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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>英特爾和美光將投入2bit單元25nm MLC NAND閃存

英特爾和美光將投入2bit單元25nm MLC NAND閃存

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[轉(zhuǎn)]臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋果

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2010-02-01 11:15:12771

震撼存儲產(chǎn)業(yè),IMFT發(fā)布25nm SSD

震撼存儲產(chǎn)業(yè),IMFT發(fā)布25nm SSD 去年8月份,Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤,從50nm進化至34nm。而現(xiàn)在,Intel與Micron所合資的公司IMFT此次再次推動
2010-02-02 09:05:47785

英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND  英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行
2010-02-02 16:52:16464

英特爾:不屑NAND競爭,力奪SSD龍頭

英特爾:不屑NAND競爭,力奪SSD龍頭 芯片龍頭英特爾(Intel)的NAND閃存事業(yè)群新主管透露,該公司立志成為固態(tài)儲存(SSD)領(lǐng)域的一哥,但令人驚訝的是,他們沒興趣在NAND
2010-02-09 09:13:48615

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別,他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511087

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售 Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售,預(yù)計今年晚
2010-03-23 11:58:41600

英特爾與美光試制50納米NAND閃存

美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存,這兌現(xiàn)了它們對快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632

英特爾發(fā)布NAND閃存芯片的SSD 710型號

英特爾今天宣布發(fā)布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號,MLC就是多層單元封裝,HET則代表著高耐久性技術(shù)(High Endurance Technology),是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。
2011-09-15 09:28:331450

英特爾將向美光出售合資NAND閃存廠股份

北京時間2月29日凌晨消息,英特爾同意與美光科技擴大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作,提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議,美光將為英特爾供貨NAND閃存產(chǎn)品,而英特
2012-02-29 08:55:41279

#高通 #英特爾 #Elite 高通X Elite芯片或終結(jié)蘋果、英特爾的芯片王朝

高通英特爾蘋果
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-27 16:46:07

英特爾1nm投產(chǎn)時間曝光!領(lǐng)先于臺積電

英特爾行業(yè)芯事
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2024-02-28 16:28:32

英特爾:2025年全球AIPC超1億臺占比20%

英特爾行業(yè)資訊
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2024-02-29 09:15:26

內(nèi)存顆粒漲價狂潮,來了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)

2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元MLC閃存技術(shù)與美光的DRAM
2017-04-20 17:33:523802

英特爾和美光宣布將分道揚鑣

英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint,打造出25年以來的首款新型態(tài)內(nèi)存技術(shù)。2016年,英特爾發(fā)布采用3D XPoint技術(shù)的Optane品牌儲存產(chǎn)品
2018-01-10 13:37:02404

英特爾將于紫光合作,在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片

上周,隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時,有外媒報道,英特爾將于紫光合作,在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年,英特爾將會
2018-01-16 14:37:554492

英特爾固態(tài)硬盤710系列產(chǎn)品專門面向數(shù)據(jù)中心的專用多層單元

-E Extreme固態(tài)硬盤。英特爾? X25-E固態(tài)硬盤基于更昂貴但高度可靠的單層單元(Single-Level Cell,SLC)NAND 閃存技術(shù),英特爾? 固態(tài)硬盤710系列則采用了英特爾25納米
2018-10-10 16:50:001896

關(guān)于不同NAND閃存的種類對比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類和對比?

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462

西部數(shù)據(jù)正開發(fā)低延遲閃存 旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競爭

上,西數(shù)透露該技術(shù)介于 3D NAND 與 DRAM 之間,類似于英特爾傲騰和三星 Z-NAND 。其訪問延遲在微妙級,使用 1-bit 或 2-bit 的存儲單元
2019-03-14 16:08:572708

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

SK海力士宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議

韓國存儲芯片制造商SK海力士(SK Hynix)已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門,NAND部件
2020-10-21 14:30:372095

SK海力士出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)!

據(jù)國外媒體報道,SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)! SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息,SK海力士在官網(wǎng)上表示,兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152133

SK海力士收購英特爾NAND業(yè)務(wù),對中國有哪些影響?

10月20日,SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90億美元收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)
2020-10-23 18:00:167502

英特爾賣掉閃存業(yè)務(wù)是明智的選擇

觀察者網(wǎng)大橘財經(jīng)訊(文/呂棟 編輯/尹哲)二季度,英特爾NAND閃存為主的存儲業(yè)務(wù),在疫情刺激的大量需求下實現(xiàn)扭虧,但經(jīng)歷連續(xù)六個季度虧損的噩夢后,該公司已無心戀戰(zhàn)。 10月20日,韓國半導(dǎo)體巨頭
2020-10-30 18:15:592353

SK海力士將收購英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉,SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù),包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠,但不包含英特爾Optane存儲部門。對于英特爾來說,剝離非核心業(yè)務(wù)將有助于其解決芯片技術(shù)困境。
2020-11-16 15:04:572505

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197

SD NAND FLASH : 什么是pSLC?

pSCL模式,存儲時在MLC的每個單元中僅存儲1bit數(shù)據(jù),使MLC擁有SLC的性能,同時具有MLC的性價比。如圖所示,單個單元中,MLC可以存儲2bit數(shù)據(jù),單個單元
2023-08-11 11:33:30667

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