縮減LED/功率元件測試成本 PXI模組化SMU亮相

　　PXI模組化電源測量單元（SMU）儀器問世。高亮度發(fā)光二極體（LED）、絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）、金屬氧化物半導體場效電晶體 （MOSFET）等需要SMU輸出瞬間高瓦數(shù)的電源進行測量，然高瓦數(shù)的SMU往往價格昂貴，有鑒于此，美商國家儀器（NI）發(fā)布新一代PXI模組化 SMU儀器，助力客戶大幅降低測試成本。

　　美商國家儀器自動化測試東亞區(qū)行銷技術經(jīng)理張?zhí)焐ㄗ螅┍硎?，PXIe 4139顛覆傳統(tǒng)SMU的設計與性能，準備在高功率半導體元件測試市場大展身手。右為美商國家儀器自動化測試行銷經(jīng)理潘建安

　　美商國家儀器自動化測試東亞區(qū)行銷技術經(jīng)理張?zhí)焐硎?，隨著LED單價驟降，降低生產(chǎn)成本亦面臨極大的挑戰(zhàn)，遂讓更具成本競爭力的PXI模組化測試儀器優(yōu)勢盡現(xiàn)，也因此，該公司持續(xù)推出采用PXI模組化架構開發(fā)的新款SMU儀器。

　　不僅是LED，IGBT、MOSFET等功率半導體元件亦需高瓦數(shù)的SMU進行測試，但隨著LED和功率半導體元件的價格直落，半導體廠商已愈來愈無力負擔售價高昂的高瓦數(shù)SMU，將讓PXI模組化SMU勢力有機會在測試儀器市場抬頭。

　　美商國家儀器自動化行銷經(jīng)理潘建安指出，不同于市面上的SMU儀器僅有八個通道，該公司新推出的SMU機臺PXIe 4139可擴充多達十七個通道，不僅測試速度快三倍，更可藉此減少測試成本。

　　據(jù)了解，PXIe 4139可應用于LED封裝和終端，以及功率半導體元件的研發(fā)及產(chǎn)線端。張?zhí)焐鷱娬{，由于PXIe 4139測試速度快又精準，且測試量大，因此在產(chǎn)線端更能彰顯其價值。

　　除大大降低測試成本之外，PXIe 4139也改善傳統(tǒng)SMU暫態(tài)響應（Transient Response）不夠快速精確的弊病。張?zhí)焐f明，美商國家儀器挾獨有的SourceAdapt技術，消弭傳統(tǒng)SMU暫態(tài)響應過慢的缺陷，因此不會再發(fā)生因電壓或電流過衝（Overshooting）而造成待測物損毀的情形，有助進一步提高測試效率。