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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>Avago Technologies于28nm CMOS工藝達(dá)成32Gbps的SerDes性能

Avago Technologies于28nm CMOS工藝達(dá)成32Gbps的SerDes性能

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如何利用28nm高端FPGA實(shí)現(xiàn)功耗和性能的平衡?

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超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會(huì)

超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會(huì)
2018-06-05 13:45:003536

業(yè)界首款28 nm FPGA Kintex-7 10Gbps 收發(fā)器性能演示

Xilinx公司業(yè)界首款28 nm FPGA Kintex-7 10Gbps 收發(fā)器性能演示。
2018-06-01 15:50:003960

了解Altera公司28nm的DSP創(chuàng)新技術(shù)

Altera市場(chǎng)行銷部高級(jí)副總裁Danny Biran介紹了該公司28nm的DSP創(chuàng)新,擬2011年1季度面試,開發(fā)軟件DSPB-AB今年5月即可面試。這些Stratix V家族DSP鎖定三大海
2018-06-22 05:28:003927

展訊發(fā)布采用28nm工藝的高集成度四核智能手機(jī)平臺(tái)

關(guān)鍵詞:展訊 , SC883XG , 智能手機(jī) 展訊SC883XG采用先進(jìn)28nm工藝,有助于實(shí)現(xiàn)高性能和低功耗 展訊通信有限公司/展訊通信(天津)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“展訊”),作為中國(guó)領(lǐng)先的2G
2018-09-23 12:43:02229

Kintex-7 K325T FPGA上的10Gbps收發(fā)器展示

Xilinx推出全球首款28nm FPGA,展示10Gbps SERDES功能 Xilinx在Kintex-7 K325T FPGA上展示了10Gbps收發(fā)器,這是有史以來第一款28nm FPGA。
2018-11-28 06:30:003785

基于SiGe和28nm CMOS工藝的毫米波完整鏈路解決方案

作為全球高速ADC/DAC的領(lǐng)導(dǎo)者,ADI為毫米波5G應(yīng)用推出了基于SiGe和28nm CMOS工藝的、從基帶到毫米波頻段的完整鏈路解決方案,支持最大1.2GHz模擬帶寬。
2019-07-24 06:13:002942

高度集成式28nm CMOS RADAR雷達(dá)解決方案

查看我們創(chuàng)新型高度集成式28nm CMOS RADAR雷達(dá)解決方案的系統(tǒng)級(jí)演示,該方案將角分辨率指數(shù)級(jí)升高,以支持面向OEM、一級(jí)廠商、創(chuàng)業(yè)公司和顛覆性初創(chuàng)公司的高度自動(dòng)化的駕駛應(yīng)用。
2019-07-23 06:17:001287

瑞薩電子發(fā)布了業(yè)界第一款使用28nm工藝的集成閃存微控制器

繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開發(fā)公布后,瑞薩電子于2016年9月宣布與臺(tái)積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場(chǎng)推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU,將成為瑞薩電子的另一個(gè)重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗(yàn)證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:032715

三星突破次世代存儲(chǔ)器將大規(guī)模生產(chǎn)28nm工藝EMRAM

三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051

紫光推出Logos-2系列,采用28nm CMOS工藝制程

紫光同創(chuàng)強(qiáng)勢(shì)推出Logos-2系列高性價(jià)比FPGA第一款產(chǎn)品PG2L100H及其全套自主軟件和IP方案。該系列產(chǎn)品采用28nm CMOS工藝制程,相對(duì)于40nm工藝Logos-1系列FPGA性能提升
2020-03-18 16:25:303906

需求下滑導(dǎo)致臺(tái)積電28nm和40/45nm產(chǎn)能利用率下滑

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由于需求下滑,芯片代工商臺(tái)積電28nm、40/45nm的產(chǎn)能利用率有下滑。
2020-04-15 14:44:583348

一款基于標(biāo)準(zhǔn)28nm CMOS工藝集成的60GHz毫米波運(yùn)動(dòng)檢測(cè)雷達(dá)

這款傳感器的功耗僅為62mW,顯著低于該頻率范圍內(nèi)的其它先進(jìn)雷達(dá)。僅1μs的快速啟動(dòng)時(shí)間支持激進(jìn)的占空比,進(jìn)一步降低了系統(tǒng)功耗。其尺寸為4.15mm2的收發(fā)器芯片基于28nm bulk CMOS工藝
2020-08-31 11:41:343521

半導(dǎo)體制程發(fā)展:28nm向3nm的“大躍進(jìn)”

雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營(yíng)收主力,中芯國(guó)際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:024719

美國(guó)允許臺(tái)積電向華為供貨28nm芯片

據(jù)外媒最新報(bào)道,近日美國(guó)政府允許了臺(tái)積電向華為供貨芯片,但只是允許向華為供應(yīng)一部分成熟工藝的產(chǎn)品,即:28nm工藝或以上的產(chǎn)品! 臺(tái)積電從美國(guó)商務(wù)部獲得許可證,能夠繼續(xù)向華為供應(yīng)一部分成熟工藝產(chǎn)品
2020-10-23 10:54:442708

DigiTimes :臺(tái)積電 28nm產(chǎn)能罕見滿載 中芯轉(zhuǎn)單效應(yīng)提前發(fā)酵

),博通(Broadcom)將原在中芯 28nm 制程生產(chǎn)的產(chǎn)品提早轉(zhuǎn)移過來,成為臺(tái)積電 28nm 產(chǎn)能利用率達(dá) 100% 的主要原因。 與目前的 5nm、7nm 工藝相比,28nm、40/45nm 盡管已推出較長(zhǎng)時(shí)間,但它們?nèi)栽诶^續(xù)發(fā)揮作用,并在臺(tái)積電營(yíng)收中占有較大比重。 責(zé)任編輯:PSY
2020-11-04 10:24:271509

最新調(diào)查:國(guó)產(chǎn)28nm芯片已實(shí)現(xiàn)去美化,成功自給自足

市場(chǎng)研究與咨詢機(jī)構(gòu)Strategy Analytics發(fā)布的研究報(bào)告《重要的28nm CMOS節(jié)點(diǎn)上中國(guó)自給自足:計(jì)劃能夠成功》指出,中國(guó)“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期”的成立,可能會(huì)推動(dòng)中國(guó)在兩年內(nèi)在至關(guān)重要的28nm特征尺寸的集成電路生產(chǎn)方面幾乎實(shí)現(xiàn)自給自足。
2020-11-04 16:11:574951

美國(guó)禁令推動(dòng)國(guó)產(chǎn)28nm芯片兩年內(nèi)將實(shí)現(xiàn)自給自足

市場(chǎng)研究與咨詢機(jī)構(gòu)Strategy Analytics發(fā)布的研究報(bào)告《重要的28nm CMOS節(jié)點(diǎn)上中國(guó)自給自足:計(jì)劃能夠成功》指出,中國(guó)“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期”的成立,可能會(huì)推動(dòng)中國(guó)在兩年內(nèi)在至關(guān)重要的28nm特征尺寸的集成電路生產(chǎn)方面幾乎實(shí)現(xiàn)自給自足。
2020-11-04 16:08:181863

28nm工藝在芯片制造領(lǐng)域的地位

,計(jì)劃在2021年年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm芯片,且預(yù)計(jì)在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm芯片。 該報(bào)道稱,由于華為此前并沒有制造芯片的經(jīng)驗(yàn),因此該工廠將由上海市政府支持的上海集成電路研發(fā)中心有限公司(ICRD)運(yùn)營(yíng)。 對(duì)此華為未予置評(píng)。無論華為
2020-11-05 16:50:3410357

臺(tái)積電28nm工藝產(chǎn)能將更緊張

獲得5nm工藝的產(chǎn)能。 從外媒的報(bào)道來看,不只是7nm、5nm等先進(jìn)的制程工藝,臺(tái)積電成熟工藝,目前也有強(qiáng)勁的的需求,已有外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電先進(jìn)工藝和成熟工藝都有強(qiáng)勁的產(chǎn)能需求。 從相關(guān)媒體的報(bào)道來看,在芯片制程工藝方面,28nm及以上工
2020-11-19 16:50:151672

28nm目前全球的晶圓代工狀況

28nm目前國(guó)內(nèi)主要的芯片產(chǎn)品以及未來5年可能會(huì)導(dǎo)入的新的芯片產(chǎn)品
2020-12-02 10:31:093845

Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝

12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝。 在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:252413

臺(tái)積電和聯(lián)華電子28nm工藝將滿負(fù)荷運(yùn)行

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,雖然目前最先進(jìn)的芯片制程工藝已經(jīng)達(dá)到5nm,但成熟的28nm工藝,目前仍還有大量的需求,28nm工藝目前就還仍是臺(tái)積電的第4大收入來源,貢獻(xiàn)了去年四季度臺(tái)積電營(yíng)收的11%,是4項(xiàng)營(yíng)收占比超過10%的工藝之一。
2021-01-19 15:07:481810

中芯國(guó)際回應(yīng)14、28nm工藝設(shè)備獲美國(guó)許可允許進(jìn)口

日前有消息稱中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了美國(guó)部分許可,14、28nm工藝的設(shè)備允許進(jìn)口。
2021-03-03 09:39:361997

傳中芯國(guó)際已獲14/28nm許可,官方回應(yīng)

日前有消息稱中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了美國(guó)部分許可,14、28nm工藝的設(shè)備允許進(jìn)口。
2021-03-03 11:22:221635

中芯國(guó)際產(chǎn)能擴(kuò)張,主要生產(chǎn)28nm及以上工藝

這一年來全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張,國(guó)內(nèi)的晶圓廠也開說產(chǎn)能擴(kuò)張。繼位于北京的中芯京城之后,中芯國(guó)際今晚宣布在深圳投資建廠,主要生產(chǎn)28nm及以上工藝。
2021-03-18 10:39:193981

曾經(jīng)被28nm改寫的半導(dǎo)體市場(chǎng)

最近,關(guān)于28nm工藝的新聞?lì)l頻見于報(bào)端。 一方面,臺(tái)積電日前宣布,將斥資約800億元新臺(tái)幣,把在南京廠建置28納米制程,目標(biāo)在2023年中前達(dá)到4萬片月產(chǎn)能。除此之外,市場(chǎng)中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:322770

22nm28nm芯片性能差異

據(jù)芯片行業(yè)來看,目前22nm28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了,很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多,主要原因就是價(jià)格便宜,那么這兩個(gè)芯片之間有什么性能差異呢?
2022-06-29 09:47:467987

基于28nm工藝制程的7系列FPGA

7系列FPGA是基于28nm工藝制程。在7系列FPGA中,每個(gè)輸入/輸出區(qū)域(I/O Bank)包含50個(gè)輸入/輸出管腳,其中有4對(duì)(8個(gè))全局時(shí)鐘管腳,稱之為CCIO(Clock-capable IO)。
2023-03-03 09:46:491323

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:430

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:31:340

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:35:091

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220

臺(tái)積電第一家日本工廠即將開張:預(yù)生產(chǎn)28nm工藝芯片

這座晶圓廠于2022年4月開始新建,大樓主結(jié)構(gòu)已完工,且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片,這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn),但注意它不是22nm,而是28nm的一個(gè)變種,專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433

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