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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>碳納米管比硅晶體管效能比可提高1000倍

碳納米管比硅晶體管效能比可提高1000倍

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場效應(yīng)晶體管對比分析

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2021-05-13 07:09:34

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2019-08-22 06:13:27

怎樣通過晶體管提高倍壓器的精度?

有誰可以解答一下如何通過晶體管提高倍壓器的精度嗎?
2021-04-20 07:27:55

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數(shù)字晶體管的原理

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新材料3D晶體管有望帶來效率更高的芯片,更輕的筆記本電腦

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氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好?

和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在較高頻率下,無源諧振電路(例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器)的尺寸明顯減小,從而提高了功率密度。此外,還需要考慮功率晶體管(Q1和Q2)的選擇,以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29

電子元件中場效應(yīng)晶體管晶體三極管,誰能領(lǐng)袖群倫

Ib放大β,然后在集電極以Ic形式輸出。二、場效應(yīng)晶體管:原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個小硅片.但是場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜.場效應(yīng)的溝道一般是幾個納米,也就是說場效應(yīng)晶體管
2019-03-27 11:36:30

電流旁路對GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

`  引言  在功率變換器應(yīng)用中,寬帶隙(WBG)技術(shù)日益成為傳統(tǒng)晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場的應(yīng)用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15

縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別

用。(2)橫向PNP:  這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的,故稱為橫向PNP。由于受工藝限制,基區(qū)寬度不可能很小,所以它的值相對較低,一般為十幾倍到二、三十。橫向PNP的優(yōu)點
2019-04-30 06:00:00

碳納米管薄膜的制備及處理對場發(fā)射特性的影響

采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑,用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜,測試其場發(fā)射特性,并與未經(jīng)處理的碳納米管
2008-12-03 12:55:2613

碳納米管薄膜的場發(fā)射特性研究*

碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑,采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場發(fā)射陰極,反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:1820

碳納米管應(yīng)用研究

隨著對碳納米管研究的不斷深入,對碳納米管的應(yīng)用研究越來越受到人們的重視。通過分析碳納米管的物理特性,對碳納米管的應(yīng)用前景進行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:1813

碳納米管在微機電系統(tǒng)中的應(yīng)用研究

碳納米管研究的不斷發(fā)展為其與微機電系統(tǒng)(MEMS) 的結(jié)合提供了可能,這種結(jié)合“Top - down”與“Bottom2up”的方法是微米/ 納米技術(shù)的一個發(fā)展趨勢。碳納米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:0726

碳納米管研究的新進展

文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652

#硬聲創(chuàng)作季 #納米技術(shù) 納米電子學(xué)-5.1.5 納米器件-碳納米管(線)場效應(yīng)晶體管

納米技術(shù)納米場效應(yīng)晶體管
水管工發(fā)布于 2022-10-13 17:13:42

碳納米管場效應(yīng)晶體管設(shè)計

碳納米管具有一些獨特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:0662

首個10納米以下碳納米管晶體管問世

來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示,他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29843

IBM展示領(lǐng)先芯片技術(shù),3D晶體管碳納米管來襲

FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上,IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外,還展示了諸如硅光子晶體管,碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:307799

基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海

基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海
2017-03-19 19:12:420

金百納碳納米管的優(yōu)勢分析與應(yīng)用

金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù),具有純度高,管徑小等優(yōu)點。用其分散出來的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H),與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低,導(dǎo)電性好等優(yōu)點,能夠更好的滿足動力電池對安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:524273

碳納米管介紹 碳納米管的制備方法

目前碳納米管的制備方法主要有三種,分別是弧光放電法,激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實驗樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0010885

碳納米管潔凈度接近極致

在Nano Letters雜志描述的研究中,Barron和他的團隊在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后,對多壁碳納米管和單壁碳納米管進行了艱苦的阻力測量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多,阻力測量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:344140

趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù)

經(jīng)多年研發(fā),趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù),進一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點于一身:1、是陳列式的碳納米管,蓬松易分散
2018-08-21 17:15:328684

碳納米管納米復(fù)合材料的分析現(xiàn)狀及問題詳細(xì)資料免費下載

文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能,綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況,在此基礎(chǔ)上,分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過程中的純化、分散、損傷和界面等問題,并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢。
2018-12-13 08:00:008

美國麻省理工學(xué)院團隊利用14000多個碳納米管晶體管制造出16位微處理器

英國《自然》雜志28日發(fā)表了一項計算科學(xué)最新進展:美國麻省理工學(xué)院團隊利用14000多個碳納米管晶體管,制造出16位微處理器,并生成這樣一條信息。其設(shè)計和制造方法克服了之前與碳納米管相關(guān)的挑戰(zhàn),將為先進微電子裝置中的硅帶來一種高效能替代品。
2019-08-29 16:12:133298

全球首款可編程碳納米管芯片問世

MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成,擁有14000多個晶體管,基于RISC-V架構(gòu),可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:291054

史上最大碳納米管芯片問世!

以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進微電子器件中硅晶體管的替代品,顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級缺陷和可變性,以及處理它們面臨的挑戰(zhàn),阻礙了它們在微電子領(lǐng)域的實際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:007191

碳納米管陣列輻射的實驗研究資料說明

自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來,納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究,是目前科學(xué)界的研究熱點?;?b class="flag-6" style="color: red">碳納米管獨特的電學(xué)特性,提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想。自此
2020-11-06 10:40:002

碳納米管晶體管可幫助發(fā)展新一代超強抗輻照集成電路技術(shù)

但是,這并不代表著對碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會一帆風(fēng)順。1998年首個碳納米管晶體管研發(fā)至今,碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來,最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm(2014年 IBM)。
2020-08-31 15:00:503526

碳納米管晶體管有望取代硅走入現(xiàn)實

新的制造工藝,該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管晶體管完全關(guān)閉時至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:131610

碳納米管紗線為何物?

論文題目中有個看起來有點兒高深的詞「碳納米管紗線」(Carbon nanotube yarns),那么在談具體的研究細(xì)節(jié)之前,我們先來解決一個問題:碳納米管紗線為何物?
2021-02-20 09:19:302915

一種碳納米管“橋接策略”

本文提出了一種碳納米管“橋接策略”來合成這種富含用于 ORR 催化的高活性單原子 Fe 位點和用于 OER催化的高性能NiCo 納米顆粒的雙功能氧電催化劑(FePc||CNTs||NiCo/CP)。
2022-11-11 11:04:52869

展望碳納米管晶體管的未來

碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性,已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評論文章中,西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361104

OCSiAl高固含單壁碳納米管新品發(fā)布 提高鋰離子電池效能

OCSiAl通過技術(shù)革新,提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能,同時推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品,相較現(xiàn)有產(chǎn)品,固含提升在2倍以上,進一步降低單壁碳納米管的使用成本,提升性價比。
2023-04-20 09:34:461283

碳納米管薄膜光探測器最新進展

on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章,該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備
2023-06-12 17:02:40338

北大團隊打造世界首款90nm碳納米管晶體管氫氣傳感器

? 近日,北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團隊 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ,具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù),目前該團隊研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:18538

碳納米管的性能優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

等,成為提高鋰電池能量密度、實現(xiàn)快充快放和提升循環(huán)壽命的關(guān)鍵輔材。在過去的幾年里,碳納米管導(dǎo)電漿料的需求急劇增長,尤其是在下游動力電池企業(yè)中,為碳納米管導(dǎo)電劑的市場帶來了蓬勃發(fā)展。
2023-10-27 17:41:231433

碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝,解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題

研究中,他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)(Top Gate complementary CNT MOSFETs)。在該結(jié)構(gòu)中,通過將摻雜僅僅局限在延伸部分,而在通道保持未摻雜的狀態(tài),憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32338

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