薄膜制程技術(shù)突破瓶頸，Oxide TFT高居面板技術(shù)主流

　　Oxide TFT將成為下世代顯示面板的基板技術(shù)首選。臺日韓面板廠在Oxide TFT技術(shù)的研發(fā)腳步愈來愈快，不僅已突破材料與薄膜制程等技術(shù)瓶頸，更成功展示Oxide TFT顯示器塬型，為該技術(shù)商品化增添強勁動能，并有助其成為新一代顯示器基板的技術(shù)主流。

　　技術(shù)迭有進展　Oxide TFT商用快馬加鞭

　　氧化物薄膜電晶體（Oxide TFT）接近低溫多晶硅（LTPS）TFT的電性水準(zhǔn)，并相容于非晶硅（a-Si）TFT生產(chǎn)線與低溫制程。至今，在各國研發(fā)單位的技術(shù)競爭下，Oxide TFT已有相當(dāng)驚人的研發(fā)成果，甚至已進入商品化。本文主要介紹Oxide TFT技術(shù)與發(fā)展趨勢，包含國內(nèi)外技術(shù)研發(fā)現(xiàn)況、技術(shù)挑戰(zhàn)與未來發(fā)展趨勢等。此外，亦將說明Oxide TFT在軟性電子的應(yīng)用。

　　氧化銦錫（ITO）開啟透明導(dǎo)電氧化物（TCO）薄膜的時代，并已成為光電產(chǎn)業(yè)最重要的材料之一。另外，透明氧化物半導(dǎo)體（Transparent Oxide Semiconductor）的研究亦如火如荼地展開，以氧化鋅（ZnO）為研究的主流，GaZnO、InZnO、AlZnO亦逐漸嶄露頭角，但尚無穩(wěn)定的主流材料。

　　直至2003年，東京工業(yè)大學(xué)教授細(xì)野秀雄（Hideo Hosono），在科學(xué)（Science）期刊發(fā)表單晶態(tài)（Crystalline Phase）的銦鎵鋅氧化物（InGaZnO）TFT。由于是單晶態(tài)，InGaZnO TFT制程溫度相當(dāng)高（1，400℃），亦不適合應(yīng)用在玻璃或塑膠基板等，應(yīng)用上產(chǎn)生諸多瓶頸。

　　緊接著，2004年細(xì)野秀雄再于自然（Nature）期刊發(fā)表非晶態(tài)（Amorphous Phase）的InGaZnO TFT製作于塑膠基板上，由于低制程溫度（室溫）的優(yōu)勢，大幅提升其應(yīng)用性，不僅可製作在玻璃基板，亦可製作在塑膠基板上，因此未來朝向塑膠基板的軟性電子開發(fā)已不再是夢。

　　目前薄膜制程方式有兩種，以真空濺鍍（Sputtering）薄膜技術(shù)為主，其具備較高電子移動率（》5cm2/V-s），電性表現(xiàn)已超過傳統(tǒng)有機半導(dǎo)體材料與a-Si薄膜（《1cm2/V-s），甚至于與LTPS薄膜相當(dāng)（10～100 cm2/V-s）；而溶膠/凝膠（Sol-Gel）薄膜技術(shù)已從燒結(jié)溫度500℃降至200℃以下，因其特殊的制程方式，最終的目標(biāo)為取代真空制程系統(tǒng)，進而達(dá)到無光罩制程，節(jié)省材料與制程成本，相信不久的未來，Oxide TFT技術(shù)的世代即將來臨。

　　由國際技術(shù)研討會論文來看，Oxide TFT的研發(fā)腳步越來越快速，臺、日、韓面板廠不約而同採用InGaZnO TFT技術(shù)發(fā)表最新一代的顯示器產(chǎn)品。

　　本文將針對2012年在美國舉辦的國際顯示資訊研討會（SID）與在日本舉辦的國際顯示器研討會（IDW）做一介紹，并針對以玻璃基板為主的顯示器與以軟性基板為主的軟性顯示器深入剖析。