基于SD卡測試結(jié)構(gòu)的EMMC測試座，EMMC測試治具說明書

　　深圳凱智通微電子技術(shù)有限公司全新推出EMMC測試座，采用進(jìn)口雙頭探針結(jié)構(gòu)，使用壽命是10萬次，通過更換限位框可實(shí)現(xiàn)各種品牌各種尺寸的EMMC芯片(內(nèi)嵌式存儲記憶芯片)支持在線燒錄和燒錄器燒錄，此款EMMC芯片使用于平板電腦，手機(jī)，SSD，U盤等產(chǎn)品上。有客戶會把這款EMMC芯片稱之為MOVI NAND和INAND。

　　A、可直接插SD卡讀卡器連接電腦，支持熱拔插;

　　B、同時兼容：東芝(TOSHIBA)、三星(SAMSUNG)、海力士(Hynix)、英特爾(Intel)、Sandisk等所有同樣封裝的moviNAND或iNAND等閃存記體;

　　C、兼容芯片型號有：THGBM1G6D4EBA14、KLM2G1DEDD-A101、SDIN4C2-4G等;并兼容不同容量1G/2G/4G/8G......

　　D、導(dǎo)電體采用進(jìn)口POGO PIN，性能穩(wěn)定、測試座測試壽命可達(dá)10 萬次以上，是YAMAICHI 和OKINS 同類的彈片座子的壽命的5倍以上;并探針可更換，維修方便，成本低;

　　E、采用翻蓋式結(jié)構(gòu)，操作方便，效率高;不同大小IC只要換限位框即可實(shí)現(xiàn)不同大小IC的兼容(16x18x0.95、16x18x0.85、16x12x0.85);

　　F、功能一：對FLASH進(jìn)行測試，判斷IC的好壞，達(dá)到篩選IC的目的;

　　G、功能二：可通過專用量產(chǎn)工具對FLASH進(jìn)行低級格式化，是SD卡、U盤、SSD、PDA、手機(jī)、平板電腦等移動終端產(chǎn)品廠商的好幫手;

　　H、如果MMC controller損壞，而IC內(nèi)部的Flash部分未損壞，可用“基于U盤FLASH夾具”(KZT的另一款產(chǎn)品)測試FLASH的好壞，實(shí)現(xiàn)變廢為寶，既環(huán)保又降低了成本;

　　技術(shù)支持

　　對于eMMC夾具，我們提供了全方位的技術(shù)服務(wù)，您有任何問題請及時與我們?nèi)〉寐?lián)系,我們以最快的速度給予技術(shù)支援。

　　針對eMMC閃存記憶體，我們推出了另外兩種增值服務(wù)：

　　A、 為了降低成本，我們推出外形跟說明書的一樣，但夾具只能測試有錫球的芯片，壽命在2萬次以上，價格￥550.00/套!限位框另購!

　　B、 eMMC閃存記憶體再利用：比如說eMMC IC主控?fù)p壞，通過我們公司的"基于U盤測試夾具"測試后可以將閃存部分沒有損壞的eMMC　IC用作U盤FLASH;

　　C、我們最近推出一拖四、一拖八NAND Flash燒錄器，可以實(shí)現(xiàn)eMMC閃存記憶體的燒錄;為客戶提供了一種快速燒錄的新選擇;

　　適用芯片示例:

　　1、THGBM1G6D4EBA14(東芝,TOSHIBA，16x18x0.95mm, pitch=0.5mm)

　　2、SDIN4C2-4G(新帝,SanDisk, 16x12x0.85mm, pitch=0.5mm)

　　相關(guān)術(shù)語：

　　1、MoviNAND：

　　MoviNAND是三星公司開發(fā)的一款符合eMMC標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)嵌式存儲器(MoviNAND = High-density MLC NAND Flash & MMC controller);是一種高容量NAND快閃記憶體解決方案;這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進(jìn)的30nm工藝，適用于高端手機(jī)和其他移動消費(fèi)電子設(shè)備。MoviNAND已被世界半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)(JEDEC)和多媒體卡協(xié)會(MMCA)列入產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)方案(eMMC);

　　2、eMMC:

　　eMMC為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對手機(jī)產(chǎn)品為主;eMMC結(jié)構(gòu)由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC(多媒體卡)接口、快閃存儲器設(shè)備及主控制器——所有在一個小型的BGA封裝。接口速度高達(dá)每秒52MB，eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是1.8v或者是3.3v。eMMC內(nèi)嵌式存儲器，三星公司叫“MoviNAND”，而Sandisk的才叫iNAND 但原理都是一樣的都是采用MMC接口，都是按eMMC的標(biāo)準(zhǔn)的，只是每個廠家的叫法不一樣;

　　3、MLC：

　　NAND閃存可分為三大架構(gòu)，分別是單層式儲存(Single Level Cell)，即SLC;多層式儲存(Multi Level Cell)，即MLC;多位式存儲(Multi Bit Cell)，即MBC。MLC實(shí)現(xiàn)了一個Cell存放多個bit，是英特爾(INTEL)在1997年9月最先研發(fā)成功的，現(xiàn)在常見的MLC架構(gòu)閃存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架構(gòu)芯片的2倍，目前三星、東芝、海力士(Hynix)、IMFT(英特爾與美光合資公司)、瑞薩(Renesas)都是此技術(shù)的使用者，其發(fā)展速度遠(yuǎn)快于SLC架構(gòu)。