市場需求,進(jìn)一步鞏固其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-17 16:50:02622

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達(dá)56.1%

全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:22425

SK海力士DDR5芯片價(jià)格或?qū)⒋蠓蠞q

近日,據(jù)外媒報(bào)道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價(jià)格上調(diào)15%至20%,這一舉動(dòng)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價(jià)的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,對(duì)DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:46330

SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對(duì)手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43495

DDR5內(nèi)存面臨漲價(jià)潮,存儲(chǔ)巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)

近日,存儲(chǔ)芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價(jià)15%至20%,這一舉動(dòng)無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價(jià)的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲(chǔ)芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:21375

DRAM大廠第三季DDR5價(jià)格大幅上調(diào)

近日,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)市場傳來重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第三季度對(duì)DDR5內(nèi)存價(jià)格進(jìn)行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知,宣布DDR5內(nèi)存的單季價(jià)格將實(shí)現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:01321

SK海力士開發(fā)出第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:1588

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