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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)電路圖

大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)電路圖

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2021-10-29 09:25:31

晶體管電路設(shè)計

從事電子設(shè)計7年了,發(fā)覺這兩本書挺好的,發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(上)放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(下)FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31

晶體管電路設(shè)計叢書上冊

的設(shè)計,運算放大電路的設(shè)計與制作。下冊則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要,理論聯(lián)系實際,通過大量具體的實驗,通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識。1.1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18

晶體管可以作為開關(guān)使用!

通。晶體管導(dǎo)通時,開關(guān)就導(dǎo)通,并且允許電流通過該管。晶體管開關(guān)工作方式的電路通常采用集電極開路的連接方式晶體管作為電子開關(guān)使用時,能夠?qū)Ρ豢貙ο筮M行控制,諸如LED、電動機、繼電器線圈等。應(yīng)為此時晶體管
2017-03-28 15:54:24

晶體管和FET實用設(shè)計教材《晶體管電路設(shè)計(下)》

放大器、電壓/電流反饋放大電路晶體管/FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路功率放大器的設(shè)計與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48

晶體管射隨電路圖

晶體管射隨電路圖在很多的電子電路中,為了減少后級電路對前級電路的影響和有些前級電路的輸出要求有較強的帶負(fù)載能力(即要求輸出阻抗較低)時,要用到緩沖電路,從而達到增強電路的帶負(fù)載能力和前后級阻抗匹配
2009-09-17 08:33:13

晶體管性能的檢測

,發(fā)射極E接紅表筆;PNP的集電極C接紅表筆,發(fā)射極E接黑表筆。正常時,鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測,電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32

晶體管晶圓芯片

供應(yīng)晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關(guān)二極管,肖特基二極,穩(wěn)壓二極等。有意都請聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13

晶體管溫控電路圖

晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時吸合電路。剛接通電源時,16μF電容上電壓為零,兩個三極都截止,繼電器不動作。隨著16μF電容的充電,過一段時間后,其上電壓達到高電平,兩個三極都導(dǎo)通,繼電器延時吸合。延時時間可達60s。延時的時間長短可通過10MΩ電阻來調(diào)節(jié)。
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晶體管開關(guān)作用有哪些?

晶體管開關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中,存在的主要問題是布線。很高的開關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡單和優(yōu)化的基極驅(qū)動造就的高性能今日的基極驅(qū)動電路不僅驅(qū)動功率晶體管,還保護功率
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晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管開關(guān)電路是怎樣的?

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晶體管的分類與特征

不同的是,用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會流經(jīng)晶體管(基極)。 另外,MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù),尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33

晶體管的分類與特征

,MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù),尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個參數(shù)。世界上最早的晶體管是雙極晶體管,所以可能有人說表達順序反了,不過近年來,特別是電源電路
2018-11-28 14:29:28

晶體管的選用經(jīng)驗

型號的大功率開關(guān)晶體管。 開關(guān)電源等電路中使用的開關(guān)晶體管,其耗散功率大于或等于50W,最大集電極電流大于或等于3A,最高反向電壓高于800V。一般可選用2SD820、2SD850、2SD1403
2012-01-28 11:27:38

IB0810M210功率晶體管

脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29

IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件

匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49

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匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42

IB2729M170大功率脈沖晶體管

`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統(tǒng)設(shè)計的大功率脈沖晶體管,該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時,該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36

IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管

650W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31

IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件,它是由MOSFET(場效應(yīng)晶體管)與GTR(大功率達林頓晶體管)結(jié)合,并由前者擔(dān)任驅(qū)動,因此具有
2018-10-17 10:05:39

IGN2856S40是高功率脈沖晶體管

,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100%大功率射頻測試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55

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2010-08-13 11:38:59

【下載】《晶體管電路設(shè)計》——晶體管電路基礎(chǔ)知識匯總

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入門經(jīng)典:晶體管電路設(shè)計上下冊讓你感性認(rèn)識晶體管

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氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好?

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高頻中、大功率晶體管

高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19

大功率開關(guān)電源電路圖(PCB)ME0428

大功率開關(guān)電源電路圖(PCB)
2007-06-05 17:14:55232

大功率開關(guān)晶體管重要任務(wù)

大功率開關(guān)晶體管重要任務(wù) 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是; (1)容易關(guān)斷,所需要的輔
2010-02-06 10:23:4943

簡易型大功率控溫電路圖

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2007-12-12 08:39:351327

大功率開關(guān)的驅(qū)動電路

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2008-08-22 10:14:511355

大功率捕魚器電路圖

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2009-04-08 18:31:4725582

大功率HF頻段駐波表/功率電路圖

大功率HF頻段駐波表/功率電路圖
2009-04-11 12:06:162992

大功率開關(guān)穩(wěn)壓電源電路圖

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2009-05-12 14:35:564021

25KVA大功率開關(guān)電源電路圖

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2009-05-13 13:32:146613

大功率掃頻警笛電路圖

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2009-05-27 13:39:081229

大功率時控調(diào)壓電路圖1

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2009-05-30 13:43:34722

大功率時控調(diào)壓電路圖2

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2009-05-30 13:44:10463

驅(qū)動大功率雙向晶閘管電路圖

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2009-06-06 09:33:142202

晶體管電機開關(guān)電路圖

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2009-06-20 11:13:34544

晶體管延時開關(guān)電路圖

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2009-06-30 13:14:332277

大功率變頻器電路圖

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2009-07-02 10:57:403028

大功率交流靜態(tài)開關(guān)電路圖

大功率交流靜態(tài)開關(guān)電路圖
2009-07-03 14:13:311170

選頻式晶體管開關(guān)電路圖

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2009-07-03 14:32:41762

大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計及其應(yīng)用

大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計及其應(yīng)用 摘要:介紹了大功率晶體管(GTR)基極驅(qū)動電路的設(shè)計,分析了基極驅(qū)動電路的要求
2009-07-09 10:36:403188

大功率逆變電源電路圖

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2009-07-29 09:33:562579

使用晶體管的短路開關(guān)電路圖

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2009-08-15 17:45:241066

大功率晶體管的修理

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2009-08-22 16:08:06349

晶體管開關(guān)的作用

晶體管開關(guān)的作用     (一)控制大功率   現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管
2009-11-05 10:51:521118

晶體管開關(guān)作用

晶體管開關(guān)作用 (一)控制大功率 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;
2009-11-06 16:58:423108

TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計

TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計 0 引言   TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計的重點是它的極限參數(shù)。設(shè)計反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381

晶體管低速開關(guān)原理及電路圖

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2010-03-29 16:50:321305

晶體管中速開關(guān)電路圖

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2010-03-29 16:55:13767

用于大功率IGBT的驅(qū)動電路

大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動波形、驅(qū)動功率、布線等方面進行了分析和討論,介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動電路
2012-05-02 14:50:48135

晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達林頓、音頻功放

晶體管大功率,晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達林頓、音頻功放開關(guān)
2015-11-09 16:22:150

耐用型大功率LDMOS晶體管介紹

  本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515

100V,3A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C

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2023-02-20 19:35:381

大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點

大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038

大功率晶體管優(yōu)缺點及輸出形式

大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計和工作條件,因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)(即電流增益)通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比,用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592058

晶體管S參數(shù)重要晶體管有哪些重要指標(biāo)

微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管,低噪聲晶體管大功率晶體管被用于設(shè)計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271641

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