LED CHIP IQC檢驗(yàn)規(guī)范

LED CHIP IQC檢驗(yàn)規(guī)范

1. 目的
1.1 制訂LED Chip FQC檢驗(yàn)規(guī)范。
1.2 訂定成品入庫批允收程序，以確保產(chǎn)品品質(zhì)達(dá)一定水準(zhǔn)。 2. 范圍
本公司生產(chǎn)之所有LED產(chǎn)品均屬之。

3. 內(nèi)容
3.1 檢驗(yàn)測試項(xiàng)目
3.1.1 光電性檢驗(yàn)
3.1.2 外觀檢驗(yàn)
3.1.3 數(shù)值標(biāo)示檢驗(yàn)。

3.2 抽樣計(jì)畫（片數(shù)定義：晶片片數(shù)）

3.2.1 依「產(chǎn)品檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃」(WI-20-0101) 抽片執(zhí)行檢驗(yàn)。
3.2.2 光電特性檢驗(yàn)（VFH、VFL、IV）
（1）抽樣位置：分頁片邊緣4顆，分頁片內(nèi)圍6顆，均勻取樣。
（2）抽樣數(shù)量：每片10顆。
（3）每片抽樣數(shù)，每一顆不良，則列一個(gè)缺點(diǎn)。
3.2.3 外觀檢驗(yàn)
（1）PS TYPE不良晶粒＞2ea／sheet，列入一個(gè)缺點(diǎn)。
（2）NS TYPE或PS TYPE分頁面積最長距離＜6.5 cm者，不良晶粒＞5ea／sheet，且＞10 ea／wafer 列入一個(gè)缺點(diǎn)。
（3）缺點(diǎn)項(xiàng)目之限樣標(biāo)準(zhǔn)由制造、FQC兩單位共同製作，作為人員檢驗(yàn)之依據(jù)。 3.3 缺點(diǎn)等級代字
3.3.1 主要缺點(diǎn)代字：MA（Major）。
3.3.2 次要缺點(diǎn)代字：MI（Minor）。

3.4 參考文件
3.4.1 本公司產(chǎn)品目錄規(guī)格書
3.4.2 研發(fā)工程產(chǎn)品測試分類規(guī)格
3.4.3 其他相關(guān)之品質(zhì)文件

4. 光電特性檢驗(yàn)
4.1 順向電壓VFH
4.1.1 依特定之額定電流點(diǎn)測，須低于規(guī)格上限。
4.1.2 規(guī)格上限應(yīng)參考測試分類規(guī)格及GaP、GaAsP、ALGAAs產(chǎn)品T/S前測站?作業(yè)指導(dǎo)書。
4.1.3 缺點(diǎn)等級：MA

4.2 順向電壓VFL
4.2.1 依特定之額定電流點(diǎn)測，須高于規(guī)格下限，低于上限。
4.2.2 規(guī)格：GaP≧1.5V，GaAsP≧1.3V，ALGAAs (1.25≦VFL≦1.5V)，IR (0.70~1.0 V)。
4.2.3 缺點(diǎn)等級：MI

4.3 亮度Iv / Po
4.3.1 依特定之額定電流點(diǎn)測，須高于規(guī)格下限。
4.3.2 規(guī)格下限應(yīng)參考測試分類規(guī)格及各產(chǎn)品T/S前測站作業(yè)指
4.3.3 導(dǎo)書判定。
4.3.4 缺點(diǎn)等級：MA

5. 外觀檢驗(yàn)﹙共同標(biāo)準(zhǔn)﹚

6. 數(shù)值標(biāo)示檢驗(yàn)