金屬氧化物濕敏元件應(yīng)用電路
金屬氧化物濕敏元件由于電阻值與相對濕度的特性為非線性，而且存在著溫度系數(shù)，因此它們在使用中存在互換性差。溫敏元件的這
2009-11-30 09:16:11
778 最近幾年，在發(fā)表顯示器尖端技術(shù)的國際會議“SID”上，爭當(dāng)未來主角的“OLED”、“氧化物半導(dǎo)體”等技術(shù)是關(guān)注的焦點。討論這些技術(shù)的會議總是擠滿了聽眾，有關(guān)技術(shù)也的確在穩(wěn)步發(fā)展。
2013-06-20 15:03:202754 固體圖像傳感器(也稱固體光電成像器件)有CCD與CMOS兩種。CCD是“電荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的簡稱，而CMOS是“互補金屬氧化物半導(dǎo)體”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的簡稱。
2020-04-13 07:13:10
Semiconductor, 互補金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝。目前90%以上的集成電路IC生產(chǎn)技術(shù)都是屬于CMOS生產(chǎn)工藝。用CMOS工藝生產(chǎn)的MOS管一般耐壓都不高，功率也不大，但CMOS管導(dǎo)通內(nèi)阻可以
2012-05-21 17:38:20
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件
2019-10-15 07:25:21
被廣泛應(yīng)用。CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor, 互補金屬氧化物半導(dǎo)體）是一種同時采用兩種工藝（垂直外延和橫向外延）制造MOS管的大規(guī)模集成電路
2012-05-22 09:38:48
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件
2019-09-04 07:45:08
用的CMOS工藝，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特點，最近幾年在寬動態(tài)、低照度方面發(fā)展迅速。CMOS即互補性金屬氧化物半導(dǎo)體，主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，通過CMOS上帶負電和帶
2016-11-10 10:04:56
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
電阻和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個阻值隨外部待測氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩(wěn)定性，而且這種傳感器僅在半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生可逆氧化還原反應(yīng)，半導(dǎo)體內(nèi)部化學(xué)結(jié)構(gòu)不變
2012-08-29 15:40:48
` 誰來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
靈敏度有所降低[13]。 5、開發(fā)復(fù)合型金屬氧化物半導(dǎo)體甲烷敏感元件 吳興惠等提出了一種提高氧化物半導(dǎo)體氣敏元件靈敏度的方法原理，此法可實現(xiàn)靈敏度的倍增，即互補倍增原理[14]。利用此原理構(gòu)成的氣敏元件
2018-10-24 14:21:10
相機、鏡頭、光源參考了網(wǎng)上很多資料，由于時間比較久忘記來源了，如果發(fā)現(xiàn)有你文章的內(nèi)容，請聯(lián)系我加上您的鏈接1.CCD（電荷耦合器）和CMOS（互補氧化物半導(dǎo)體）：1.1 CCD信息的讀取需要以行為
2021-07-26 06:32:20
數(shù)字照相電子設(shè)備變得越來越便攜，集成了高質(zhì)量的解決方案。照相機應(yīng)用的高性能與小型尺寸常常受到照相機中為互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）圖像傳感器供電的低壓差（LDO）穩(wěn)壓器的影響。
2020-05-13 07:15:58
MOS要快，可以用在高速電路上2. 什么是CMOS？complementary MOS (CMOS) 互補型金屬氧化物半導(dǎo)體，在COMSO制成的邏輯器件過著單片機中，N型管和P型管往往是成對出現(xiàn)的。同時出現(xiàn)的這兩個MOS管，任何時候，只要一只導(dǎo)通，另一只則不導(dǎo)通，所以稱為互補型MOS
2022-01-25 06:48:08
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
(MGS)?？倻p少量由以下等式控制硅在高溫下暴露于氧化劑時，很容易在所有暴露表面形成氧化物薄層。硅的天然氧化物以二氧化硅 (SiO) 的形式存在。在 CMOS 制造方面，SiO2 可以作為器件結(jié)構(gòu)（例如柵極
2021-07-06 09:32:40
。 半導(dǎo)體器件制造中的硅片清洗應(yīng)用范圍很廣，例如 IC 預(yù)擴散清洗、IC 柵極前清洗、IC 氧化物 CMP 清洗、硅后拋光清洗等。這些應(yīng)用一般包括以下基本工藝：1、去除有機雜質(zhì)2、去除金屬污染物3、去除
2021-07-06 09:36:27
使用這些納米線陣列，可以實現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽能電池器件的影響，重點是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)CMOS技術(shù)半導(dǎo)體表面經(jīng)過各種處理步驟，其中添加了具有特定幾何圖案的雜質(zhì)和其他材料制造步驟按順序排列以形成充當(dāng)晶體管和互連的三維區(qū)域MOSFET 的簡化視圖CMOS工藝CMOS 工藝允許在
2021-07-09 10:26:01
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
金屬氧化物H+選擇性電極作為玻璃電極的替代材料已引起了廣泛的關(guān)注，文獻報導(dǎo)的金屬氧化物pH電化學(xué)傳感器大部分是基于貴金屬氧化物電極，制備成本較貴，但W及其氧化物價格相對比校低。
2019-09-16 10:05:21
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細描述。
2021-03-11 06:11:03
投資熱的背景下，預(yù)計2016年半導(dǎo)體行業(yè)仍將出現(xiàn)小幅度增長，作為行業(yè)關(guān)鍵設(shè)備的自動光學(xué)檢測（AOI）設(shè)備的需求熱度有望保持?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體行業(yè)一直是自動光學(xué)檢測（AOI）設(shè)備的三大應(yīng)用行業(yè)之一，半導(dǎo)體行業(yè)
2016-02-16 11:33:37
關(guān)于CMOS 和TTL器件的區(qū)別CMOS：互補金屬氧化物半導(dǎo)體邏輯器件TTL：晶體管-晶體管邏輯系列器件TTL輸出級有兩個晶體管，任何時刻只有一個導(dǎo)通，又是被稱為圖騰柱，或者推拉式輸出；CMOS電路
2012-04-25 11:17:16
氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 晶體管來說（取決于實際的處理參數(shù)），這個值大約為10MHz，或者更大。所以，與雙極晶體管相比，CMOS ADC的1/f噪聲轉(zhuǎn)角要差/高很多，并且與很多工業(yè)應(yīng)用中使用的極低
2022-11-17 06:44:32
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
單芯片互補式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應(yīng)用以及特點？
2021-06-17 08:54:54
通過充分利用互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，并將嵌入式微控制器(MCU)和數(shù)字信號處理(DSP)以及智能雷達前端集成在內(nèi)，TI日前推出了橫跨具有完整端到端開發(fā)平臺的76-81GHz傳感器系列
2019-07-30 07:03:34
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
。實際上，CMOS圖像傳感器最初應(yīng)用于工業(yè)圖像處理；在那些旨在提高生產(chǎn)率、質(zhì)量和生產(chǎn)工藝經(jīng)濟性的全新自動化解決方案中，它至今仍然是至關(guān)重要的圖像解決方案?！ “采?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)及定制CMOS圖像傳感器
2018-11-05 15:22:10
關(guān)于安森美半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)及定制CMOS圖像傳感器方案解說。
2021-04-07 06:12:04
際此萬物互聯(lián)時代的來臨，圖像傳感可說是促進物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的一個重要接口，是萬物之“眼”。安森美半導(dǎo)體寬廣的成像和像素技術(shù)和圖像傳感器陣容，配以公司在成像領(lǐng)域的經(jīng)驗和專長，實現(xiàn)超越人眼界限的創(chuàng)新
2019-07-25 06:36:49
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件
2019-10-10 07:33:06
問個菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
對于模擬CMOS（互補對稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓（信號電壓超過電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對。
2021-03-09 08:34:53
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
本帖最后由 濟世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見
2016-10-07 22:07:14
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成
2016-11-27 22:34:51
我用的金屬氧化物半導(dǎo)體型氣體傳感器。在進行AD轉(zhuǎn)換之前，對其信號調(diào)理時，需要考慮哪些干擾？怎么設(shè)計濾波器？用的ADC芯片是AD7991 消息編輯者為：航 張
2018-11-07 09:24:33
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
金屬氧化物變阻器應(yīng)用于能量吸收電路的研究摘要：對金屬氧化物變阻器（MOV）的物理特性進行了分析，在此基礎(chǔ)上提出了將MOV 吸收能量的過程分為三個階段即：換流部分、線性吸收部分、電流漸近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
美國斯坦福大學(xué)研究人員最新研究發(fā)現(xiàn)，加熱鐵銹之類金屬氧化物，可以提升特定太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率和能量儲存效率。這一發(fā)現(xiàn)由《能源和環(huán)境科學(xué)》雜志刊載。與現(xiàn)有硅太陽能電池不同，這類太陽能電池是以金屬
2016-03-07 15:18:52
及高壓電工考試真題匯總，有助于高壓電工模擬試題考前練習(xí)。1、【判斷題】 電傷是指觸電時電流的熱效應(yīng)、化學(xué)效應(yīng)以及電刺擊引起的生物效應(yīng)對人體外表造成的傷害。（√）2、【判斷題】 金屬氧化物避雷器的特點包括動作迅速、無續(xù)流、殘壓低、通流量大等。（√）3、【判斷題】 在變壓器閉合的鐵芯上...
2021-09-16 07:45:10
最新大綱及高壓電工考試真題匯總，有助于高壓電工證考試考前練習(xí)。1、【判斷題】 金屬氧化物避雷器的特點包括動作迅速、無續(xù)流、殘壓低、通流量大等。（√）2、【判斷題】 絕緣子是用來固定導(dǎo)線,并使導(dǎo)線與桿塔之間保持絕緣狀態(tài)。（√）3、【判斷題】 電氣設(shè)備冷備用狀態(tài)指設(shè)備的開關(guān)和刀閘均在打...
2021-09-16 06:24:36
靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，
2008-07-22 14:35:00
0 大多數(shù)實用氣敏傳感器是金屬氧化物半導(dǎo)體或金屬氧化物固體電解質(zhì)材料制作的．所以，把它們分為氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和氧化物固體電解質(zhì)氣敏傳感器兩類．前者利用待測
2009-04-06 09:09:2730 以二氧化錫可燃性氣體傳感器為代表的金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和以二氧化鋯濃差電池氧氣傳感器為代表的金屬氧化物固體電解質(zhì)氣敏傳感器實用化以來的短短幾十年，
2009-04-06 09:14:4824 DU28120T射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V數(shù)字金屬氧化物半導(dǎo)體 射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V 數(shù)字
2022-11-29 10:41:01
論述了金屬氧化物SnO 2 的氣敏機理, 并對通過摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物以及形成復(fù)合型、多組分氧化物等方法制備SnO 2 薄膜氣敏傳感器的最新研究成果進行了簡要介紹。
2009-06-27 08:35:4928 討論了金屬氧化物半導(dǎo)體表面的氣2氣、氣2固反應(yīng)及其相應(yīng)的電子過程, 建立了分析氣敏作用機理的理論模型, 并提出了改進傳感器性能的指導(dǎo)性意見。關(guān)鍵詞: 氣敏傳感器; 金
2009-07-02 09:52:2920 半導(dǎo)體氣敏傳感器有多種分類方法，主要一種是將其分為兩類—電導(dǎo)控制型氣敏傳感器和電壓控制氣敏傳感器。其中電導(dǎo)控制型一般以金屬氧化物半導(dǎo)體材料如SnO、ZnO、FeO系為基體
2009-11-23 14:03:5236 濃度數(shù)據(jù)，選用了高精度的進口電化學(xué)傳感器、運用奕帆科技核心技術(shù)+獨立算法，實現(xiàn)氮氧化物24小時連續(xù)在線監(jiān)測和超標(biāo)報警、數(shù)據(jù)存儲、傳輸功能。 產(chǎn)品特點?外
2023-03-13 14:53:41
金屬氧化物氣敏傳感器(VI）
以二氧化錫可燃性氣體傳感器為代表的金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和以二氧化鋯濃差電池氧氣傳感器為代表的金屬氧化物固體電解
2010-02-26 17:14:5814 該HI-8585 and HI-8586 是互補式金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路，設(shè)計用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動ARINC 429總線，兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范設(shè)計的硅柵互補式金屬氧化物半導(dǎo)體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十九節(jié):金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
4.3 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
結(jié)型場
2009-09-17 10:49:371050 
什么是CMOS/PnP
CMOS指互補金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。有時人們會把CMOS和BIOS混稱，其實
2010-02-05 10:05:12773 什么是多層氧化物MOS集成電路
所有 MOS 集成電路 （包括 P 溝道 MOS， N 溝道 MOS， 互補 MOS — CMOS 集成電路） 都有一層絕緣柵，以防止
2010-03-04 16:11:26963 CMOS邏輯電路,CMOS邏輯電路是什么意思
CMOS是單詞的首字母縮寫，代表互補的金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，它指的是一種特殊類
2010-03-08 11:31:473574 CMOS,CMOS是什么意思
CMOSCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成
2010-03-08 11:35:4224922 CMOS模擬開關(guān),CMOS模擬開關(guān)是什么意思
CMOS（本意是指互補金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料）是微機主板上的一塊可
2010-03-22 17:10:591915 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
2011-10-19 19:02:40
本文將著重介紹氧化物無機 半導(dǎo)體材料 的光電化學(xué)研究領(lǐng)域的一些新進展. 本文簡述了二氧化鈦薄膜、氧化鋅薄膜、ZnO/TiO 復(fù)合涂層、SnO2: F 薄膜的發(fā)展概況及應(yīng)用
2011-11-01 17:49:4847 安森美半導(dǎo)體推出新的互補型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，提供切合指紋識別及種種醫(yī)療設(shè)備設(shè)計等日益增多的高端生物測定應(yīng)用需求所要求的速度、分辨率及信噪比(SNR)性能
2011-11-11 09:09:35643 本文介紹了場效應(yīng)管的分類及金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)管相關(guān)知識的詳解。
2017-11-22 19:54:1333 CMOS互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
2018-01-09 10:04:0892207 臺灣顯示器制造商中華映管（CPT）在Touch Taiwan臺灣觸控、面板暨光學(xué)膜展覽會上展出了采用Gen 4狹縫擠出涂布設(shè)備處理的涂覆iXsenic金屬氧化物半導(dǎo)體涂層的5.8 英寸LCD 顯示屏
2018-02-12 12:14:001228 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119660 本書系統(tǒng)地介紹了金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件和金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路的設(shè)計諸問題。全書共分六章。第一章為引言。第二章和第三章闡述了金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件的工作原理，推導(dǎo)出器件的基本方程并介紹
2021-03-21 11:04:3219 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計規(guī)則 ? 互補金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00248 
本文介紹了用μ-PCD方法對氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的遷移率和Vth漂移的評價結(jié)果。
2021-12-20 15:22:23855 
制造具有鋁柵極的電容器，以通過在HP4145參數(shù)分析儀上的破壞性電場擊穿測試來確定器件的介電強度，使用同時高頻/低頻系統(tǒng)從C-V測試中獲得總氧化物電荷和界面陷阱密度。 介紹 水清洗工藝是去除污染物最常用的技術(shù)。這種去除對半導(dǎo)體工業(yè)至關(guān)重要，因為人們普遍認(rèn)
2022-06-20 16:11:27688 
半導(dǎo)體器件制造中涉及的一個步驟是在進一步的處理步驟，例如，在形成柵極氧化物之前。進行這種清洗是為了去除顆粒污染物、有機物和/或金屬以及任何天然氧化物，這兩者都會干擾后續(xù)處理。特別是清潔不充分是對柵極
2022-06-21 17:07:391229 
隨著氧化物技術(shù)迭代升級，不斷完善，各個企業(yè)亦各顯神通，那么京東方作為半導(dǎo)體顯示龍頭企業(yè)，在氧化物半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域上也是率先發(fā)力，已有多年的技術(shù)積累并取得了重大突破。跟小酷一起了解一下吧！
2022-07-15 11:42:412002 MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)方面給大家進行簡單的描述介紹。
2022-10-19 17:39:463790 
??CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)是互補金屬氧化物半導(dǎo)體。CMOS相機原理框圖如下。
2023-06-27 06:52:131332 
什么是CMOS集成電路？CMOS的主要功能是什么？ CMOS是一種常見的集成電路技術(shù)，其全稱為互補金屬氧化物半導(dǎo)體。CMOS技術(shù)和傳統(tǒng)的TTL集成電路技術(shù)相比，具有功耗低，內(nèi)部電路抗干擾能力強等優(yōu)點
2023-09-07 14:46:362193 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41262 
CMOS集成電路的性能及特點? CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是一種廣泛應(yīng)用的集成電路（IC）制造技術(shù)，它采用互補性金屬氧化物半導(dǎo)體材料
2023-12-07 11:37:35668 金屬
氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)利用了兩種類型的晶體管：NMOS（負極性金屬
氧化物半導(dǎo)體）晶體管和PMOS（正極性金屬
氧化物半導(dǎo)體）晶體管。NMOS晶體管只有有源端施加高電平時才能導(dǎo)通，而PMOS晶體管只有有源端施加低電平時才能導(dǎo)通。這種互補配置使得
CMOS電路能夠?qū)?/div>
2024-01-09 11:25:51669 CMOS圖像傳感器是一種常見的圖像捕捉設(shè)備，它們使用互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)來實現(xiàn)對光的感應(yīng)和圖像采集。
2024-01-25 15:52:21164 CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）電路是一種常見的電子邏輯門電路技術(shù)，由一個PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）和一個NMOS（N型金屬氧化物
2024-02-22 11:12:34518 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41186 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 多路復(fù)用器TMUX4827數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:57:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:56:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬多路復(fù)用器TMUX7308F和TMUX7309F數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:14:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:12:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬多路復(fù)用TMUX734xF數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開關(guān)TMUX722x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 13:49:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通用互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 多路復(fù)用器TMUX1208和TMUX1209數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 17:27:100 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論