2016年1月7日——全球微控制器(MCU)及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel公司今日宣布,將把下一代壓力傳感技術(shù)應(yīng)用于最新面向智能手機應(yīng)用的maXTouchU系列。Atmel的壓力傳感技術(shù)
2016-01-13 15:39:49
8050晶體管是一種小型設(shè)備,用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數(shù)字名稱,以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
,從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
【作者】:王書慶;沙威;【來源】:《廣播電視信息》2010年03期【摘要】:面對廣電運營商業(yè)務(wù)發(fā)展加快和服務(wù)理念轉(zhuǎn)變的趨勢,下一代廣電綜合業(yè)務(wù)網(wǎng)上營業(yè)廳應(yīng)運而生,本文介紹了下一代廣電綜合業(yè)務(wù)網(wǎng)上
2010-04-23 11:33:30
隨著各玩家開始
推出形形色色的應(yīng)用商店或忙于
推出特定內(nèi)容,
移動產(chǎn)業(yè)正在進入其業(yè)務(wù)周期的
一個可能的決定性階段。短短數(shù)年前,時髦的手機在
移動設(shè)備領(lǐng)域風(fēng)靡
一時?,F(xiàn)在,功能更豐富、外觀更時尚的手機產(chǎn)品正與全球整個無線市場內(nèi)的各種
移動設(shè)備、嵌入式軟件、服務(wù)和應(yīng)用共處這
一舞臺的中央?! ?/div>
2019-05-16 10:44:37
下一代測試系統(tǒng):用LXI拓展視野
2019-09-26 14:24:15
下一代測試系統(tǒng):用LXI推進愿景(AN 1465-16)
2019-10-09 09:47:53
如何進行超快I-V測量?下一代超快I-V測試系統(tǒng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些?
2021-04-15 06:33:03
晶體管并聯(lián)時,當(dāng)需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象,有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?! “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
繼電器線圈時,晶體管的導(dǎo)通與關(guān)斷控制著線圈中電流的通過。此時,當(dāng)晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)向截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)換時,集電極(線圈中)的電流的突然減小,線圈將會產(chǎn)生一個反電動勢,并作用于集電極。這個反電動勢將高達(dá)數(shù)百伏(V
2017-03-28 15:54:24
計算機開關(guān)機的,那么就會把計算機關(guān)閉。這就是機器語言的原理。實際用于計算機和移動設(shè)備上的晶體管大多是MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),它也分為N型和P型,NMOS就是指N型MOSFET
2021-01-13 16:23:43
,發(fā)射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆,發(fā)射極E接黑表筆。正常時,鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測,電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電,空穴和自由電子,但是對于一個實際存在的系統(tǒng),其整體上是呈現(xiàn)電中性的,當(dāng)其中的電子或者空穴移動形成電流時,與之對應(yīng)的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動?
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍!`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容,來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
有效芯片面積的增加,(2)技術(shù)上的簡化,(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓,(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動技術(shù)的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機。放大空中傳播的極微弱信號,使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形,只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況,但是
2019-05-05 00:52:40
晶體管的基極電流發(fā)生變化時,其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后,若從基極加入一個較小的信號,則其集電極將會輸出一個較大的信號。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)(B、E極之間)要加上
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多,不同的電子設(shè)備與不同的電子電路,對晶體管各項性能指標(biāo)的要求是不同的。所以,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途,不同類型的晶體管。 1.一般高頻晶體管的選用一般小信號處理(例如
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說,逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
時,特別是在晶體管方面,它們的性能仍然存在顯著的差異。電力設(shè)備用氮化鎵、碳化硅和硅的比較。圖片由 Alex Avron 提供首先,碳化硅需要一個高柵極驅(qū)動電壓,范圍從18伏到20伏,以打開低導(dǎo)通電阻器件。這個
2022-06-15 11:43:25
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設(shè)計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設(shè)計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
定的比例關(guān)系。2)偏置電路 當(dāng)晶體管用于實際的放大電路時,還需要添加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先,由于晶體管的BE結(jié)(相當(dāng)于二極管)的非線性,輸入電壓達(dá)到一定水平后必須產(chǎn)生基極電流(對于硅管,通常
2023-02-08 15:19:23
OmniBER適用于下一代SONET/SDH的測試應(yīng)用
2019-09-23 14:16:58
,電壓源耦合到PNP晶體管。這一次,發(fā)射極連接到電源電壓V抄送通過負(fù)載電阻器,RL,限制流過連接到集電極端子的設(shè)備的最大電流?;妷篤B相對于發(fā)射極偏置負(fù),并連接到基極電阻R。B,用于再次限制最大基極
2023-02-03 09:44:48
北京時間 12 月 18 日,Qualcomm 美國高通宣布推出下一代物聯(lián)網(wǎng)(IoT)專用調(diào)制解調(diào)器,面向資產(chǎn)追蹤器、健康監(jiān)測儀、安全系統(tǒng)、智慧城市傳感器、智能計量儀以及可穿戴追蹤器等物聯(lián)網(wǎng)
2021-07-23 08:16:37
TEK049 ASIC為下一代示波器提供動力
2018-11-01 16:28:42
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
。作者簡介 :鈴木雅臣,任職于Accuphase公司,主要從事數(shù)字視聽設(shè)備設(shè)計工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計入門》、《晶體管電路設(shè)計》等。目錄:第一章 概述學(xué)習(xí)晶體管電路或FET電路
2017-07-25 15:29:55
操作系統(tǒng)的體驗并不滿意,因此不會在黑莓PlayBook平板電腦中使用下一代黑莓10系統(tǒng)。黑莓CEO海恩斯證實稱,已經(jīng)取消推出下一代黑莓10系統(tǒng)平板電腦的計劃。目前黑莓PlayBook平板電腦仍在出貨,并且
2013-07-01 17:23:10
晶體管是一種有源元件,遍布電子電路。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器,它們用于高電平和低電平、頻率級、振蕩器、調(diào)制器、檢測器以及任何需要執(zhí)行功能的電路中。在數(shù)字電路中,它們用作開關(guān)。世界上有大量
2023-08-02 12:26:53
隨著移動行業(yè)向下一代網(wǎng)絡(luò)邁進,整個行業(yè)將面臨射頻組件匹配,模塊架構(gòu)和電路設(shè)計上的挑戰(zhàn)。射頻前端的一體化設(shè)計對下一代移動設(shè)備真的有影響嗎?
2019-08-01 07:23:17
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度,晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能,包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
模塊正確匹配。這并不難,事實上,有一種有點傳統(tǒng)或至少是典型的方法,如下所述。晶體管效應(yīng)晶體管是用作微型繼電器的半導(dǎo)體器件,用于固態(tài)電子設(shè)備的分立式開/關(guān)傳感器應(yīng)用。它們放大非常小的信號,例如接近開關(guān)
2023-02-03 09:50:59
,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?
2019-08-22 08:14:59
的微小變化非常敏感。由于這個原因,達(dá)林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達(dá)林頓專為光敏電路而設(shè)計?! ≥敵鰝?cè)通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶體管,它可以控制電機,電源逆變器和其他大電流設(shè)備。中等
2023-02-16 18:19:11
開關(guān)。其應(yīng)用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機、可穿戴設(shè)備、高端網(wǎng)絡(luò)、汽車等?! ■捠綀鲂?yīng)晶體管代表鰭狀場效應(yīng)晶體管。鰭片,因為它有一個鰭狀體——形成晶體管主體的硅鰭片區(qū)分了它。場效應(yīng),因為
2023-02-24 15:25:29
的寬度,也被稱為柵長。柵長越短,則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前,業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺積電、三星和GF(格羅方德),在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛,10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半,7n...
2021-07-29 07:19:33
據(jù)彭博社報道,有傳聞稱蘋果公司目前正致力于開發(fā)下一代無線充電技術(shù),將可允許iPhone和iPad用戶遠(yuǎn)距離充電。報道稱,有熟知內(nèi)情的消息人士透露:“蘋果公司正在與美國和亞洲伙伴展開合作以開發(fā)新的無線
2016-02-01 14:26:15
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單片光學(xué) - 實現(xiàn)下一代設(shè)計
2019-09-20 10:40:49
請教:單結(jié)晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
雙向射頻收發(fā)器NCV53480在下一代RKE中的應(yīng)用是什么
2021-05-20 06:54:23
制作材料分,晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分,三極管有PNP和NPN兩種,而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示,其中每一位都有特定含義:如 3 A X 31,第一位3代表三極管,2
2012-07-11 11:36:52
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān),從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要,其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備(如 LED
2023-02-20 16:35:09
充分利用人工智能,實現(xiàn)更為高效的下一代數(shù)據(jù)存儲
2021-01-15 07:08:39
如何利用低成本FPGA設(shè)計下一代游戲控制臺?
2021-04-30 06:54:28
全球網(wǎng)絡(luò)支持移動設(shè)備體系結(jié)構(gòu)及其底層技術(shù)面臨很大的挑戰(zhàn)。在蜂窩電話自己巨大成功的推動下,移動客戶設(shè)備數(shù)量以及他們對帶寬的要求在不斷增長。但是分配給移動運營商的帶寬并沒有增長。網(wǎng)絡(luò)中某一通道的使用效率也保持平穩(wěn)不變。下一代射頻接入網(wǎng)必須要解決這些難題,這似乎很難。
2019-08-19 07:49:08
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
德州儀器(TI)推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
怎樣去設(shè)計GSM前端中下一代CMOS開關(guān)?
2021-05-28 06:13:36
抗飽和晶體管的作用 羅姆應(yīng)用筆記 前些天我出差到杭州臨安節(jié)能燈市場,在銷售員的帶領(lǐng)下走了幾家節(jié)能燈制造廠,我發(fā)現(xiàn)市場上對深愛半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的節(jié)能燈用晶體管比較歡迎。雖然客戶跟我說了原因,但我認(rèn)為
2009-12-17 10:27:07
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2,使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?!?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2,使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
電壓開關(guān)(ZVS),而不會產(chǎn)生開關(guān)導(dǎo)通損耗。一方面,為了實現(xiàn)ZVS的導(dǎo)通,晶體管的寄生輸出電容應(yīng)在每個死區(qū)時間內(nèi)使用該磁化電流完全放電。另一方面,在死區(qū)時間內(nèi),磁化電流會在初級端產(chǎn)生額外的環(huán)流損耗。因此
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
測試下一代核心路由器性能
2019-09-19 07:05:39
轉(zhuǎn)化為鋸齒波,由VT4 組成的射極輸出器經(jīng)阻抗變換后輸出:一方面通過R6 加至晶體管的集電極,作為晶體管的集電極電壓;一方面加至示波器的Y 輸入端,作為示波器的Y 軸輸入信號。C3 、VD1 與晶體管
2008-07-25 13:34:04
,進行了優(yōu)化,還有簡潔的開發(fā)文檔。如果你是一名Java程序員,并且準(zhǔn)備好和我一同加入機器間技術(shù)的潮流,或者說開發(fā)下一代改變世界的設(shè)備,那么就讓我們開始學(xué)習(xí)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)把。在你開始嵌入式開發(fā)之前,你...
2021-11-05 09:12:34
電子產(chǎn)品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
見證者,肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年,肖克萊發(fā)明了“結(jié)型晶體管 ”。1948年7月1日,美國《紐約時報》只用了8個句子的篇幅,簡短地公開了貝爾實驗室發(fā)明晶體管的消息。“一石激起千層浪”,它就像顆重磅***,在全世界電子行業(yè)“引爆”出強烈的沖擊波。電子計算機終于就要大步跨進第二代的門檻!
2012-08-02 23:55:11
導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
大家好, 在Ultrascale FPGA中,使用單片和下一代堆疊硅互連(SSI)技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連(SSI)技術(shù)”是什么意思?謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
這個達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
"數(shù)字經(jīng)濟的發(fā)展驅(qū)動越來越多的企業(yè)上云,每個企業(yè)都會基于云原生安全能力構(gòu)筑下一代企業(yè)安全架構(gòu),完成從扁平到立體式架構(gòu)的進化,屆時云原生安全技術(shù)紅利也將加速釋放!”9月27日,阿里云智能安全
2019-09-29 15:15:23
面向下一代電視的低功耗LED驅(qū)動IC是什么?
2021-06-04 06:36:58
下一代晶體管露臉
ATDF 公司和HPL 公司最近展示了面向多柵場效應(yīng)晶體管(MuGFET)的45nm 技術(shù)節(jié)點上的工藝能力,MuGFET 這種先進的半導(dǎo)體
2009-08-31 11:28:18785 用于腦機接口的下一代醫(yī)療設(shè)備
2022-12-30 09:40:14559 下一代 NXP 低 VCEsat 晶體管:分立半導(dǎo)體的改進技術(shù)-AN11045
2023-03-03 20:10:470
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