半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:18
1961 
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
電阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm μDFN封裝，待機電流低至0.5μA (典型值)，非常適合便攜式設(shè)備。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V電源電壓，內(nèi)置非易失存儲器可保存
2021-05-17 07:50:42
的載體。因此各種IC卡的應(yīng)用特 點主要體現(xiàn)在IC卡存儲器的類型，存儲器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個方面?！ ≡贗C卡中使用的存儲器類型主要分為兩大類：易失性存儲器和非易失性存儲器?！ ?b class="flag-6" style="color: red">易失
2020-12-25 14:50:34
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存儲器4.1概述存儲器可分為那些類型現(xiàn)代存儲器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲器分類1.按存儲介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲器
2021-07-29 07:40:10
1. 存儲器理解存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲器的分類存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時間短，電源消失的時候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...
2021-07-26 08:30:22
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
方便移動設(shè)備應(yīng)用.存儲器系統(tǒng)設(shè)計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
，非易失性存儲器還需確保足夠的讀寫次數(shù)來記錄至少 20 年數(shù)據(jù)。此外，為了達(dá)到汽車級認(rèn)證和資格，所有子系統(tǒng)應(yīng)采用符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的存儲器組件。同時，功能性安全性能符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)是另外一
2018-05-21 15:53:37
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預(yù)測尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測單個5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優(yōu)勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
應(yīng)用，這種快樂試試你就會懂的。話不多說，上貨。半導(dǎo)體存儲器和可編程邏輯器件簡介半導(dǎo)體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導(dǎo)體器件。在電子計算機以及其他一些數(shù)字系統(tǒng)的工作過程中，都需要對大量的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲
2023-02-23 15:24:55
Flash的硬件實現(xiàn)機制Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性存儲設(shè)備(Non-volatile Memory Device)，與此相對應(yīng)的是易失性存儲設(shè)備(Volatile
2018-07-18 15:50:36
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點的基礎(chǔ)上，加入了多項創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機制
2020-12-30 07:57:04
等的FeRAM?！ ?.可在 1.8V～3.6V的更寬范圍內(nèi)40MHz工作 FeRAM與EEPROM、FLASH存儲器等非易失存儲器相比，可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)擦寫并低電壓工作，因而具有即使在寫入過程中
2018-10-18 16:14:20
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用
非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。半導(dǎo)體存儲器的分類* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而
2019-06-26 07:11:05
EVAL-AD5232SDZ，用于AD5232雙通道，256位，非易失性存儲器數(shù)字電位器的評估板。 AD5232具有多種可編程性，允許多種工作模式，包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問，電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲器
2021-12-10 08:26:49
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現(xiàn)（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
”擦寫，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。今天的科普就到這里，日后有關(guān)于存儲芯片的問題可以找宏旺半導(dǎo)體！
2019-12-05 14:02:53
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
數(shù)字電子技術(shù)--半導(dǎo)體存儲器[hide][/hide]
2017-05-01 22:26:01
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
程序存儲器(ROM)作用：存放程序、表格或常數(shù)，具有非易失性特點：片內(nèi)ROM與片外ROM可有2種組合方案方案1 ： 4 KB以內(nèi)的地址在片內(nèi)ROM，大于4KB的地址在片外ROM中（圖中折線），兩者
2021-12-13 06:08:21
具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后，里面存儲
2022-02-11 07:51:30
存儲器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲器（易失或非易失）、磁表面存儲器（非易....
2021-07-26 06:22:47
開發(fā)周期、長期供貨和最先進(jìn)技術(shù)。從便攜式電子產(chǎn)品到網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，賽普拉斯的存儲器系列產(chǎn)品總能提供相應(yīng)的存儲器方案：低功耗、異步、同步與非易失性 SRAM，以及多端口 SRAM、FIFO 等。賽普拉斯提供完整
2020-09-01 19:40:50
是非易失性存儲器，關(guān)電以后，內(nèi)容是可以存儲的；DDR是易失性存儲器，關(guān)電以后，數(shù)據(jù)內(nèi)容是丟失的。綜上，雖然兩者都是存儲器，但卻大相徑庭，在使用過程中發(fā)揮的功能區(qū)別也很大。容量差別大eMMC的容量一般
2019-09-24 11:22:45
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機存儲器，它沒有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點,同時其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
和閃存）結(jié)合起來。鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
半導(dǎo)體存儲器測試原理,半導(dǎo)體存儲器的性能測試,集成電路測試系統(tǒng).
2008-08-17 22:36:43
168 7.1.1
半導(dǎo)體存儲器的特點與應(yīng)用7.1.2
半導(dǎo)體存儲器的分類7.1.3
半導(dǎo)體存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
半導(dǎo)體存儲器是用
半導(dǎo)體器件來
存儲二值信息的大規(guī)模集成電路?！?/div>
2009-07-15 18:40:530 相變存儲器驅(qū)動電路的設(shè)計與實現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設(shè)計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
2010-05-08 09:42:3343 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
第三十講 半導(dǎo)體存儲器
第9章 半導(dǎo)體存儲器9.1 概述
9.2 只讀存儲器9.2.1固定ROM的結(jié)構(gòu)和工作原理一
2009-03-30 16:36:091158 
相變存儲器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:55751 相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:032895 相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22630 半導(dǎo)體存儲器,半導(dǎo)體存儲器原理圖解
半導(dǎo)體存儲器是具備可以儲存圖像數(shù)據(jù)或文字?jǐn)?shù)據(jù)、程序等信息，在必要時
2010-03-01 16:58:2326119 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 半導(dǎo)體存儲器 (semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。按其功能可分為：隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存
2011-05-30 18:26:10197 非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫
2011-09-07 16:33:051446 
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2017-04-23 19:30:0028 數(shù)字電路--半導(dǎo)體存儲器原理
2016-12-20 17:20:070 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 存儲器與半導(dǎo)體存儲器
2022-07-08 16:07:4032 近日，淮安市舉行集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場推進(jìn)暨江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司相變存儲器工廠竣工運營啟動儀式。
2018-03-28 14:58:196707 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
全球第一的非存儲器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國推出新一代存儲器半導(dǎo)體，外界解讀，英特爾選在存儲器半導(dǎo)體強國發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:14794 存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。
2020-12-04 09:48:422242 存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。如果你對存儲器的相關(guān)知識具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 17:54:0015131 對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內(nèi)就具備存儲器。為增進(jìn)大家對存儲器的認(rèn)識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 半導(dǎo)體存儲器芯片，按照讀寫功能可分為隨機讀寫存儲器（RandomAccessMemory，RAM）和只讀存儲器（ReadOnlyMemory，ROM）兩大類。
2020-12-28 10:11:386046 半導(dǎo)體存儲器及其測試說明。
2021-03-19 16:11:4835 半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf(匯編語言嵌入式開發(fā))-半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf
2021-07-30 09:39:3066 按照存儲介質(zhì)的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學(xué)存儲器、磁性存儲器和半導(dǎo)體存儲器三類。光學(xué)存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬盤等。半導(dǎo)體存儲器是目前存儲領(lǐng)域市場規(guī)模最大
2022-12-01 10:18:332528 何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131100 
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01734 
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